一种TO共晶机的制作方法

本技术涉及芯片共晶技术的领域，尤其是涉及一种to共晶机。

背景技术：

1、激光三极管是一种光电转换晶体管，常应用于先进制造、医疗、航空航天、光纤通信等各种高科技领域的电路控制，包括管座以及共晶于管座顶部的芯片模块，当需组装激光三极管时，需将管座与芯片模块共晶（to技术）。激光三极管中的芯片模块由上至下依次为激光芯片、保护芯片以及热沉芯片（及载体母片），激光芯片是一种可以激光感应物体距离和大小并反馈光信号的一种微型感应元件；热沉芯片（即载体母片）是一种既可传递电流，又可冷却散热以稳定整体工作温度的一种微型散热元件；保护芯片可使激光三极管稳定适配大功率的工作环境。coc技术及cos技术属芯片模块中的共晶加工技术，仅需共晶热沉芯片（即载体母片）及激光芯片。

2、现有手段中的双工位共晶机只能满足于共晶两种芯片：一边上热沉芯片，一边上激光芯片，加保护芯片后，仅能用两台共晶机，第一台完成两种芯片的共晶，而后第二台完成最后第三层芯片的共晶，采用这种模式进行共晶，成本比较高并且共晶效率低。

技术实现思路

1、为了降低成本同时提高共晶效率，本技术提供一种to共晶机。

2、本技术提供的一种to共晶机采用如下的技术方案：

3、一种to共晶机，包括共晶机主体；所述共晶机主体上表面设置有双晶环供料组件以及单晶环供料组件；所述双晶环供料组件与所述单晶环供料组件相对设置；所述双晶环供料组件与所述单晶环供料组件之间设置有共晶加热台，用于对热沉芯片、激光芯片以及保护芯片进行共晶；所述共晶机主体还设置有管座上料组件；所述管座上料组件与所述共晶加热台相对设置。

4、通过采用上述技术方案，将热沉芯片和保护芯片放置于双晶环供料组件，将激光芯片放置于单晶环供料组件，然后双晶环供料组件和单晶环供料组件利用转运过程的时间差将对应的芯片运输至共晶加热台，管座上料组件将管座运输至共晶加热台，将芯片进行共晶，省时省力，提高了共晶效率。

5、优选的，所述双晶环供料组件包括第一滑轨和第二滑轨；所述第一滑轨安装于所述共晶机主体上表面；所述第二滑轨嵌装于所述第一滑轨；所述第一滑轨设置有第一电机，用于控制所述第二滑轨的移动；所述第二滑轨沿所述第一滑轨的长度方向滑移设置；所述第二滑轨上方嵌装有第一滑台；所述第二滑轨设置有第二电机，用于控制所述第一滑台的移动；所述第一滑台沿所述第二滑轨的长度方向滑移设置；所述第一滑台靠近所述共晶加热台的一侧连接有双晶片工作台。

6、通过采用上述技术方案，将热沉芯片和保护芯片放置于双晶片工作台，然后第一电机和第二电机启动，第一电机带动第二滑轨沿第一滑轨的长度方向进行滑移，第二电机带动第一滑台沿第二滑轨的长度方向进行滑移，便于快速调节热沉芯片和保护芯片的位置从而能够快速将热沉芯片和保护芯片转运至共晶加热台，省时省力，提高共晶效率。

7、优选的，所述单晶环供料组件包括第三滑轨和第四滑轨；所述第三滑轨安装于所述共晶机主体上表面；所述第四滑轨嵌装于所述第三滑轨；所述第三滑轨设置有第三电机，用于控制所述第四滑轨的移动；所述第四滑轨沿所述第三滑轨的长度方向滑移设置；所述第四滑轨上方嵌装有第二滑台；所述第四滑轨设置有第四电机，用于控制所述第二滑台的移动；所述第二滑台沿所述第四滑台的长度方向滑移设置；所述第二滑台靠近所述共晶加热台的一侧连接有单晶片工作台。

8、通过采用上述技术方案，将激光芯片放置于单晶片工作台，然后第三电机和第四电机启动，第三电机带动第四滑轨沿第三滑轨的长度方向进行滑移，第四电机带动第二滑台沿第四滑轨的长度方向进行滑移，便于快速调节激光芯片的位置从而能够快速将激光芯片转运至共晶加热台，省时省力，提高共晶效率。

9、优选的，所述共晶机主体上表面设置有支撑架；所述共晶加热台安装于所述支撑架靠近所述管座上料组件的一侧；所述共晶机主体上表面安装有第一角度校正台；所述第一角度校正台设置于所述共晶加热台靠近所述双晶环供料组件的一侧；所述支撑架安装有第一转运焊头和第一转运手；所述第一转运焊头设置于所述双晶环供料组件与所述第一角度校正台之间；所述第一转运手设置于所述第一角度校正台与所述共晶加热台之间；所述第一转运焊头旋转设置；所述第一转运手沿所述支撑架的长度方向滑移设置。

