封装基板及其形成方法、封装结构与流程

本发明实施例涉及芯片，具体涉及一种封装基板及其形成方法、封装结构。

背景技术：

1、先进封装进入2.5d&3d时代，随着对面积和性能的要求，封装结构或其他封装体的尺寸不断微缩。同时，封装结构中起功能性互联作用的信号互连结构也逐渐微间距化和高密度化，相应的，封装基板中的信号互连结构也对应呈现微间距化和高密度化。

2、然而，现有封装结构的设计难度较大。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例提供一种封装基板及其形成方法、封装结构，可以降低了封装基板以及应用该封装基板的封装结构的设计难度。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种封装基板，包括：

3、基板，所述基板包括相对的底面和顶面；

4、位于基板底面和顶面的介质层和位于所述介质层中的信号互连结构；

5、位于所述基板底面的介质层上的第一焊盘和位于所述基板顶面的介质层上的第二焊盘；

6、电连接所述第一焊盘和所述第二焊盘的电源互连结构，其中，电源互连结构包括侧壁导电结构，所述侧壁导电结构位于所述基板和介质层的侧壁。

7、可选的，所述电源互连结构还包括位于介质层内的侧壁连接线，所述侧壁连接线用于电连接所述第一焊盘或第二焊盘至所述侧壁导电结构。

8、可选的，电源互连结构还包括位于介质层内的电源插塞，所述电源插塞连接所述第一焊盘或第二焊盘，并经所述侧壁连接线电连接至所述侧壁导电结构。

9、可选的，所述电源插塞为多个，且沿垂直于所述基板表面的方向依次堆叠。

10、可选的，所述侧壁导电结构为线状结构，一侧壁导电结构对应相对的一第

11、一焊盘和一第二焊盘；

12、或者，所述侧壁导电结构为块状结构，一侧壁导电结构对应一组第一焊盘和一组第二焊盘，其中，一组第一焊盘和一组第二焊盘的数量均为多个，且一组第一焊盘和一组第二焊盘用于实现同一电源电流的传输。

13、本发明实施例还提供了一种封装基板的形成方法，包括：

14、提供基板，所述基板包括相对的底面和顶面；

15、在所述基板的底面和顶面形成介质层和位于所述介质层中的信号互连结构；

16、在所述基板侧壁和介质层侧壁形成侧壁导电结构；

17、形成位于所述基板的底面的介质层上的第一焊盘和位于所述基板的顶面的介质层上的第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘与所述侧壁导电结构电连接。

18、可选的，所述在所述基板的底面和顶面形成介质层和位于所述介质层中的信号互连结构的步骤中，还在所述介质层内形成侧壁连接线；

19、所述在所述基板侧壁和介质层侧壁形成侧壁导电结构的步骤中，所述侧壁导电结构与所述侧壁连接线相接。

20、可选的，所述在所述基板的底面和顶面形成介质层和位于所述介质层中的信号互连结构的步骤中，还在所述介质层内形成电源插塞，所述电源插塞与所述侧壁连接线相接；

21、所述形成位于所述基板的底面的介质层上的第一焊盘和位于所述基板的顶面的介质层上的第二焊盘的步骤中，所述第一焊盘或第二焊盘与所述电源插塞相接。

22、可选的，所述在所述介质层内形成电源插塞的步骤中，所述电源插塞为多个，且沿垂直于所述基板表面的方向依次堆叠。

23、可选的，所述介质层包括多个子介质层，所述在所述基板的底面和顶面形成介质层和位于所述介质层中的信号互连结构，包括：

24、逐层形成子介质层和位于所述子介质层内的信号互连结构，直至形成所述介质层和位于所述介质层内的信号互连结构。

25、可选的，所述形成子介质层和位于所述子介质层内的信号互连结构，包括：

26、形成子介质层和位于子介质层上的第一导电层；

27、图形化所述第一导电层和所述子介质层，形成信号导电沟槽；

28、形成覆盖第一导电层和信号导电沟槽的目标导电材料层；

29、图形化所述目标导电材料层和第一导电层，以信号导电沟槽中的目标导电材料层作为信号插塞，以子介质层上剩余的第一导电层和目标导电材料层作为信号互连线，所述信号插塞和所述信号互连线构成所述信号互连结构。

