用于增强性蚀刻和选择性移除的硬掩模膜的化学修饰的制作方法

背景技术：

技术实现思路

1、多个实施方式包括处理硬掩模的方法，所述方法包括形成掺混碳硬掩模，所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中，所述掺混碳硬掩模以金属碳(metallic-carbon)填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。根据一实施方式，所述方法可进一步包括：从所述掺混碳硬掩模移除所述金属碳填充物的金属成分，以形成多孔碳硬掩模。之后，可移除所述多孔碳硬掩模。在一实施方式中，移除所述金属碳填充物的金属成分可包括：使处理气体流进腔室，以使所述金属碳填充物的金属成分挥发。

2、额外的实施方式可包括一种处理掺混碳层的方法，所述方法包括：形成所述掺混碳层，所述掺混碳层是以金属碳填充物掺混，且所述金属碳填充物是硼碳填充物。所述实施方式亦可包括：从所述碳层移除所述硼碳填充物的硼成分，以形成多孔碳层。在一实施方式中，所述硼碳填充物是通过使处理气体流进腔室而移除。在一实施方式中，所述处理气体使所述硼碳填充物的硼成分挥发。在一实施方式中，所述处理气体是氯、溴、碘、氯化氢、溴化氢、碘化氢、亚硫酰氯(thionyl chloride)、亚硫酰溴、一溴化碘、或硫酰氯(sulfurylchloride)。

技术特征：

1.一种碳基硬掩模层，包括：

2.如权利要求1所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步与所述氢键结。

3.如权利要求1所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步包括金属-金属键。

4.如权利要求1所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步与所述氢键结，并且其中所述金属填充物进一步包括金属-金属键。

5.如权利要求1所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物是从w、v、nb、ta、ti、zr、hf和al所组成的组选出的金属成分。

6.如权利要求1所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物是硼。

7.如权利要求6所述的碳基硬掩模层，其中所述非晶碳层包括b4c。

8.一种碳基硬掩模层，包括：

9.如权利要求8所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步与所述氢键结。

10.如权利要求8所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步包括金属-金属键。

11.如权利要求8所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步与所述氢键结，并且其中所述金属填充物进一步包括金属-金属键。

12.如权利要求8所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物是从w、v、nb、ta、ti、zr、hf和al所组成的组选出的金属成分。

13.如权利要求8所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物是硼。

14.如权利要求13所述的碳基硬掩模层，其中所述非晶碳化物层包括b4c。

15.一种碳基硬掩模层，包括：

16.如权利要求15所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步与所述氢键结。

17.如权利要求15所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步包括金属-金属键。

18.如权利要求15所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物进一步与所述氢键结，并且其中所述金属填充物进一步包括金属-金属键。

19.如权利要求15所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物是从w、v、nb、ta、ti、zr、hf和al所组成的组选出的金属成分。

20.如权利要求15所述的碳基硬掩模层，其中所述金属填充物是硼，并且其中所述非晶碳和碳化物层包括b4c。

技术总结
各个实施方式包括处理硬掩模的方法，所述方法包括形成掺混碳硬掩模，所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中，所述掺混碳硬掩模以金属碳填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模并且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。根据一实施方式，所述方法可进一步包括：从所述掺混碳硬掩模移除所述金属碳填充物的金属成分，以形成多孔碳硬掩模。之后，可移除所述多孔碳硬掩模。在一实施方式中，移除所述金属碳填充物的金属成分可包括：使处理气体流进腔室，以使所述金属碳填充物的金属成分挥发。

技术研发人员：大卫·纳普,西蒙·黄,杰弗里·W·安西斯,菲利普·艾伦·克劳斯,大卫·汤普森
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13