10、通过采用上述技术方案，第一转运焊头能够夹取双晶环供料组件上的热沉芯片或保护芯片，然后第一转运焊头进行旋转，将热沉芯片或保护芯片运送至第一角度校正台，对热沉芯片或保护芯片的角度进行调整，然后第一转运手将热沉芯片或保护芯片运送至共晶加热台，在此过程中，to共晶机能够利用转运的时间差进行热沉芯片和保护芯片的运输，省时省力，提高共晶效率。

11、优选的，所述共晶机主体上表面安装有第二角度校正台；所述第二角度校正台设置于所述共晶加热台靠近所述单晶环供料组件的一侧；所述支撑架安装有第二转运焊头和第二转运手；所述第二转运焊头设置于所述单晶环供料组件与所述第二角度校正台之间；所述第二转运手设置于所述第二角度校正台与所述共晶加热台之间；所述第二转运焊头旋转设置；所述第二转运手沿所述支撑架的长度方向滑移设置。

12、通过采用上述技术方案，第二转运焊头能够夹取单晶环供料组件上的激光芯片，然后第二转运焊头进行旋转，将激光芯片运送至第二角度校正台，对激光芯片的角度进行调整，然后第二转运手将激光芯片运送至共晶加热台，在此过程中，to共晶机能够利用转运的时间差进行热沉芯片、保护芯片以及激光芯片的运输，省时省力，进一步提高共晶效率。

13、优选的，所述支撑架设置有第一共晶镜筒和第二共晶镜筒；所述第一共晶镜筒设置于所述第一转运焊头远离所述第一转运手的一侧；所述第二共晶镜筒设置于所述第二转运焊头远离所述第二转运手的一侧；所述第一共晶镜筒用于识别所述双晶环供料组件的上料位置；所述第二共晶镜筒用于识别所述单晶环供料组件的上料位置。

14、通过采用上述技术方案，设置第一共晶镜筒和第二共晶镜筒，第一共晶镜筒用于识别双晶环供料组件的上料位置，第二共晶镜筒用于识别单晶环供料组件的上料位置，提高to共晶机夹取芯片的精准性和稳定性，减少to共晶机转运过程中出现夹取不到芯片的可能性，进一步提高to共晶机工作的稳定性从而提高共晶效率。

15、优选的，所述支撑架设置有第三共晶镜筒和第四共晶镜筒；所述第三共晶镜筒设置于所述第一角度校正台的上方；所述第四共晶镜筒设置于所述第二角度校正台的上方。

16、通过采用上述技术方案，设置第三共晶镜筒和第四共晶镜筒，第三共晶镜筒用于观察第一转运焊头的下料位置，监控第一角度校正台的角度校准精确度，第四共晶镜筒用于观察第二转运焊头的下料位置，监控第二角度校正台的角度校准精确度提高芯片的角度精准性和稳定性，减少共晶位置不精准的可能性，进一步提高to共晶机工作的稳定性从而提高共晶效率。

17、优选的，所述支撑架设置有第五共晶镜筒；所述第五共晶镜筒设置于所述共晶加热台的上方，用于观察共晶位置。

18、通过采用上述技术方案，设置第五共晶镜筒，并且第五共晶镜筒设置于共晶加热台的上方，便于快速观察共晶位置，减少共晶位置发生偏差的可能性，提高to共晶机正常工作的稳定性从而提高共晶效率。

19、一种共晶方法，包括以下步骤：

20、s01、将热沉芯片和保护芯片放置于所述双晶环供料组件；将激光芯片放置于所述单晶环供料组件；

21、s02、运输保护芯片至所述共晶加热台进行共晶；

22、s03、运输激光芯片至所述共晶加热台进行共晶；

23、s04、运输热沉芯片至所述共晶加热台进行共晶。

24、通过采用上述技术方案，在对热沉芯片、保护芯片以及激光芯片共晶的过程中，利用转运的时间差进行共晶加工，能够有效减少时间的浪费，缩短整个共晶加工的时间，提高共晶效率。

25、一种共晶方法，包括以下步骤：

26、s01、将热沉芯片和保护芯片放置于所述双晶环供料组件；将激光芯片放置于所述单晶环供料组件；

27、s02、运输保护芯片至所述共晶加热台进行共晶；

28、s03、运输热沉芯片至所述共晶加热台进行共晶；

29、s04、运输激光芯片至所述共晶加热台进行共晶。

30、通过采用上述技术方案，在对热沉芯片、保护芯片以及激光芯片共晶的过程中，激光芯片最后进行共晶，从而缩短激光芯片的受热时间，提高激光芯片的保护性。

31、综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：

32、1.将热沉芯片和保护芯片放置于双晶片工作台，然后第一电机和第二电机启动，第一电机带动第二滑轨沿第一滑轨的长度方向进行滑移，第二电机带动第一滑台沿第二滑轨的长度方向进行滑移，便于快速调节热沉芯片和保护芯片的位置从而能够快速将热沉芯片和保护芯片转运至共晶加热台，省时省力，提高共晶效率；

33、2.在对热沉芯片、保护芯片以及激光芯片共晶的过程中，利用转运的时间差进行共晶加工，能够有效减少时间的浪费，缩短整个共晶加工的时间，提高共晶效率；

34、3.在对热沉芯片、保护芯片以及激光芯片共晶的过程中，激光芯片最后进行共晶，从而缩短激光芯片的受热时间，提高激光芯片的保护性。