本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术:
1、作为多层电子组件之一的多层陶瓷电容器(mlcc)是安装在各种电子产品(诸如像液晶显示装置(lcd)和等离子显示面板(pdp)那样的成像装置、计算机、智能电话)的印刷电路板上并用于充电或放电的片式电容器。
2、这些多层陶瓷电容器由于其小尺寸、高容量和易于安装而可用作各种电子装置中的组件。随着诸如计算机和移动装置的各种电子装置已经变得小型化并且能够实现高输出,对多层陶瓷电容器的小型化和更高容量的需求正在增加。
3、另一方面,当制造mlcc中使用的介电粉末时,可使用其中锆珠可用作研磨介质的研磨工艺来雾化介电粉末。由于研磨工艺的特性,锆(zr)(锆珠的成分)可作为杂质被引入到介电粉末中,并且作为杂质被引入的锆已经被确定为可能影响介电粉末的各种特性(诸如电特性、介电容量、损耗因子(df)和击穿电压(bdv))的因素。
技术实现思路
1、本公开的一方面在于提供一种通过向介电组合物中添加稳定氧化锆而具有改善的电特性、介电容量、df和bdv等的多层电子组件。
2、然而,本公开要解决的各种问题不限于上述内容,并且在描述本公开的具体实施例的过程中将变得更易于理解。
3、根据本公开的实施例的多层电子组件包括:主体,包括有效部,所述有效部包括第一介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一介电层中的至少一个第一介电层包括稳定氧化锆,所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置在所述第一介电层之间以形成电容,所述主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。
4、根据本公开的另一实施例的多层电子组件包括:主体,包括有效部,所述有效部包括第一介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置在所述第一介电层之间以形成电容;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,其中,所述第一介电层中的至少一个第一介电层使用第一介电组合物形成,所述第一介电组合物包括稳定氧化锆,并且所述稳定氧化锆可包含氧化钇稳定氧化锆、氧化镁稳定氧化锆、氧化铈稳定氧化锆、氧化铝稳定氧化锆和氧化钙稳定氧化锆中的一种或更多种。
5、根据本公开的另一实施例的多层电子组件包括:主体,包括有效部,所述有效部包括第一介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置在所述第一介电层之间以形成电容;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,其中,所述第一介电层中的至少一个第一介电层包括锆,所述至少一个第一介电层中包括的锆的平均含量大于637ppm。
6、根据本公开的另一实施例的多层电子组件包括:主体,包括有效部、覆盖部和边缘部,所述有效部包括第一介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极沿第一方向交替地设置在所述第一介电层之间以形成电容,所述覆盖部设置在所述有效部在所述第一方向上的上表面和下表面上,所述边缘部设置在所述有效部在第三方向上的两个侧表面上;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,其中,所述第一介电层中的至少一个第一介电层包括锆,所述至少一个第一介电层中包括的锆的平均含量大于所述覆盖部和/或所述边缘部中包括的锆的平均含量。
1.一种多层电子组件,包括:
2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述稳定氧化锆包括氧化钇稳定氧化锆、氧化镁稳定氧化锆、氧化铈稳定氧化锆、氧化铝稳定氧化锆和氧化钙稳定氧化锆中的一种或更多种。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层包括锆,并且
4.根据权利要求3所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层中包括的锆的平均含量小于等于1090ppm。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层还包括钇,并且
6.根据权利要求5所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层中包括的钇的平均含量小于等于140ppm。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述主体还包括覆盖部,所述覆盖部设置在所述有效部的在所述第一方向上彼此相对的表面上。
8.根据权利要求7所述的多层电子组件,其中,
9.根据权利要求8所述的多层电子组件,其中,
10.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,
11.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,
12.根据权利要求11所述的多层电子组件,其中,
13.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层沿所述第一方向的平均尺寸为0.4μm或更小。
14.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一内电极和所述第二内电极中的至少一个内电极沿所述第一方向的平均尺寸为0.4μm或更小。
15.根据权利要求7所述的多层电子组件,其中,所述覆盖部中的至少一个沿所述第一方向的平均尺寸为100μm或更小。
16.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,所述边缘部中的至少一个边缘部沿所述第三方向的平均尺寸为100μm或更小。
17.一种多层电子组件,包括:
18.根据权利要求17所述的多层电子组件,其中,所述稳定氧化锆包含氧化钇稳定氧化锆。
19.根据权利要求17所述的多层电子组件,其中,所述第一介电层中的至少两个第一介电层使用所述第一介电组合物形成。
20.根据权利要求18所述的多层电子组件,其中,所述多层电子组件中的所述至少一个第一介电层具有大于637ppm且小于等于1090ppm的锆含量和/或大于122ppm且小于等于140ppm的钇含量。
21.根据权利要求20所述的多层电子组件,其中,所述多层电子组件中的所述至少一个第一介电层具有大于等于821ppm且小于等于945ppm的锆含量和/或大于等于133ppm且小于等于140ppm的钇含量。
22.一种多层电子组件,包括:
23.根据权利要求22所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层中包括的锆的平均含量小于等于1090ppm。
24.根据权利要求22所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层还包括钇,并且所述至少一个第一介电层中包括的钇的平均含量大于122ppm且小于等于140ppm。
25.一种多层电子组件,包括:
26.根据权利要求25所述的多层电子组件,其中,所述至少一个第一介电层还包括钇,并且所述至少一个第一介电层中包括的钇的平均含量大于所述覆盖部和/或所述边缘部中包括的钇的平均含量。