30、可选的，所述形成覆盖第一导电层和信号导电沟槽的目标导电材料层，包括：

31、利用化学沉积工艺形成目标种子层；

32、利用电镀工艺形成目标导电主体层，以目标种子层和目标导电主体层作为目标导电材料层。

33、可选的，所述图形化所述第一导电层和所述子介质层，形成信号导电沟槽之后，所述形成覆盖第一导电层和信号导电沟槽的目标导电材料层之前，还包括：

34、形成中间掩膜层，所述中间掩膜层具有预设图形，所述预设图形覆盖不需保留目标导电材料层的区域，且暴露需保留目标导电材料层的区域；

35、所述图形化所述目标导电材料层和第一导电层，包括：

36、去除中间掩膜层，以实现所述目标导电材料层的图形化；

37、基于图形化后的目标导电材料层，去除暴露的第一导电层，以实现对第一导电层的图形化。

38、可选的，在所述形成中间掩膜层的步骤中，所述预设图形暴露用于形成所述信号互连结构和侧壁连接线的区域；

39、所述图形化所述目标导电材料层和第一导电层的步骤中，以信号导电沟槽中的目标导电材料层作为信号插塞，以子介质层上剩余的第一导电层和目标导电材料层作为信号互连线和侧壁连接线。

40、可选的，在所述图形化所述第一导电层和所述子介质层，形成信号导电沟槽的步骤中，同时形成电源导电沟槽；

41、在所述形成中间掩膜层的步骤中，所述预设图形暴露用于形成信号互连结构、侧壁连接线和电源插塞的区域，其中，用于侧壁连接线的区域和用于形成电源插塞的区域相连；

42、在图形化所述目标导电材料层和第一导电层的步骤中，以信号导电沟槽中的目标导电材料层作为信号插塞、以电源导电沟槽中的目标导电材料层作为电源插塞，以子介质层上剩余的第一导电层和目标导电材料层作为信号互连线和侧壁连接线。

43、可选的，所述基板包括多个器件区，一个器件区对应一封装基板，且相邻器件区间包括间隔区；

44、所述在所述基板侧壁和介质层侧壁形成侧壁导电结构的步骤，包括：

45、在所述间隔区内形成辅助开口，所述辅助开口贯穿所述基板，和，位于所述基板底面和顶面的介质层；其中，以所述间隔区内剩余的连接区域为连接结构；

46、在所述辅助开口内形成侧壁导电结构。

47、可选的，所述在所述辅助开口内形成侧壁导电结构，包括：

48、在基板侧壁和介质层形成一层侧壁种子层；

49、在该侧壁种子层上形成对应的侧壁导电主体层，以该侧壁种子层和侧壁导电主体层作为侧壁导电结构。

50、可选的，所述在所述间隔区内形成辅助开口之后，所述在所述辅助开口内形成侧壁导电结构之前，还包括：

51、对所述辅助开口进行预处理，以暴露所述侧壁连接线。

52、可选的，所述对所述辅助开口进行预处理，包括：

53、清理所述辅助开口，以去除所述辅助开口内的赘物；

54、去除所述辅助开口内的胶质物；

55、对侧壁连接线的粗化处理，以使所述侧壁连接线粗糙化。

56、可选的，所述形成子介质层和位于子介质层上的第一导电层的步骤执行至顶层的子介质的步骤时，

57、所述形成子介质层和第一导电层后，执行所述在所述间隔区内形成辅助开口的步骤，之后，将所述在所述辅助开口内形成侧壁导电结构的步骤，与，所述形成覆盖第一导电层和信号导电沟槽的目标导电材料层的步骤同时执行。

58、发明实施例还提供了一种封装结构，包括本发明实施例提供的封装基板。

59、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

60、本发明实施例提供了一种封装基板及其形成方法、封装结构，所述封装基板包括基板，所述基板包括相对的底面和顶面；位于基板底面和顶面的介质层和位于所述介质层中的信号互连结构；位于所述基板底面的介质层上的第一焊盘和位于所述基板顶面的介质层上的第二焊盘；电连接所述第一焊盘和所述第二焊盘的电源互连结构，其中，电源互连结构包括侧壁导电结构，所述侧壁导电结构位于所述基板和介质层的侧壁。

61、可以看出，本发明实施例中，通过将电连接所述第一焊盘和所述第二焊盘的电源互连结构中的侧壁导电结构设置于基板和介质层的侧壁，从而为介质层内的信号互连结构提供了更多的设置空间，降低了信号互连结构在设计中的设置密度，降低了信号互连结构的设计难度，从而降低了封装基板以及应用该封装基板的封装结构的设计难度。