一种半导体二极管成型装置的制作方法

文档序号:35651793发布日期:2023-10-06 11:56阅读:26来源:国知局
一种半导体二极管成型装置的制作方法

本发明涉及半导体制造领域,具体而言,涉及一种半导体二极管成型装置。


背景技术:

1、目前的半导体二极管成型的生产工艺中,半导体二极管的制造需要在洁净的无尘环境下进行,且需要使用高精度的自动化制造设备,在制造的过程中需要严格对温度、湿度和光照严格把控。

2、详见公开号为cn115172239a中的一种半导体二极管成型装置,该装置通过导料板和送料器的设置,在导料板和送料器的配合作用下可以保证对二极管料带的平稳运输,在导料板的进料端设置有引导件,可以防止二极管料带在导料板进料端卡住,确保了半导体二极管在输送过程中的防偏移功能,保障了后续对半导体二极管处理成型的稳定性。

3、在上述提及的方案中,以及现有技术中的半导体二极管的加工步骤中,存有以下几点问题:

4、1、当半导体二极管与二极管料带分离时,大多会被弹射至塑料盒中进行保存,此过程中半导体二极管会由于与塑料盒壁端直接接触而发生一定的损坏风险。

5、2、基于问题1中的碰撞现象,部分工艺部分会在塑料盒壁端铺装一层海绵垫以作为缓冲,但若塑料盒内存有塑料物件,会发生静电现象,从而对部分二极管造成静电损毁现象;此外,即使在温控严格的室内,尤其梅雨季节,海绵垫依旧会吸附空气中的水分,从而导致半导体二极管发生受潮损毁。

6、3、在半导体二极管成型后,部分装置采用多增一条通道进行对半导体二极管的运输收集,装置的整体耗能较高。

7、如何发明一种半导体二极管成型装置来改善这些问题,成为了本领域技术人员亟待解决的问题。


技术实现思路

1、为了弥补以上不足,本发明提供了一种半导体二极管成型装置,旨在改善装置整体耗能高,半导体二极管在出料和收集过程中会出现一定的撞击、受潮和静电损毁的问题。

2、本发明通过以下优化进行实现:

3、本发明提供一种半导体二极管成型装置,包括:

4、成型装置,所述成型装置的内部分别安装有进料限位杆、切料片、出料限位杆、第一隔板和第二隔板,所述成型装置的侧壁设置有电机控制箱,所述电机控制箱的顶端嵌设有送料电机,所述缓冲膜设置于所述第二隔板与第一隔板之间,所述收集盒安装于所述第二隔板远离第一隔板一端的侧壁;

5、驱动转换组件,所述驱动转换组件设置于所述成型装置的侧壁,所述驱动转换组件用于对驱动力进行转化,产生后续工序需要的次级驱动力;

6、推送组件,所述推送组件设置于所述成型装置的内部,所述推送组件用于对所述驱动转换组件产生的次级驱动力进行接收,并配合缓冲膜对成型后的半导体二极管进行出料时的缓冲,出料后的缓送与收集;

7、气冲组件,所述气冲组件设置于所述第二内腔内部,所述气冲组件与推送组件之间进行配合,对缓冲膜端进行往复的气压冲击来带动半导体二极管的缓冲、缓送与收集。

8、优选的,所述电机控制箱与所述送料电机之间进行信号连接,所述进料限位杆、切料片和出料限位杆皆设置于所述缓冲膜的上端,所述缓冲膜的侧壁分别与所述成型装置、第一隔板和第二隔板的侧壁进行固定连接,所述缓冲膜的表层绷紧,所述缓冲膜的密度由第一隔板端到第二隔板段的方向逐渐升高。

9、优选的,所述驱动转换组件包括连接轴、转动轴、啮合轮、限位滑块、带动杆和第一扣环,所述连接轴与所述成型装置的侧壁之间进行转动连接,所述转动轴与所述连接轴靠近电机控制箱的一端进行固定连接,所述转动轴与所述送料电机的输出轴进行固定连接,所述啮合轮安装于所述连接轴的侧壁,所述限位滑块关于所述出料限位杆的中部截面对称设置于成型装置的侧壁,所述带动杆与所述限位滑块之间进行滑动连接,所述第一扣环安装于所述带动杆靠近限位滑块的一端。

10、优选的,所述推送组件包括推板、回复弹簧、牵引杆、牵引绳和第二扣环,所述推板设置于所述第一隔板与第二隔板之间,所述推板与所述第二隔板之间形成第一内腔,所述推板与所述第一隔板之间形成第二内腔,所述回复弹簧固定安装于所述第一隔板与推板之间,所述牵引杆与所述推板靠近第一内腔的一侧进行固定连接,所述牵引杆贯穿所述第二隔板并向第二隔板端进行延伸,所述牵引绳与所述牵引杆的延伸端进行固定连接,所述第二扣环关于所述推板的中部截面对称设置于所述成型装置的内部,所述牵引绳穿过第二扣环与所述第一扣环之间进行固定连接。

11、优选的,所述气冲组件包括气冲管、滑动内腔、推动杆、限位块、出气口和吸气口,所述气冲管固定安装于所述第二内腔的底端,所述滑动内腔开设于所述气冲管的内部,所述推动杆与所述推板之间进行固定连接,所述推动杆与所述滑动内腔之间进行滑动连接,所述限位块设置于所述推动杆远离推板的一侧,多个所述出气口设置于所述气冲管朝向缓冲膜的一端,所述吸气口设置于所述气冲管的侧壁,多个所述出气口关于所述气冲管侧壁进行等距分布,多个所述出气口的孔径由第一隔板端到推板端的方向依次递减。

