1.一种低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：p型衬底；所述p型衬底中从左至右依次设有第一p型浅阱、n型深阱、第四n阱右部分、第五p型浅阱；
2.根据权利要求1所述的低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，还包括：十个场氧隔离区；所述第一场氧隔离区在所述第一p+注入左侧，所述第二场氧隔离区在所述第一p+注入与所述第一n+注入之间，所述第三场氧隔离区在所述第一n+注入与所述第二p+注入之间，所述第四场氧隔离区在所述第二p+注入与所述第二n+注入之间，所述第五场氧隔离区在所述第二n+注入与所述第三p+注入之间，所述第六场氧隔离区在所述第三p+注入与所述第三n+注入之间，所述第七场氧隔离区在所述第四n+注入和所述第四p+注入之间，所述第八场氧隔离区在所述第四p+注入和所述第五n+注入之间，所述第九场氧隔离区在所述第五n+注入和所述第五p+注入之间，所述第十场氧隔离区在所述第五p+注入右侧。
3.根据权利要求2所述的低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一场氧隔离区位于所述p型衬底与所述第一p型浅阱表面；所述第二场氧隔离区在所述第一p型浅阱与所述p型衬底以及所述第一n阱表面；所述第三场氧隔离区在所述第一n阱与所述第二p型浅阱表面；所述第四场氧隔离区在所述第二p型浅阱与所述第二n阱表面；所述第五场氧隔离、第六场氧隔离区在所述第二n阱表面；所述第七场氧隔离区在所述第四p型浅阱表面；所述第八场氧隔离区在所述第四p型浅阱与所述第四n阱表面；所述第九场氧隔离区位于所述第四n阱与所述p型衬底以及所述第五p型浅阱表面；所述第十场氧隔离区位于所述第五p型浅阱与所述p型衬底表面。
4.根据权利要求1所述的低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，当esd脉冲到达器件的阳极，器件的阴极接低电位时，位于第四p型浅阱的ggnmos结构先触发，esd电流通过第三n+注入大量流入第四p型浅阱，并在所述第四p型浅阱的等效电阻上形成电压降，当电压降达到0.7v时，右侧纵向npn型三极管导通并为左侧横向pnp三极管提供基极电流进而促进其导通，形成正反馈效应，此时器件被成功触发，第三p+注入、第二n阱/n型深阱、p型衬底构成寄生三极管pnp1，第二p+注入/第二p型浅阱、n型深阱、p型衬底构成寄生三极管pnp2，第四n+注入、第四p型浅阱、n型深阱构成寄生三极管npn，当pnp1和npn开启后，构成横向scr路径；当pnp2和npn开启后，构成纵向scr路径；
5.根据权利要求1所述低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，第三n阱的尺寸s1可调，当s1距离增大时，器件的维持电压增加；由第二p+注入/第二p型浅阱、n型深阱、p型衬底构成寄生三极管pnp2的嵌入，寄生出esd电流泄放路径，对横向scr路径产生分流作用。
6.一种低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件的制作方法，其特征在于，所述包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件的制作方法，其特征在于，所述步骤一之前还包括如下步骤：在p型衬底上生长一层二氧化硅薄膜，之后淀积一层氮化硅；旋涂光刻胶层于晶圆上，加掩膜版对其进行曝光以及显影，形成隔离浅槽；将二氧化硅、氮化硅和隔离浅槽进行刻蚀，去除光刻胶层，淀积一层二氧化硅，然后进行化学机抛光，直到氮化硅层为止，去除掉氮化硅层。