用于清洗晶圆的方法、用于制造集成电路的方法

本公开涉及半导体，特别是涉及用于清洗晶圆的方法、用于制造集成电路的方法。

背景技术：

1、半导体结构是集成电路的核心结构。集成电路的制造过程包括薄膜生长、光刻工艺、图形刻蚀及金属淀积等诸多复杂工艺。光刻工艺是半导体结构的制造过程中的关键工艺。

2、光刻工艺包含涂胶、曝光及显影等工艺步骤。随着集成电路设计图形尺寸达到亚微米级别，需要控制并提升光刻工艺的工艺水平。以动态滴胶为例，动态滴胶工艺包括：首先对晶圆喷涂增粘剂，使得晶圆表面由亲水性变为疏水性；然后通过滴胶喷嘴在晶圆表面滴光刻胶；晶圆高速旋转使得光刻胶分布均匀后，转送晶圆至热盘进行烘烤以去掉光刻胶溶剂。

3、在执行工艺过程中发现，受前道工序的影响，晶圆表面有颗粒污染，这些颗粒具有一定尺寸和数量。光刻胶在做离心运动的过程中，由于受到颗粒的阻挡，会出现线条型的分布不均匀现象，这种现象影响了最终的胶膜厚度均匀性，继而影响了后续的光刻图形制作，导致最终集成电路良率降低。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对晶圆的颗粒污染问题，提供一种用于清洗晶圆的方法，并提供一种用于制造集成电路的方法。

2、本公开实施方式提供一种用于清洗晶圆的方法，该方法包括：以第一转速转动晶圆，其中，晶圆的待清洗面沿转动轴线朝向一侧；对待清洗面的转动中心进行喷水；以第二转速转动经历过喷水步骤的晶圆，其中，第二转速大于或等于第一转速；以及烘烤经历过以第二转速转动步骤的晶圆。

3、本公开实施方式提供的方法能够有效地清洗晶圆，降低晶圆表面的颗粒污染程度。

4、在一些实施方式中，待清洗面沿铅垂方向朝向上侧，待清洗面与转动轴线垂直；喷水步骤中，水流垂直喷射于待清洗面。

5、如此设置，能够均衡地清理颗粒污染，并且可全面地清洗待清洗面。

6、在一些实施方式中，喷水步骤包括：通过喷嘴进行喷水；方法还包括：停止喷水；移动喷嘴以使喷嘴沿转动轴线的投影离开待清洗面。

7、如此设置，能够避免残余水滴滴落，确保甩干效果。此外，先停止喷水的步骤可保证待清洗面表层的水膜运动态势为沿径向向外，继而可靠地保证晶圆中心位置的颗粒污染得到最好的清理效果。

8、在一些实施方式中，喷水步骤中使用的水为去离子水。

9、如此设置，该方法对被清洗的晶圆影响较小，使得清洗后的晶圆可用在集成电路的制造中。

10、在一些实施方式中，喷水步骤中水的洁净度满足：直径大于或等于0.4um的颗粒的浓度小于4颗/l。

11、如此设置，利用超纯水标准的水清洗晶圆，可以干净地清理掉晶圆表面的颗粒，保障清洗后的晶圆的洁净程度。

12、在一些实施方式中，第一转速为1500rpm～3000rpm；第二转速为3000rpm～5000rpm。

13、如此配置第一转速和第二转速，可有效地甩掉颗粒并实现较好的甩干。本公开实施方式提供的用于清洗晶圆的方法对各种尺寸规格的晶圆都可实现较好的清洗效果。

14、在一些实施方式中，第一转速为1600rpm～1800rpm；第二转速为3200rpm～3800rpm。

15、如此设置，可较为经济地实现清洗晶圆的方法。

16、在一些实施方式中，第一转速为2400rpm～2800rpm；第二转速为4500rpm～5000rpm。

17、本公开实施方式提供的用于清洗晶圆的方法可以有效地清除晶圆表面污染的颗粒，并且可获得良好的甩干效果。

18、在一些实施方式中，烘烤步骤的温度为100℃～120℃。

19、高温烘干能使晶圆表面水分子挥发更加均匀和彻底，保证晶圆表面的亲水性。

20、本公开实施方式还提供一种用于制造集成电路的方法，该方法包括：根据前述的用于清洗晶圆的方法对晶圆进行清洗的步骤；以及对晶圆进行涂光刻胶。

21、本公开实施方式提供的用于制造集成电路的方法，可降低涂胶前晶圆表面颗粒的污染程度，继而实现均匀的涂胶，均匀性较好的胶层在后续工艺中可具有良好的工艺性能，提高集成电路的最终良率。

技术特征：

1.用于清洗晶圆的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述待清洗面沿铅垂方向朝向上侧，所述待清洗面与所述转动轴线垂直；

3.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述喷水步骤包括：通过喷嘴进行所述喷水；

4.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述喷水步骤中使用的水为去离子水。

5.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述喷水步骤中水的洁净度满足：直径大于或等于0.4um的颗粒的浓度小于4颗/l。

6.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述第一转速为1500rpm～3000rpm；所述第二转速为3000rpm～5000rpm。

7.根据权利要求6所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述第一转速为1600rpm～1800rpm；所述第二转速为3200rpm～3800rpm。

8.根据权利要求6所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述第一转速为2400rpm～2800rpm；所述第二转速为4500rpm～5000rpm。

9.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的方法，其中，所述烘烤步骤的温度为100℃～120℃。

10.用于制造集成电路的方法，其特征在于，包括：

技术总结
本公开涉及用于清洗晶圆的方法、用于制造集成电路的方法。该用于清洗晶圆的方法包括：以第一转速转动晶圆，其中，晶圆的待清洗面沿转动轴线朝向一侧；对待清洗面的转动中心进行喷水；以第二转速转动经历过喷水步骤的晶圆，其中，第二转速大于或等于第一转速；以及烘烤经历过以第二转速转动步骤的晶圆。该方法可以实现对表面沾污有颗粒的晶圆进行良好的清理。

技术研发人员：盛况,任娜,熊丹妮,徐弘毅
受保护的技术使用者：浙江大学杭州国际科创中心
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14