一种背接触电池及其制作方法、电池组件、光伏系统与流程

文档序号:36266052发布日期:2023-12-06 10:19阅读:74来源:国知局
一种背接触电池及其制作方法与流程

本申请属于太阳能电池,尤其涉及一种背接触电池及其制作方法、电池组件、光伏系统。


背景技术:

1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源,其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。两种极性的导电区在背面交错分布的太阳能电池是背接触电池。

2、相关技术中的背接触电池,通常通过高温沉积、高温扩散和复杂的图形化技术形成背面交错分布的两种极性的导电区。然而如此,工艺复杂,成本较高,生产效率较低。

3、基于此,如何制作背接触电池以降低工艺难度,成为了亟待解决的问题。


技术实现思路

1、本申请提供一种背接触电池及其制作方法、电池组件、光伏系统,旨在解决如何制作背接触电池以降低工艺难度的问题。

2、本申请提供的背接触电池的制作方法,包括:

3、提供硅衬底,所述硅衬底包括多个交错分布的第一区域和第二区域;

4、在所述第一区域设置第一浆料;

5、在所述第二区域设置第二浆料;

6、固化所述第一浆料,形成第一掺杂区和第一栅线;

7、固化所述第二浆料,形成第二掺杂区和第二栅线。

8、可选地,固化所述第一浆料,包括:

9、利用第一激光照射所述第一区域的所述第一浆料;

10、采用湿法清洗去除所述第一区域外的所述第一浆料;

11、固化所述第二浆料,包括:

12、利用第二激光照射所述第二区域的所述第二浆料;

13、采用湿法清洗去除所述第二区域外的所述第二浆料。

14、可选地,所述第一浆料为p型浆料,所述第二浆料为n型浆料,所述第一激光的能量密度大于所述第二激光的能量密度;

15、和/或,所述第一浆料为p型浆料,所述第二浆料为n型浆料,所述第一激光的功率大于所述第二激光的功率;

16、和/或,所述第一浆料为p型浆料,所述第二浆料为n型浆料,所述第一激光的扫描速率小于所述第二激光的扫描速率。

17、可选地,采用湿法清洗去除所述第一区域外的所述第一浆料,包括:

18、利用酒精、丙酮、无水乙醇中的至少一种,采用湿法清洗去除所述第一区域外的所述第一浆料;

19、和/或,采用湿法清洗去除所述第二区域外的所述第二浆料,包括:

20、利用酒精、丙酮、无水乙醇中的至少一种,采用湿法清洗去除所述第二区域外的所述第二浆料。

21、可选地,在所述固化所述第一浆料的步骤之后,并在所述固化所述第二浆料的步骤之后,所述背接触电池的制作方法包括:

22、对固化了所述第一浆料和所述第二浆料的所述硅衬底,进行退火。

23、可选地,所述第一浆料包括第一导电组分、第一掺杂组分、第一有机载体和第一玻璃组分,所述第一导电组分的质量百分比为70%-88%,所述第一掺杂组分的质量百分比为0.2%-18%,所述第一有机载体组分的质量百分比为0.2%-18%,所述第一玻璃组分的质量百分比为0.1%-10%;

24、所述第二浆料包括第二导电组分、第二掺杂组分、第二有机载体和第二玻璃组分,所述第二导电组分的质量百分比为70%-88%,所述第二掺杂组分的质量百分比为0.2%-18%,所述第二有机载体组分的质量百分比为0.2%-18%,所述第二玻璃组分的质量百分比为0.1%-10%。

25、可选地,所述第一浆料为p型浆料,所述第二浆料为n型浆料,所述第一玻璃组分的质量百分比小于所述第二玻璃组分的质量百分比。

26、本申请提供的背接触电池,采用上述任一项的背接触电池的制作方法制成。

27、本申请提供的电池组件,包括上述的背接触电池。

28、本申请提供的光伏系统,包括上述的电池组件。

29、本申请实施例的背接触电池及其制作方法、电池组件、光伏系统,通过设置浆料并固化,可以同时形成掺杂区和栅线,工艺较为简单,成本较低,生产效率较高。



技术特征:

1.一种背接触电池的制作方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触电池的制作方法,其特征在于,固化所述第一浆料,包括:

3.根据权利要求2所述的背接触电池的制作方法,其特征在于,所述第一浆料为p型浆料,所述第二浆料为n型浆料,所述第一激光的能量密度大于所述第二激光的能量密度;

4.根据权利要求2所述的背接触电池的制作方法,其特征在于,采用湿法清洗去除所述第一区域外的所述第一浆料,包括:

5.根据权利要求1所述的背接触电池的制作方法,其特征在于,在所述固化所述第一浆料的步骤之后,并在所述固化所述第二浆料的步骤之后,所述背接触电池的制作方法包括:

6.根据权利要求1所述的背接触电池的制作方法,其特征在于,所述第一浆料包括第一导电组分、第一掺杂组分、第一有机载体和第一玻璃组分,所述第一导电组分的质量百分比为70%-88%,所述第一掺杂组分的质量百分比为0.2%-18%,所述第一有机载体组分的质量百分比为0.2%-18%,所述第一玻璃组分的质量百分比为0.1%-10%;

7.根据权利要求6所述的背接触电池的制作方法,其特征在于,所述第一浆料为p型浆料,所述第二浆料为n型浆料,所述第一玻璃组分的质量百分比小于所述第二玻璃组分的质量百分比。

8.一种背接触电池,其特征在于,采用权利要求1至7任一项所述的背接触电池的制作方法制成。

9.一种电池组件,其特征在于,包括权利要求8所述的背接触电池。

10.一种光伏系统,其特征在于,包括权利要求9所述的电池组件。


技术总结
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池及其制作方法、电池组件、光伏系统。背接触电池的制作方法包括:提供硅衬底,硅衬底包括多个交错分布的第一区域和第二区域;在第一区域设置第一浆料;在第二区域设置第二浆料;固化第一浆料,形成第一掺杂区和第一栅线;固化第二浆料,形成第二掺杂区和第二栅线。如此,通过设置浆料并固化,可以同时形成掺杂区和栅线,工艺较为简单,成本较低,生产效率较高。

技术研发人员:林文杰,邱开富,王永谦,陈刚
受保护的技术使用者:珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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