封装结构及其制备方法、控制器、制造设备以及介质与流程

文档序号:35561858发布日期:2023-09-24 03:14阅读:30来源:国知局
封装结构及其制备方法、控制器、制造设备以及介质与流程

本发明涉及封装,尤其涉及一种封装结构及其制备方法、控制器、制造设备以及介质。


背景技术:

1、随着芯片向小型化、高性能方向发展,高密度、多芯片封装技术成为重要的解决方案,转接板目前已经成为纳米级集成电路与毫米级宏观基板之间电信号连接最有效的手段之一。转接板通常是指芯片与基板之间的互连和引脚再分布的功能层。

2、现有技术中通常仅采用一整块带硅通孔的硅转接板作为上层晶片和基板之间的连接,通过在转接板内部形成tsv(through silicon vias,穿过硅片通道)来实现垂直贯通,从而实现芯片与芯片间高带宽通信以及芯片与基板间的高密度互连。但一整块带硅通孔的硅工艺转接板的硅中介层制造难度高、应力大、产能及其受限,进而导致成本居高不下。


技术实现思路

1、本发明提供一种封装结构及其制备方法、控制器、制造设备以及介质,以解决现有技术中仅采用tsv封装芯片成本较高的问题。

2、一种封装结构的制备方法,包括:

3、将硅转接板和线路转接板安装在玻璃载体上预设数量的铜柱的间隙内,所有所述铜柱均通过临时键合胶间隔固定在所述玻璃载体上;

4、在所述玻璃载体上,对所述硅转接板、所述线路转接板以及所述铜柱进行第一塑封处理,得到第一转接体,所述第一转接体背离所述玻璃载体的第一端面平齐,且所述铜柱露出在所述第一端面上;

5、对所述第一转接体执行第一加工操作,所述第一加工操作包括:在所述第一端面上的所有所述铜柱上加工第一凸点,以及加工连接在各所述铜柱之间的第一连接线路;

6、将执行第一加工操作之后的所述第一转接体从所述玻璃载体上分离;

7、对所述第一转接体背离所述第一端面的第二端面执行第二加工操作,所述第二加工操作包括:在所述第二端面上的所有所述铜柱上加工第二凸点,以及加工连接在各所述铜柱、所述硅转接板和所述线路转接板之间的第二连接线路;

8、在所述第二端面上安装目标芯片,并对所述第二端面进行第二塑封处理,得到目标转接体;所述目标转接体厚度等于目标厚度;

9、将所述目标转接体通过所述第一端面安装在基板上,得到封装结构。

10、一种封装结构,包括:所述封装结构通过上述的封装结构的制备方法进行制备,所述封装结构包括顺次连接的目标芯片、目标转接体和基板;

11、所述目标转接体包括塑封本体、穿透并固定在所述塑封本体内的铜柱、嵌入在所述塑封本体内且与所述铜柱电连接的硅转接板和线路转接板、布设在所述塑封本体第一面的第一连接线路,以及布设在所述塑封本体与所述第一面相对设置的第二面上的第二连接线路;

12、所述目标转接体还包括突出设置在所述铜柱相对两端的第一凸点和第二凸点;所述铜柱通过第一凸点与所述基板电连接,同时通过所述第二凸点与所述目标芯片电连接;

13、所述硅转接板、所述第一连接线路、第二连接线路、至少部分所述铜柱,以及该部分所述铜柱上的所述第一凸点和所述第二凸点,构成用于对所述目标芯片和所述基板进行高速互联的高速连接模块;

14、所述线路转接板、所述第一连接线路、第二连接线路、至少部分所述铜柱,以及该部分所述铜柱上的所述第一凸点和所述第二凸点,构成用于对所述目标芯片和所述基板进行中低速互联的中低速连接模块。

15、一种控制器,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述的封装结构的制备方法。

16、一种制造设备,所述制造设备包括控制器,所述控制器执行如上述的封装结构的制备方法。

17、一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被控制器执行时实现上述的封装结构的制备方法方法。

18、本发明提供的封装结构及其制备方法、控制器、制造设备以及介质,该方法包括将硅转接板和线路转接板安装在玻璃载体上预设数量的铜柱的间隙内,所有所述铜柱均通过临时键合胶间隔固定在所述玻璃载体上;在所述玻璃载体上,对所述硅转接板、所述线路转接板以及所述铜柱进行第一塑封处理,得到第一转接体;对所述第一转接体执行第一加工操作;将执行第一加工操作之后的所述第一转接体从所述玻璃载体上分离;对所述第一转接体背离所述第一端面的第二端面执行第二加工操作;在所述第二端面上安装目标芯片,并对所述第二端面进行第二塑封处理,得到目标转接体;将所述目标转接体通过所述第一端面安装在基板上,得到封装结构。

19、本发明中,通过将硅转接板和线路转接板塑封在一起,并安装目标芯片,实现了采用硅转接板以及嵌入塑封本体的铜柱实现目标芯片与目标芯片之间的高速互联,同时采用线路转接板以及上述铜柱实现目标芯片与目标芯片之间的中低速互联,如此,本发明中无需仅采用高成本的整块带硅通孔的硅转接板进行tsv封装实现芯片与基板间的高密度互连,而是同时使用线路转接板、硅转接板和铜柱配合使用,同时实现高速互联和中低速互连,如此,在通过线路转接板降低了制作成本的同时,也采用硅转接板提高了性能。



技术特征:

1.一种封装结构的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的封装结构的制备方法,其特征在于,所述在所述玻璃载体上,对所述硅转接板、所述线路转接板以及所述铜柱进行第一塑封处理,得到第一转接体,包括:

3.如权利要求1所述的封装结构的制备方法,其特征在于,所述对所述第二端面进行第二塑封处理,得到目标转接体,包括:

4.如权利要求1所述的封装结构的制备方法,其特征在于,所述将执行第一加工操作之后的所述第一转接体从所述玻璃载体上分离之后,对所述第一转接体背离所述第一端面的第二端面执行第二加工操作之前,还包括:

5.如权利要求1所述的封装结构的制备方法,其特征在于,所述将硅转接板和线路转接板安装在所述玻璃载体上预设数量的铜柱的间隙内之前,包括:

6.如权利要求1所述的封装结构的制备方法,其特征在于,所述目标芯片包括至少一颗晶粒芯片和至少一颗hbm-soc芯片。

7.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构通过如权利要求1至4任一项所述的封装结构的制备方法进行制备,所述封装结构包括顺次连接的目标芯片、目标转接体和基板;

8.一种控制器,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6所述的封装结构的制备方法。

9.一种制造设备,其特征在于,所述制造设备包括控制器,所述控制器执行如权利要求8所述的封装结构的制备方法。

10.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6所述的封装结构的制备方法。


技术总结
本发明公开了一种封装结构及其制作方法、控制器、制造设备以及介质,涉及封装技术领域,该方法包括将硅转接板和线路转接板安装在玻璃载体上铜柱的间隙内;对硅转接板、线路转接板以及铜柱进行第一塑封处理,得到第一转接体;执行第一加工操作;对第二端面执行第二加工操作;在第二端面上安装目标芯片,并进行第二塑封处理,得到目标转接体;将目标转接体通过第一端面安装在基板上,得到封装结构。本发明通过将硅转接板和线路转接板塑封在一起,并安装目标芯片,实现了芯片之间的高速互联部分采用硅转接板连接,以及实现了芯片之间的中低速互联部分采用线路转接板连接,进而采用线路转接板降低了制作成本,采用硅转接板提高了性能。

技术研发人员:胡津津,王利国,刘磊,陈瑞田,张强波
受保护的技术使用者:天芯互联科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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