一种透明金属网格的半加成制备方法与流程

本发明涉及透明金属网格，具体为一种透明金属网格的半加成制备方法。

背景技术：

1、透明金属网格作为一种非常重要的电子元器件，在触摸屏，电磁屏蔽膜，透明加热膜等领域都有着广泛的应用。在透明金属网格的制备方法中，黄光减法工艺发展较为成熟。然而在黄光减法工艺制程中，极大受限于铜膜原材料的发展。同时，减法工艺会有极大部分铜进入蚀刻废液中，从而导致铜回收成本的增加。因此，发展新型的加法工艺制备透明金属网格具有非常重要的意义。加法工艺制备透明金属网格，最为常见的方法有化学镀，电镀等。对于触摸所用透明金属网格，受限于触摸灵敏度的要求，线路厚度通常在微米级别。化学镀层厚度一般在1微米以下，同时，在触摸所用透明基材上进行化学镀，通常需要对基材进行复杂的前处理，以保证基材和金属层足够的结合力。电镀法不仅在厚度方面能满足触摸所用透明金属网格的要求，在前处理上也相对较为简单。因此，电镀加法工艺在制备透明金属网格上具有显著的优势，在此我们提出了一种半加成法制备透明金属网格的方法。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种透明金属网格的半加成制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种透明金属网格的半加成制备方法，包括有以下步骤：s1：在透明基底上溅镀生成金属导电层；

3、s2：涂覆感光胶；

4、s3：通过曝光，显影步骤，显影出金属网格制备所需凹槽；

5、s4：电镀制备金属网格线路；

6、s5：将残余的感光胶完全剥离；

7、s6：利用微蚀工艺，将线路间隙处的底层金属导电层进行蚀刻，得到透明金属网格。

8、优选的，所述基底为pet、pi、lcp、mpi、sps、cop、ptfe等透明材料中任意一种制成。

9、优选的，所述金属导电层厚度为10-100nm。

10、优选的，所述金属导电层和基底之间的接着力不小于6n/cm。

11、优选的，所述感光胶为纳米银感光胶或者pt钯金感光胶。

12、优选的，所述感光胶厚度为1-10微米。

13、优选的，所述金属网格线路的厚度为1-3微米。

14、优选的，微蚀工艺将金属网格线路间隙处的导电金属层完全去除，线路瘦身在10％以内。

15、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

16、通过在透明基底上预先溅镀导电层，并通过半加成法制备金属网格，实现了透明金属网格制备技术的升级，解决了黄光减法工艺对铜膜材料依赖度高，资源浪费严重等缺陷。本发明提供的透明金属网格的半加成制备方法，过程简单可控、投入低，可以大大提高产品回报率，提高经济效益。

技术特征：

1.一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：所述基底为pet、pi、lcp、mpi、sps、cop、ptfe等透明材料中任意一种制成。

3.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：所述金属导电层厚度为10-100nm。

4.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：所述金属导电层和基底之间的接着力不小于6n/cm。

5.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：所述感光胶为纳米银感光胶或者pt钯金感光胶。

6.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：所述感光胶厚度为1-10微米。

7.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：所述凹槽的宽度为5-15微米。

8.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：所述金属网格线路的厚度为1-3微米。

9.根据权利要求1所述的一种透明金属网格的半加成制备方法，其特征在于：微蚀工艺将金属网格线路间隙处的导电金属层完全去除，线路瘦身在10％以内。

技术总结
本发明涉及透明金属网格技术领域，具体为一种透明金属网格的半加成制备方法，包括有以下步骤：S1：在透明基底上溅镀生成金属导电层；S2：涂覆感光胶；S3：通过曝光，显影步骤，显影出金属网格制备所需凹槽；S4：电镀制备金属网格线路；S5：将残余的感光胶完全剥离；S6：利用微蚀工艺，将线路间隙处的底层金属导电层进行蚀刻，得到透明金属网格。通过在透明基底上预先溅镀导电层，并通过半加成法制备金属网格，实现了透明金属网格制备技术的升级，解决了黄光减法工艺对铜膜材料依赖度高，资源浪费严重等缺陷。本发明提供的透明金属网格的半加成制备方法，过程简单可控、投入低，可以大大提高产品回报率，提高经济效益。

技术研发人员：苏伟,罗智勇
受保护的技术使用者：深圳市志凌伟业技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15