发光元件及发光装置的制作方法

本发明涉及半导体器件造，特别涉及一种发光元件及发光装置。

背景技术：

1、发光二极管(英文light emitting diode，简称led)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的可靠性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。

2、随着汽车行业智能化的深度发展，对于车用芯片的需求在不断增加。近年来我国车用照明行业中所用的led芯片市场对其质量与可靠性能等方面的要求更为严格。在芯片的正负电极的中心区域处设置有p、n电流的注入区域，该电流注入区域与其周围的焊盘电极(pad)在结构上具有一定的高度差，此高度差使得该区域在焊接过程中发生异常，影响芯片的可靠性，进而降低了封装后芯片的产品品质。

技术实现思路

1、为达本发明中的至少一个优点或其他优点，本发明的一实施例提出一种发光元件，至少包括半导体结构、第一绝缘层、连接电极、第二绝缘层和焊盘电极。半导体结构包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面。连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面。第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面。焊盘电极位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。

2、在一些实施例中，发光元件还可包括透明导电层、反射电极层和电极包覆层，位于半导体结构与第一绝缘层之间，且依序堆叠设置于第二半导体层上。

3、在一些实施例中，焊盘电极包括主体部和围绕所述主体部的边缘部，第二绝缘层具有开口部，第二绝缘层的开口部位于焊盘电极中的边缘部。

4、在一些实施例中，第二绝缘层中的开口部包括第一开口部，第一焊盘电极包括第一主体部和围绕所述第一主体部的第一边缘部，第一开口部位于第一边缘部的下方，部分第一边缘部通过第一开口部与连接电极接触。

5、在一些实施例中，第一焊盘电极中第一主体部与第二绝缘层接触。

6、在一些实施例中，在第一焊盘电极中，第一边缘部的部分表面与第一主体部的表面各自所处的平面具有不同的高度。可以理解为，在第一焊盘电极中，第一主体部的外缘突出于第一边缘部的部分外缘；或者是说第一边缘部的部分表面低于第一主体部的表面。

7、在一些实施例中，第二绝缘层中的开口部包括第二开口部，第二焊盘电极包括第二主体部和围绕所述第二主体部的第二边缘部，第二开口部位于第二边缘部的下方，部分第二边缘部通过第二开口部与电极包覆层接触。

8、在一些实施例中，第二焊盘电极中第二主体部与第二绝缘层接触。

9、在一些实施例中，发光元件还可包括缓冲部。缓冲部位于半导体结构上，与连接电极通过一环状开口电性隔绝，第二焊盘电极在半导体结构上的投影与环状开口在半导体结构上的投影部分重叠。

10、在一些实施例中，第二绝缘层的开口部位于连接电极与缓冲部中环状开口的重叠区域中。

11、在一些实施例中，缓冲部与第一焊盘电极电性隔绝。

12、在一些实施例中，电极包覆层包覆反射电极层，反射电极层在半导体结构上的投影位于电极包覆层在半导体结构上的投影的范围内。

13、在一些实施例中，第一焊盘电极的边缘与半导体结构的边缘(发光区的边缘)之间的间距为5微米至80微米，第二焊盘电极的边缘与半导体结构的边缘之间的间距为5微米至80微米。

14、为达本发明中的至少一个优点或其他优点，本发明的一实施例提出一种发光装置，包括：封装基板，设有第一电极垫和第二电极垫；以及发光元件，装设于封装基板上，包括第一焊盘电极和第二焊盘电极；其中，第一焊盘电极与第二焊盘电极之间的间距小于第一电极垫与第二电极垫之间的间距。

15、本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.一种发光元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：还包括透明导电层、反射电极层和电极包覆层，位于所述半导体结构与所述第一绝缘层之间，且依序堆叠设置于所述第二半导体层上。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述焊盘电极包括主体部和围绕所述主体部的边缘部，所述第二绝缘层具有开口部，所述第二绝缘层的所述开口部位于所述焊盘电极的所述边缘部的下方。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述第二绝缘层的所述开口部包括第一开口部，所述第一焊盘电极包括第一主体部和围绕所述第一主体部的第一边缘部，所述第一开口部位于所述第一边缘部的下方，部分所述第一边缘部通过所述第一开口部与所述连接电极接触。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于：所述第一主体部与所述第二绝缘层接触。

6.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于：所述第一边缘部的部分表面与所述第一主体部的表面各自所处的平面具有不同的高度。

7.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述第二绝缘层的所述开口部包括第二开口部，所述第二焊盘电极包括第二主体部和围绕所述第二主体部的第二边缘部，所述第二开口部位于所述第二边缘部的下方，部分所述第二边缘部通过所述第二开口部与所述电极包覆层接触。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于：所述第二主体部与所述第二绝缘层接触。

9.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：还包括缓冲部，位于所述半导体结构上，与所述连接电极通过一环状开口电性隔绝，所述第二焊盘电极在所述半导体结构上的投影与所述环状开口在所述半导体结构上的投影部分重叠。

10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于：所述第二绝缘层的所述开口部位于所述连接电极与所述缓冲部中所述环状开口中。

11.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于：所述缓冲部与所述第一焊盘电极电性隔绝。

12.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述电极包覆层包覆所述反射电极层，所述反射电极层在所述半导体结构上的投影位于所述电极包覆层在所述半导体结构上的投影的范围内。

13.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述第一焊盘电极的边缘与所述半导体结构的边缘之间的间距为5微米至80微米，所述第二焊盘电极的边缘与所述半导体结构的边缘之间的间距为5微米至80微米。

14.一种发光装置，包括：

技术总结
本发明涉及半导体器件领域，特别是提供一种发光元件及发光装置。发光元件包括：半导体结构，其包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘层位于半导体结构上且覆盖半导体结构的部分表面和侧壁区域，至少裸露出第一半导体层的部分表面；连接电极位于第一绝缘层上，覆盖第一绝缘层中裸露的第一半导体层的部分表面；第二绝缘层位于连接电极上，至少裸露出连接电极的部分表面；以及焊盘电极，位于第二绝缘层上，包括相互分离的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中，第一焊盘电极通过连接电极和第一半导体层电性连接，第二焊盘电极穿过连接电极与第二半导体层电性连接。

技术研发人员：黄秀丽,于艳玲,王月娇,黄少华,蔡吉明,张中英
受保护的技术使用者：泉州三安半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15