在SOI衬底上形成高压器件的方法与流程

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种在soi衬底上形成高压器件的方法。

背景技术：

1、soi全名为silicon on insulator，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。

2、soi衬底片由于其特殊性，埋氧层上方的硅衬底的厚度不足以支撑形成ldmos等高压器件所需要的结深，为了满足高压器件的形成要求，传统方案会加厚埋氧层上方的硅衬底，然而，这会牺牲低压cmos的性能。

技术实现思路

1、为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种在soi衬底上形成高压器件的方法。该技术方案如下：

2、一方面，本申请实施例提供了一种在soi衬底上形成高压器件的方法，该方法包括：

3、提供第一衬底，所述第一衬底上依次形成有埋氧层和第二衬底；

4、刻蚀所述第二衬底、埋氧层和所述第一衬底以形成深沟槽；

5、在所述深沟槽中填充epi外延层；

6、在所述epi外延层形成高压器件。

7、可选的，所述第一衬底和第二衬底为硅衬底。

8、可选的，所述第二衬底的厚度小于1000a。

9、可选的，所述埋氧层的厚度为1900a-2100a。

10、可选的，所述深沟槽是通过光刻工艺和干法刻蚀工艺形成的。

11、可选的，所述epi外延层为硅外延层。

12、可选的，在所述刻蚀所述第二衬底、埋氧层和所述第一衬底以形成深沟槽的步骤中，对所述第一衬底的刻蚀深度大于4um。

13、本申请技术方案，至少包括如下优点：

14、1.通过在soi衬底中刻蚀形成深沟槽，并进一步在深沟槽中填充epi外延层，使得epi外延层能够用于形成高压器件，从而可以突破第二衬底的厚度，即上层硅衬底的厚度对高压器件结深的限制，实现了在不牺牲低压cmos性能的前提下，在soi衬底上集成高压器件的效果。

技术特征：

1.一种在soi衬底上形成高压器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二衬底的厚度小于1000a。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述埋氧层的厚度为1900a-2100a。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述深沟槽是通过光刻工艺和干法刻蚀工艺形成的。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述epi外延层为硅外延层。

7.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在所述刻蚀所述第二衬底、埋氧层和所述第一衬底以形成深沟槽的步骤中，对所述第一衬底的刻蚀深度大于4um。

技术总结
本申请公开了一种在SOI衬底上形成高压器件的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底上依次形成有埋氧层和第二衬底；刻蚀所述第二衬底、埋氧层和所述第一衬底以形成深沟槽；在所述深沟槽中填充EPI外延层；在所述EPI外延层形成高压器件；通过在SOI衬底中刻蚀形成深沟槽，并进一步在深沟槽中填充EPI外延层，使得EPI外延层能够用于形成高压器件，实现了在不牺牲低压CMOS性能的前提下，在SOI衬底上集成高压器件的效果。

技术研发人员：王晓日,陈广龙
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15