一种扇出型芯片封装方法及结构与流程

本公开实施例属于半导体芯片封装，具体涉及一种扇出型芯片封装方法及结构。

背景技术：

1、随着先进封装技术的发展，扇出型(fan-out)芯片已成为近年来的封装主流。

2、然而由于树脂材料与硅(si)芯片的应力冲突，导致了fan-out

3、芯片整体翘曲增加，进而大大增加了贴装的难度。并且fan-out芯片在回流过程中会发生形变，形变方向和形变量不可控，会导致焊接不良。

技术实现思路

1、本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种扇出型芯片封装方法及结构。

2、本公开实施例的一个方面提供一种扇出型芯片封装方法。所

3、述方法包括：

4、提供基板、加强衬底和芯片；其中，所述基板的表面设置有焊盘，所述芯片的第一表面设置有焊球；

5、在所述芯片的与所述第一表面相对的第二表面通过粘接胶粘贴所述加强衬底；

6、对所述加强衬底和所述芯片之间的粘接胶进行热压固化；

7、将所述芯片的焊球与所述基板的焊盘进行回流焊接，得到中间芯片封装体；

8、将所述加强衬底从所述中间芯片封装体的所述芯片剥离，得到目标芯片封装体。

9、可选的，所述在所述芯片的与所述第一表面相对的第二表面通过粘接胶粘贴所述加强衬底，包括：

10、将所述芯片的第一表面放置于操作台的表面；

11、在所述芯片的第二表面进行点胶，将所述加强衬底粘贴于所述芯片的第二表面。

12、可选的，在将所述芯片的第一表面放置于所述操作台的表面之前，所述方法还包括：

13、在所述操作台的表面设置高温胶带。

14、可选的，所述对所述加强衬底和所述芯片之间的粘接胶进行热压固化，包括：

15、将所述芯片的第一表面放置于加热台的表面；

16、将施压件放置于所述加强衬底背离所述芯片的中央区域，以对所述粘接胶进行热压固化。

17、可选的，在将所述芯片的第一表面放置于加热台的表面之前，所述方法还包括：

18、在所述加热台的表面设置高温胶带。

19、可选的，所述将所述加强衬底从所述中间芯片封装体的所述芯片剥离，包括：

20、将所述中间芯片封装体浸泡于有机溶剂并加热预设时间；

21、在所述加强衬底与所述芯片之间的粘接胶软化后，取出所述中间芯片封装体；

22、将所述加强衬底从所述芯片剥离。

23、可选的，所述有机溶剂为丙酮。

24、可选的，所述加强衬底与所述芯片的尺寸相同。

25、可选的，所述加强衬底为硅片或金属片。

26、本公开实施例的另一个方面提供一种扇出型芯片封装结构，采用如上所述的封装方法得到。

27、本公开实施例的芯片封装方法中，在所述芯片的第二表面通过粘结胶粘贴所述加强衬底，支撑固定所述芯片，改变所述芯片的翘曲，将所述芯片与所述基板进行回流焊接时，保证所述芯片无法发生形变，使得所述芯片与所述基板相贴合，保证芯片的焊球与基板的焊盘焊接良好。本公开芯片封装方法简单，可实施性强，成本低，操作方便，提高产品良率。

技术特征：

1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述芯片的与所述第一表面相对的第二表面通过粘接胶粘贴所述加强衬底，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在将所述芯片的第一表面放置于所述操作台的表面之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述加强衬底和所述芯片之间的粘接胶进行热压固化，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在将所述芯片的第一表面放置于加热台的表面之前，所述方法还包括：

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述将所述加强衬底从所述中间芯片封装体的所述芯片剥离，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂为丙酮。

8.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述加强衬底与所述芯片的尺寸相同。

9.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述加强衬底为硅片或金属片。

10.一种扇出型芯片封装结构，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的封装方法得到。

技术总结
本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法及结构，所述方法包括：提供基板、加强衬底和芯片；其中，所述基板的表面设置有焊盘，所述芯片的第一表面设置有焊球；在所述芯片的与所述第一表面相对的第二表面通过粘接胶粘贴所述加强衬底；对所述加强衬底和所述芯片之间的粘接胶进行热压固化；将所述芯片的焊球与所述基板的焊盘进行回流焊接，得到中间芯片封装体；将所述加强衬底从所述中间芯片封装体的所述芯片剥离，得到目标芯片封装体。本公开实施例在所述芯片的第二表面粘贴加强衬底，加强衬底支撑固定所述芯片，改变芯片的翘曲，将芯片与基板回流焊接时，保证芯片无法发生形变，使得芯片与基板相贴合，保证芯片的焊球与基板的焊盘焊接良好。

技术研发人员：田学春,王奎,张庆松,谢鸿
受保护的技术使用者：通富微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15