半导体器件的制作方法

本公开的示例实施方式涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、在诸如逻辑电路和存储器的各种半导体器件中，诸如源极和漏极的有源区可以通过接触结构连接到后道工序(beol)的金属布线。

2、为了将beol的至少一部分(例如，电源线)连接到设置在衬底背面上的元件，需要从半导体衬底的背面形成诸如tsv的导电贯通结构的方法。

技术实现思路

1、本公开的示例实施方式旨在提供一种可改善掩埋导电结构和电力传送结构的接触电阻的半导体器件。

2、根据本公开的示例实施方式，一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面，并包括在第一方向上延伸的鳍型有源图案；在鳍型有源图案的侧表面上的隔离绝缘层；栅极结构，在第二方向上延伸并与鳍型有源图案相交；源极/漏极区，在鳍型有源图案上和在栅极结构的侧表面上；层间绝缘层，在隔离绝缘层上、在栅极结构的侧表面上并覆盖源极/漏极区；接触结构，穿透层间绝缘层并电连接到源极/漏极区；掩埋导电结构，电连接到接触结构并在层间绝缘层和隔离绝缘层中；以及电力传送结构，从衬底的第二表面向衬底的第一表面延伸，与所述掩埋导电结构的底表面接触，并电连接到掩埋导电结构。掩埋导电结构包括第一接触插塞、在第一接触插塞的侧表面上并与第一接触插塞的侧表面的底部间隔开的第一导电阻挡物、以及在第一导电阻挡物上的第一绝缘衬垫。电力传送结构包括第二接触插塞、在第二接触插塞的侧表面和第二接触插塞的上表面上并与第一接触插塞的底表面直接接触的第二导电阻挡物、以及在第二导电阻挡物和衬底之间的第二绝缘衬垫。

3、根据本公开的示例实施方式，一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面，在第一方向上延伸，并具有由隔离绝缘层限定的鳍型有源图案；在鳍型有源图案上的源极/漏极区；层间绝缘层，在隔离绝缘层和源极/漏极区上；接触结构，穿透层间绝缘层并电连接到源极/漏极区；第一布线部分，在层间绝缘层上并电连接到接触结构；掩埋导电结构，在层间绝缘层和隔离绝缘层中，电连接到接触结构，并具有穿透衬底并与衬底的第二表面间隔开的底表面；以及第二布线部分，在衬底的第二表面上并具有电连接到掩埋导电结构的底表面的电力传送结构。掩埋导电结构包括第一接触插塞、在第一接触插塞的侧表面上的第一导电阻挡物以及在第一导电阻挡物上的第一绝缘衬垫。电力传送结构包括第二接触插塞和第二导电阻挡物，第二导电阻挡物在第二接触插塞的侧表面和上表面上并与第一接触插塞的底表面直接接触。

4、根据本公开的示例实施方式，一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面，并包括由第一隔离绝缘层限定的有源区；鳍型有源图案，在有源区上在第一方向上延伸并由第二隔离绝缘层限定，第二隔离绝缘层具有相对于衬底比第一隔离绝缘层的深度小的深度；在鳍型有源图案上的源极/漏极区；多个沟道层，在鳍型有源图案上堆叠并彼此间隔开；栅电极，与鳍型有源图案相交，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且在所述多个沟道层上；栅极绝缘层，在所述多个沟道层与栅电极之间；层间绝缘层，在第二隔离绝缘层上以及在栅电极和源极/漏极区上；接触结构，穿透层间绝缘层并电连接到源极/漏极区；掩埋导电结构，电连接到接触结构，掩埋在第一隔离绝缘层和第二隔离绝缘层中，并延伸到衬底中；以及电力传送结构，从衬底的第二表面延伸到衬底中并电连接到掩埋导电结构的底表面。掩埋导电结构包括第一接触插塞、在第一接触插塞的侧表面上的第一导电阻挡物以及在第一导电阻挡物上的第一绝缘衬垫。电力传送结构包括第二接触插塞、在第二接触插塞的侧表面和上表面上并与第一接触插塞的底表面直接接触的第二导电阻挡物、以及在第二导电阻挡物和衬底之间的第二绝缘衬垫。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电阻挡物在与所述第一接触插塞的所述底表面相邻的侧区域中是敞开的。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二导电阻挡物具有沿所述第一接触插塞的所述侧区域的一部分延伸的延伸部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二导电阻挡物的所述延伸部分在所述第一接触插塞的所述侧表面和所述第一绝缘衬垫之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电阻挡物和所述第二导电阻挡物包括不同的导电材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述掩埋导电结构穿过所述隔离绝缘层延伸到所述衬底中，并且所述掩埋导电结构在所述衬底中与所述电力传送结构接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电力传送结构包括贯通通路结构。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电力传送结构包括在所述第一方向上延伸的轨道结构。

14.一种半导体器件，包括：

15.根据权利要求14所述的半导体器件，

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述掩埋导电结构的所述底表面的宽度在所述电力传送结构的上表面的宽度的0.3至1.2倍的范围内。

17.根据权利要求14所述的半导体器件，

18.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第一导电阻挡物和所述第二导电阻挡物中的至少一个包括选自由ta、tan、mn、mnn、wn、ti和tin组成的组的材料。

19.根据权利要求14所述的半导体器件，

20.一种半导体器件，包括：

技术总结
一种半导体器件包括：具有鳍型有源图案的衬底；在鳍型有源图案上的源极/漏极区；在隔离绝缘层上和在源极/漏极区上的层间绝缘层；电连接到源极/漏极区的接触结构；电连接到接触结构并掩埋在层间绝缘层中的掩埋导电结构；以及穿透衬底并与掩埋导电结构的底表面接触的电力传送结构。掩埋导电结构包括第一接触插塞以及在第一接触插塞的侧表面上并与第一接触插塞的底表面间隔开的第一导电阻挡物。电力传送结构包括与第一接触插塞的底表面直接接触的第二接触插塞。

技术研发人员：罗相喆,李敬雨,郭玟灿,金菊喜,金荣佑,李东翼
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25