本发明涉及芯片封装,尤其涉及一种封装体和封装方法。
背景技术:
1、随着全球科技的进步,工业自动化人工智能和机器人技术将会迅速发展,对芯片要求同步会越来越高,从之前的140nm、90nm和45nm到现在高端主流28nm、14nm、12nm、7nm和5nm.其中高主流芯片制程受限于国外设备和技术封锁,国内的发展及应用受到一定的限制,同时由于高端芯片性能的提升,eim,电源,底噪,功耗,信号完整性,高频信号对工程师要求越来高,大大增大了研周期和研发成本及风险。
2、现有的针对单个芯片或多个芯片的封装体其体积通常较大,若将尺寸做小,则封装体结构稳定性和抗干扰性较低,且不便于多个芯片之间的互联互通。
技术实现思路
1、本发明的主要目的在于提供一种封装体和封装方法,旨在减小封装体的体积的同时,保证封装体的稳定性和抗干扰性。
2、为实现上述目的,本发明提出一种封装体,包括:
3、pcb芯片,包括超薄pcb板,所述超薄pcb板具有相对的第一表面与第二表面,所述第一表面形成有封装区,所述封装区堆叠有芯片以及适配所述芯片的外围阻容元件;以及,
4、补强板,其设于所述超薄pcb板的第一表面,所述补强板的中部挖空以形成与所述封装区位置对应的点胶槽;
5、其中,所述超薄pcb板由第一层板、第二层板、第三层板、第四层板和第五层板堆叠形成,所述第一层板和所述第五层板分别形成所述第一表面和所述第二表面,所述第二层板和所述第四层板布设有用于所述芯片信号连接和供电的信号线,所述第三层板的材质为耐燃树脂以构成所述超薄pcb的基层。
6、可选地,所述超薄pcb板的第一表面和第二表面黑色处理。
7、可选地,所述超薄pcb板和所述补强板通过胶水贴合。
8、可选地,所述补强板的材质为耐燃树脂。
9、可选地,所述第二层板和所述第四层板通过金属化过孔信号连接。
10、可选地,所述第二层板和所述第四层板的材质为铜皮。
11、可选地,所述第一层板和所述第五层板的材料为环氧树脂。
12、可选地,所述第一层板和所述第五层板铺设有绿油以分别形成第一阻焊层和第二阻焊层,所述第一阻焊层和所述第二阻焊层设有外露铜点的开窗。
13、可选地,所述超薄pcb板的第二表面设有信号连接所述芯片的接口。
14、本发明还提供一种封装方法,包括如下步骤:
15、根据芯片的功能需求对第一层板、第二层板、第三层板、第四层板和第五层板进行电路布局设计,依次堆叠第五层板、第四层板、第三层板、第二层板和第一层板,形成超薄pcb板;
16、根据芯片的功能需求选择适配的外围阻容元件,并将芯片和外围阻容元件贴片于超薄pcb板上;
17、补强板中部挖空处理以形成点胶槽;
18、通过防腐胶水将补强板粘贴于超薄pcb板上,使芯片和外围阻容元件位于点胶槽内;
19、通过点胶机对点胶槽点胶处理。
20、本发明根据所述芯片的性能需求选定外围阻容元件,并将所述芯片和所述外围阻容元件封装于所述超薄pcb板上,可最大化发挥所述芯片的性能,同时有效降低与芯片相关的电磁干扰噪声,所述超薄pcb板的使用有效节省了空间,使得pcb芯片更加紧凑,通过所述补强板能够保护芯片和外围元件免受物理振动等因素的影响,从而保证了芯片的稳定性和长期可靠性,所述补强板设置有点胶槽能够对芯片和外围元件进行精确的定位和保护,有效防止其受到外部环境的侵害。
1.一种封装体,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述超薄pcb板的第一表面和第二表面黑色处理。
3.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述超薄pcb板和所述补强板通过胶水贴合。
4.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述补强板的材质为耐燃树脂。
5.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述第二层板和所述第四层板通过金属化过孔信号连接。
6.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述第二层板和所述第四层板的材质为铜皮。
7.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述第一层板和所述第五层板的材料为环氧树脂。
8.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述第一层板和所述第五层板铺设有绿油以分别形成第一阻焊层和第二阻焊层,所述第一阻焊层和所述第二阻焊层设有外露铜点的开窗。
9.如权利要求1所述的封装体,其特征在于,所述超薄pcb板的第二表面设有信号连接所述芯片的接口。
10.一种用于如权利要求1-9任一项所述封装体的封装方法,其特征在于,包括如下步骤: