显示基板、显示装置、及显示基板制备方法与流程

本技术涉及显示，尤其涉及一种显示基板、显示装置、及显示基板制备方法。

背景技术：

1、随着科技的进步，显示技术也在飞速发展，显示装置被点亮后的显示画面的画质的质量，是评估显示装置的品质的指标之一。具体地，可以通过对显示装置进行环境光测试，以评估显示装置的品质。

2、如图1所示，具体的环境光测试方式可以为：当使用环境光l照射输入显示装置的封装层107后，显示装置的金属屏蔽层102可以将大部分光线反射到显示装置的驱动器件的半导体层104。这时，半导体层104会产生大量的光生载流子，使得半导体层104的漏电的电流较大，进而显示装置的rgb像素的亮度均有所衰减。如图2所示，r像素、g像素、b像素的亮度衰减的幅度是不同的。其中，g像素的亮度的衰减幅度大于r像素的亮度的衰减幅度，r像素的亮度的衰减幅度大于b像素的亮度的衰减幅度，从而导致显示装置的显示画面偏粉偏红，导致评估的显示装置的品质低。

技术实现思路

1、本技术提供一种显示基板、显示装置、及显示基板制备方法，用于解决现有技术中在改善显示装置的显示画面偏粉偏红的问题时，造成显示装置的分辨率低，且功耗高的问题。

2、第一方面，本技术提供了一种显示基板，包括：

3、基底层；

4、金属屏蔽层，设置于基底层的一侧；

5、驱动器件，设置于金属屏蔽层远离基底层的一侧，驱动器件包括半导体层和绝缘层，半导体层在基底层上的正投影落入金属屏蔽层在基底层上的正投影内。

6、发光器件，设置于驱动器件远离基底层的一侧，发光器件与驱动器件电连接；

7、绝缘层，设置于半导体层与发光器件之间；

8、绝缘层包括至少一个光学结构，至少一个光学结构在基底层上的正投影，至少与金属屏蔽层在所述基底层、发光器件的阳极的正投影之一无交叠，光学结构包括斜面，斜面与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角。

9、在一种可能的实施方式中，光学结构为包括斜面的沟槽，沟槽内填充有介质。

10、在一种可能的实施方式中，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，沟槽的与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角的一面为斜面，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向基底层。

11、在一种可能的实施方式中，绝缘层的折射率高于或等于沟槽内填充的介质的折射率。

12、在一种可能的实施方式中，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面是三角形，沟槽的与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角的一面为斜面，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离基底层。

13、在一种可能的实施方式中，绝缘层的折射率低于或等于沟槽内填充的介质的折射率。

14、在一种可能的实施方式中，驱动器件还包括源漏极和栅极，栅极位于源漏极与半导体层之间，半导体层位于栅极朝向金属屏蔽层的一侧，源漏极位于栅极远离金属屏蔽层的一侧，绝缘层包括：

15、设置于栅极与源漏极之间，且覆盖栅极的第一栅极隔离层；

16、设置于第一栅极隔离层与源漏极之间，且覆盖第一栅极隔离层的层间介电层；

17、设置于发光器件与源漏极之间，且覆盖源漏极的平坦层；

18、光学结构位于第一栅极隔离层、层间介电层和平坦层中的至少一者。

19、在一种可能的实施方式中，若光学结构位于第一栅极隔离层，则光学结构的介质类型与层间介电层的介质相同；

20、若光学结构位于层间介电层，则光学结构的介质类型与平坦层的介质相同；

21、显示基板，还包括：封装层，封装层设置于发光器件远离层间介电层的一侧，若光学结构位于平坦层，则光学结构的介质类型与封装层的介质相同。

22、在一种可能的实施方式中，平坦层的折射率大于层间介电层的折射率，层间介电层的折射率大于第一栅极隔离层的折射率。

23、在一种可能的实施方式中，光学结构的数量多个，多个光学结构之间依次连接。

24、在一种可能的实施方式中，光学结构在基底层上的正投影，与金属屏蔽层在基底层上的正投影的之间距离小于10um。

25、第二方面，本技术还提供了一种显示装置，包括多个第一方面提供的显示基板，且多个显示基板之间并列设置。

26、在一种可能的实施方式中，每个显示基板为一个像素单元，光学结构处于对应的两个像素单元之间，其中，光学结构对应的两个像素单元为：光学结构所属的像素单元及与所属的像素单元相邻的像素单元。

27、在一种可能的实施方式中，光学结构为沟槽，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面图形包括三角形，沟槽的与绝缘层的延伸方向构成锐角的一面为斜面，沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖朝向基底层，或者沟槽的在显示基板的厚度方向上的截面的其中一个角的角尖背离基底层。

28、在一种可能的实施方式中，多个像素单元包括r像素单元、g像素单元、以及b像素单元，r像素单元与b像素单元间隔设置，r像素单元和b像素单元分别周围间隔设置有多个g像素单元，其中，

29、处于b像素单元与r像素单元之间的沟槽，到b像素单元的距离小于到r像素单元之间的距离；

30、处于b像素单元与g像素单元之间的沟槽，到g像素单元的距离小于到b像素单元之间的距离；

31、处于r像素单元与g像素单元之间的沟槽，到g像素单元的距离小于到r像素单元之间的距离。

32、在一种可能的实施方式中，相邻两个沟槽的几何中心的连线，与r像素单元或b像素单元的对角线连线，在基底层上的正投影重叠。

33、在一种可能的实施方式中，显示装置的分辨率大于400。

34、第三方面，本技术还提供了一种显示基板制备方法，包括：

35、在基底层的一侧形成金属屏蔽层；

36、在金属屏蔽层远离基底层的一侧形成驱动器件，其中，驱动器件包括半导体层、绝缘层，半导体层在基底层上的正投影落入金属屏蔽层在基底层上的正投影内，绝缘层包括至少一个光学结构，光学结构包括斜面，斜面与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角；

37、在驱动器件远离基底层的一侧形成发光器件，至少一个光学结构在基底层上的正投影，至少与金属屏蔽层在所述基底层、发光器件的阳极的正投影之一无交叠。

38、在一种可能的实施方式中，驱动器件还包括源漏极和栅极，绝缘层包括第一栅极隔离层、第二栅极隔离层、层间介电层以及平坦层，在金属屏蔽层远离基底层的一侧形成驱动器件，包括：

39、在所述金属屏蔽层远离所述基底层的一侧，形成半导体层；

40、在所述半导体层远离所述基底层的一侧，形成所述第二栅极隔离层，并对所述第二栅极隔离层打第一金属走线孔；

41、在所述第二栅极隔离层远离所述基底层的一侧，形成所述栅极；

42、在所述栅极远离所述基底层的一侧，形成所述第一栅极隔离层，并对所述第一栅极隔离层打所述第一金属走线孔；

43、在所述第一栅极隔离层远离所述基底层的一侧，形成所述层间介电层，并对所述层间介电层打所述第一金属走线孔；

44、在所述层间介电层远离所述基底层的一侧，形成源漏极，并将所述源漏极刻蚀成走线经所述第一金属走线孔连接至所述半导体层；

45、在所述源漏极远离所述基底层的一侧，形成所述平坦层，并对所述平坦层打第二金属走线孔；

46、在所述平坦层远离所述基底层的一侧，形成所述发光器件，并对发光器件刻蚀走线通过所述第二金属走线孔连接至所述源漏极；

47、其中，在对所述第一栅极隔离层或所述层间介电层打所述第一金属走线孔、或在所述平坦层打所述第二金属走线孔的同时，形成所述光学结构。

48、本技术提供一种显示基板、显示装置、及显示基板制备方法，由于包括至少一个光学结构的绝缘层，设置于半导体层与发光器件之间；且金属屏蔽层位于基底层的一侧，且至少一个光学结构在基底层上的正投影与金属屏蔽层、发光器件在基底层上的正投影无交叠。这样一来，可以使得入射显示装置后的环境光能够照射到光学结构。

49、又由于光学结构包括斜面，斜面与绝缘层的延伸方向构成朝向发光器件的锐角。这样一来，当环境光照射到光学结构的斜面时，相当于减小了环境光的入射角。根据折射原理n1sinθ1＝n2sinθ2可知，如此，在斜面的光入射侧的折射率n1和斜面的光入射侧的折射率n2不变的情况下，若环境光的入射角θ1减小，则环境光的折射角θ2也会减小。可以理解地，由于金属屏蔽层位于基底层的一侧，且至少一个光学结构在基底层上的正投影与金属屏蔽层、发光器件中的至少一个在基底层上的正投影无交叠，当环境光的折射角θ2减小时，环境光也不容易照射到金属屏蔽层上。这样一来，大大减少了反射到半导体层上的光线。这时，半导体层产生的光生载流子小，使得半导体层的漏电的电流也较小。如此，包括有多个显示基板的显示装置的rgb像素的亮度的衰减幅度小，从而避免了具有该显示基板的显示装置出现显示画面偏粉偏红的情况，不会影响显示装置的分辨率，且也不会增大显示装置的电容，则显示装置的功耗也低。