静电吸盘及其制备方法与流程

本发明涉及半导体，具体而言，涉及一种静电吸盘及其制备方法。

背景技术：

1、相关技术提供的半导体制造系统如刻蚀系统、化学汽相淀积系统、溅射系统等通常都配备有静电吸盘，用于将晶片固定在特定的位置以使晶片可以在制造系统中被加工。静电吸盘包括由绝缘体形成的介质主体和由导体形成的用于在介质主体内产生介质极化的电极；电极与高压直流电源相连；当高压直流电源将直流电压加到电极上，介质主体被介质极化，同时它表现出吸引力；也就是说，静电吸盘可以用施加直流电压产生的吸引力将晶片吸引并支持在它的介质主体上。

2、相关技术为了测量静电吸盘的温度，给静电吸盘配置了金属热电偶或光纤；但是，上述两种方式均会导致静电吸盘整体结构增大，且容易对静电吸盘原本的结构造成破坏。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种静电吸盘及其制备方法，该静电吸盘整体结构较小，且原本的结构不容易被破坏。

2、本发明的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本发明提供一种静电吸盘，包括：

4、电极；

5、第一绝缘层，第一绝缘层附着在电极的表面；

6、第一薄膜电极，第一薄膜电极附着于第一绝缘层；

7、第二薄膜电极，第二薄膜电极附着于第一绝缘层，其中，第二薄膜电极和第一薄膜电极接触，并形成至少一个用于测温的接触点；以及，

8、第二绝缘层，第二绝缘层附着于第一绝缘层，并使第一薄膜电极和第二薄膜电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间。

9、在可选的实施方式中，静电吸盘还包括导线，第一薄膜电极和第二薄膜电极两者中的至少一者与导线电连接。

10、在可选的实施方式中，电极上设置有第一出线孔，第一绝缘层设置有第二出线孔，导线依次穿过第二出线孔和第一出线孔、并从电极背离第一绝缘层的一侧穿出。

11、在可选的实施方式中，第一出线孔和第二出线孔两者中的至少一者填充有绝缘密封胶。

12、在可选的实施方式中，静电吸盘包括多个第二薄膜电极和多个导线，多个第二薄膜电极均与第一薄膜电极接触，并形成多个接触点；多个导线与多个第二薄膜电极一一对应地连接，且多个导线均依次穿过第二出线孔和第一出线孔、并从电极背离第一绝缘层的一侧穿出；或者，

13、静电吸盘包括多个第二薄膜电极，多个第二薄膜电极均与第一薄膜电极接触，并形成多个接触点；多个第二薄膜电极均与导线连接。

14、在可选的实施方式中，第二薄膜电极和第一薄膜电极接触，并形成多个接触点，多个接触点呈环形阵列或矩形整列分布。

15、在可选的实施方式中，第一绝缘层和第二绝缘层的厚度为5-10μm。

16、第二方面，本发明提供一种静电吸盘的制备方法，包括：

17、在电极上涂覆第一绝缘层；

18、在第一绝缘层上沉积第一薄膜电极；

19、在第一绝缘层上沉积第二薄膜电极，且使第二薄膜电极与第一薄膜电极接触，以形成至少一个用于测温的接触点；

20、在第一绝缘层上涂覆第二绝缘层，并使第一薄膜电极和第二薄膜电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间。

21、在可选的实施方式中，静电吸盘的制备方法，还包括：

22、在第一薄膜电极和第二薄膜电极两者中的至少一者连接导线，并将导线依次穿过第一绝缘层设置的第二出线孔和电极设置的第一出线孔，以使导线从电极背离第一绝缘层的一侧穿出。

23、在可选的实施方式中，第一绝缘层和第二绝缘层包括氧化铝绝缘层、氮化铝绝缘层、氧化钇绝缘层和氟化钇绝缘层中的至少一种；

24、第一薄膜电极包括in2o3薄膜电极和ito薄膜电极中的一者，第二薄膜电极包括in2o3薄膜电极和ito薄膜电极中的另一者。

25、本发明实施例的静电吸盘及其制备方法的有益效果包括：本发明实施例提供的静电吸盘的制备方法，在电极上附着第一绝缘层，并在第一绝缘层上沉积附着第一薄膜电极和第二薄膜电极，并使第二薄膜电极和第一薄膜电极接触、形成至少一个用于测温的接触点；这样一来，即可利用第二薄膜电极和第一薄膜电极相互接触形成的测温点作为薄膜热电偶用来测温，而且形成薄膜热电偶的两个薄膜电极本身厚度尺寸很小，能够保证静电吸盘的小型化设计，静电吸盘整体结构较小，改善因为了测量温度而导致静电吸盘占用空间增大的问题；再者，在第一绝缘层上沉积两个薄膜电极以形成能够用于测温的薄膜热电偶，能够减少对电极自身结构的破坏，即能够改善对静电吸盘自身结构破坏的问题。

技术特征：

1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘还包括导线(700)，所述第一薄膜电极(300)和所述第二薄膜电极(400)两者中的至少一者与所述导线(700)电连接。

3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述电极(100)上设置有第一出线孔(110)，所述第一绝缘层(200)设置有第二出线孔(210)，所述导线(700)依次穿过所述第二出线孔(210)和所述第一出线孔(110)、并从所述电极(100)背离所述第一绝缘层(200)的一侧穿出。

4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述第一出线孔(110)和所述第二出线孔(210)两者中的至少一者填充有绝缘密封胶。

5.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘包括多个所述第二薄膜电极(400)和多个所述导线(700)，多个所述第二薄膜电极(400)均与所述第一薄膜电极(300)接触，并形成多个所述接触点(500)；多个所述导线(700)与多个所述第二薄膜电极(400)一一对应地连接，且多个所述导线(700)均依次穿过所述第二出线孔(210)和所述第一出线孔(110)、并从所述电极(100)背离所述第一绝缘层(200)的一侧穿出；或者，

6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述第二薄膜电极(400)和所述第一薄膜电极(300)接触，并形成多个所述接触点(500)，多个所述接触点(500)呈环形阵列或矩形整列分布。

7.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述第一绝缘层(200)和所述第二绝缘层(600)的厚度为5-10μm。

8.一种静电吸盘的制备方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的静电吸盘的制备方法，其特征在于，所述静电吸盘的制备方法，还包括：

10.根据权利要求8所述的静电吸盘的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层(200)和所述第二绝缘层(600)包括氧化铝绝缘层、氮化铝绝缘层、氧化钇绝缘层和氟化钇绝缘层中的至少一种；

技术总结
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种静电吸盘及其制备方法，静电吸盘包括电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一薄膜电极和第二薄膜电极，第一绝缘层附着在电极的表面；第一薄膜电极附着于第一绝缘层；第二薄膜电极附着于第一绝缘层，其中，第二薄膜电极和第一薄膜电极接触，并形成至少一个用于测温的接触点；第二绝缘层附着于第一绝缘层，并使第一薄膜电极和第二薄膜电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间。该静电吸盘能够可靠地检测温度，且其整体结构较小，静电吸盘原本的结构也不容易被破坏。

技术研发人员：冯鹏,鞠子辰,谈太德,牛新平
受保护的技术使用者：拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14