一种增加边缘沟道长度的TFT器件制造方法与流程

本发明属于液晶显示面板的tft(阵列基板)的制造，具体是指一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法。

背景技术：

1、现有应用于液晶显示面板中的tft主要由栅极金属层、栅极绝缘层、有源层和源漏极金属层四个部分组成，tft好比一个开关，作用是让特定的信号写入特定的画素电极并且维持信号保持不变。从结构上来看，tft器件可分为esl结构和bce结构，差别在于esl结构多了一层es层，以现有主流的igzo-tft为例，es层的作用是防止源漏极蚀刻对有源层(igzo)的影响，但不可避免，多一道es制程，不仅增加了光罩数量，而且增加了一道阵列系列制程，成膜/曝光/显影/蚀刻/剥膜。为此，通过一系列的制程优化及器件开发，生产上主要还是会选择结构更为紧凑的bce结构，如图1至图3所示。

2、然而，igzo-tft同常规有源层a-si tft、ltps-tft一样，常态下，其tft器件的电性虽然很稳定，但是经过高温正向或负向偏移测试后，其tft器件的i-v曲线极易出现hump(驼峰)效应，不仅影响到面板显示曲内单颗像素的显示驱动，而且损害到goa电路正常级传驱动，使面板无法正常驱动，画面显示异常。

3、hump效应业内通常称为驼峰效应，tft在正常驱动下，源漏极间会形成有效的tft沟道，称为主要tft，而hump效应的存在，表明有源层的边缘也形成等效寄生晶体管结构，称为边缘tft。此时漏极电流可分解为主要tft电流和边缘tft电流：id＝id(main)+id(edge)。通常来说，边缘tft占总体电流比例不高了，可忽略不计，但是一旦形成，已经影响到了tft的正常驱动，出现漏电流现象。

4、如图4所示，tft正常驱动下，当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电场方向由栅极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。当达到强反型时(即达到开启电压时)，源、漏间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱，半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡。源漏极间会形成稳定的载流子沟道，为主要tft。现有的igzo为n型半导体，故其形成沟道载流子以电子为主。而同样边缘tft载流子的存在，边缘tft极易形成边缘tft。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题在于提供一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法，有效避免hump效应。

2、本发明是这样实现的：

3、一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法，包括如下步骤：

4、在玻璃基板上形成多凹槽式的sioxbuffer层；

5、在多凹槽式的sioxbuffer层上采用pvd方式沉积一层第一金属层，即栅极金属层，栅极金属层形成内嵌式设计；

6、在栅极金属层上采用cvd方式沉积一层第一绝缘层，即栅极绝缘层，栅极绝缘层形成内嵌式设计；

7、在栅极金属层上形成有源层，有源层形成内嵌式设计；

8、在有源层上方采用pvd方式沉积一层第二金属层，并进行相应的图案化处理，形成源极和漏极。

9、进一步地，所述栅极金属层，为mo/al/mo。

10、进一步地，所述栅极绝缘层，为siox。

11、进一步地，所述有源层，为igzo。

12、进一步地，所述源极和漏极，为mo/al/mo。

13、本发明的优点在于：本发明在栅极金属层下方多一层多个凹槽式的siox buffer(缓冲)层，栅极金属层和有源层形成内嵌式设计，故本发明的边缘沟道综合长度远大于现有设计，有效避免了tft边缘沟道的形成，避免hump效应。

技术特征：

1.一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法，其特征在于：所述栅极金属层，为mo/al/mo。

3.如权利要求1所述的一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法，其特征在于：所述栅极绝缘层，为siox。

4.如权利要求1所述的一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法，其特征在于：所述有源层，为igzo。

5.如权利要求1所述的一种增加边缘沟道长度的tft器件制造方法，其特征在于：所述源极和漏极，为mo/al/mo。

技术总结
一种增加边缘沟道长度的TFT器件制造方法，包括：在玻璃基板上形成多凹槽式的SiOxbuffer层；在多凹槽式的SiOxbuffer层上采用PVD方式沉积一层第一金属层，即栅极金属层，栅极金属层形成内嵌式设计；在栅极金属层上采用CVD方式沉积一层第一绝缘层，即栅极绝缘层，栅极绝缘层形成内嵌式设计；在栅极金属层上形成有源层，有源层形成内嵌式设计；在有源层上方采用PVD方式沉积一层第二金属层，并进行相应的图案化处理，形成源极和漏极。本发明在栅极金属层下方多一层多个凹槽式的SiOxbuffer(缓冲)层，栅极金属层和有源层形成内嵌式设计，故本发明的边缘沟道综合长度远大于现有设计，有效避免了TFT边缘沟道的形成，避免Hump效应。

技术研发人员：陈伟,陈鑫
受保护的技术使用者：华映科技（集团）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16