12、优选的,所述带动杆靠近所述连接轴的一端侧壁采用往复丝杆结构设置,所述带动杆与所述啮合轮之间相啮合,所述带动杆在运动的过程中与限位滑块的侧壁贴合滑动。

13、优选的,所述推板分别与所述成型装置的侧壁之间进行滑动连接,所述推板与所述缓冲膜的底端相贴合,所述牵引杆与所述第二隔板之间进行滑动连接,所述回复弹簧在送料电机未启动时,为拉伸状态。

14、优选的,所述限位块与所述滑动内腔之间进行滑动连接,所述出气口和吸气口皆采用单向阀口结构设置。

15、本发明的有益效果是:

16、1、通过油脂的分子结构特征与缓冲膜的结构设置,伴随半导体二极管成型时所需的动力作用,在快速的往复运动下实现了对半导体二极管出料时的缓冲功能,并对缓冲膜上的半导体二极管进行缓推工序与推送收集。

17、2、伴随着送料电机的带动,通过带动杆与第一扣环对牵引绳的卷束与拖拽的双牵动作用,配合缓冲膜与气冲组件在低耗情况下进一步实现了对半导体二极管出料时的防撞、防潮、防短路和缓送收集的优化功能。



技术特征:

1.一种半导体二极管成型装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种半导体二极管成型装置,其特征在于,所述电机控制箱与所述送料电机之间进行信号连接,所述进料限位杆、切料片和出料限位杆皆设置于所述缓冲膜的上端,所述缓冲膜的侧壁分别与所述成型装置、第一隔板和第二隔板的侧壁进行固定连接,所述缓冲膜的表层绷紧,所述缓冲膜的密度由第一隔板端到第二隔板段的方向逐渐升高。

3.根据权利要求1所述的一种半导体二极管成型装置,其特征在于,所述驱动转换组件包括连接轴、转动轴、啮合轮、限位滑块、带动杆和第一扣环,所述连接轴与所述成型装置的侧壁之间进行转动连接,所述转动轴与所述连接轴靠近电机控制箱的一端进行固定连接,所述转动轴与所述送料电机的输出轴进行固定连接,所述啮合轮安装于所述连接轴的侧壁,所述限位滑块关于所述出料限位杆的中部截面对称设置于成型装置的侧壁,所述带动杆与所述限位滑块之间进行滑动连接,所述第一扣环安装于所述带动杆靠近限位滑块的一端。

4.根据权利要求3所述的一种半导体二极管成型装置,其特征在于,所述推送组件包括推板、回复弹簧、牵引杆、牵引绳和第二扣环,所述推板设置于所述第一隔板与第二隔板之间,所述推板与所述第二隔板之间形成第一内腔,所述推板与所述第一隔板之间形成第二内腔,所述回复弹簧固定安装于所述第一隔板与推板之间,所述牵引杆与所述推板靠近第一内腔的一侧进行固定连接,所述牵引杆贯穿所述第二隔板并向第二隔板端进行延伸,所述牵引绳与所述牵引杆的延伸端进行固定连接,所述第二扣环关于所述推板的中部截面对称设置于所述成型装置的内部,所述牵引绳穿过第二扣环与所述第一扣环之间进行固定连接。

5.根据权利要求4所述的一种半导体二极管成型装置,其特征在于,所述气冲组件包括气冲管、滑动内腔、推动杆、限位块、出气口和吸气口,所述气冲管固定安装于所述第二内腔的底端,所述滑动内腔开设于所述气冲管的内部,所述推动杆与所述推板之间进行固定连接,所述推动杆与所述滑动内腔之间进行滑动连接,所述限位块设置于所述推动杆远离推板的一侧,多个所述出气口设置于所述气冲管朝向缓冲膜的一端,所述吸气口设置于所述气冲管的侧壁,多个所述出气口关于所述气冲管侧壁进行等距分布,多个所述出气口的孔径由第一隔板端到推板端的方向依次递减。

6.根据权利要求3所述的一种半导体二极管成型装置,其特征在于,所述带动杆靠近所述连接轴的一端侧壁采用往复丝杆结构设置,所述带动杆与所述啮合轮之间相啮合,所述带动杆在运动的过程中与限位滑块的侧壁贴合滑动。

7.根据权利要求4所述的一种半导体二极管成型装置,其特征在于,所述推板分别与所述成型装置的侧壁之间进行滑动连接,所述推板与所述缓冲膜的底端相贴合,所述牵引杆与所述第二隔板之间进行滑动连接,所述回复弹簧在送料电机未启动时,为拉伸状态。

8.根据权利要求5所述的一种半导体二极管成型装置,其特征在于,所述限位块与所述滑动内腔之间进行滑动连接,所述出气口和吸气口皆采用单向阀口结构设置。


技术总结
本发明提供了一种半导体二极管成型装置,属于半导体制造技术领域,包括成型装置,所述成型装置的内部分别安装有进料限位杆、切料片、出料限位杆、第一隔板和第二隔板,所述成型装置的侧壁设置有电机控制箱,所述电机控制箱的顶端嵌设有送料电机,所述缓冲膜设置于所述第二隔板与第一隔板之间,所述收集盒安装于所述第二隔板远离第一隔板一端的侧壁;驱动转换组件,所述驱动转换组件设置于所述成型装置的侧壁。该发明伴随着送料电机的带动,通过带动杆与第一扣环对牵引绳的卷束与拖拽的双牵动作用,配合缓冲膜与气冲组件在低耗情况下进一步实现了对半导体二极管出料时的防撞、防潮、防短路和缓送收集的优化功能。

技术研发人员:彭劲松,万翠凤,郭天宇,张巍
受保护的技术使用者:江苏爱矽半导体科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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