由多孔半导体材料隔离的半导体装置结构的制作方法

本申请涉及半导体装置制造及集成电路，尤其涉及具有装置隔离的半导体装置结构以及形成具有装置隔离的半导体装置结构的方法。

背景技术：

1、可使用互补金属氧化物半导体(complementary-metal-oxide-semiconductor；cmos)工艺来建造场效应晶体管，这些场效应晶体管用以构建例如射频集成电路中的开关。场效应晶体管通常包括源极，漏极，在该源极与漏极之间提供沟道区的半导体本体，以及与该沟道区重叠的栅极电极。当向该栅极电极施加超过特征阈值电压的控制电压时，在该源极与漏极之间的该沟道区中发生载流子流，从而产生装置输出电流。传统的场效应晶体管可能呈现不希望的高截止电容值，这可能对装置性能有害。

2、需要改进的具有装置隔离的半导体装置结构以及形成具有装置隔离的半导体装置结构的方法。

技术实现思路

1、在本发明的一个实施例中，一种结构包括半导体衬底、位于该半导体衬底上的第一半导体层、位于该第一半导体层中的腔体中的第二半导体层，以及包括位于该第二半导体层中的掺杂区的装置结构。该第一半导体层包括多孔半导体材料，且该第二半导体层包括单晶半导体材料。

2、在一个实施例中，一种方法包括在第一半导体层中形成腔体，在该第一半导体层中的该腔体中形成第二半导体层，以及形成装置结构，该装置结构包括位于该第二半导体层中的掺杂区。该第一半导体层设置于半导体衬底上，该第一半导体层包括多孔半导体材料，且该第二半导体层包括单晶半导体材料。

技术特征：

1.一种结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一装置结构为场效应晶体管，且该第一掺杂区为该场效应晶体管的源极或漏极。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一半导体层邻接该第二半导体层。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一半导体层在多侧上围绕该第二半导体层。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一半导体层的该多孔半导体材料设置于该第二半导体层与该半导体衬底间。

6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该多孔半导体材料为多孔硅，且该第二半导体层的该单晶半导体材料为单晶硅。

7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一半导体层包括沿横向方向与该第一腔体隔开的第二腔体，且还包括：

8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，还包括：

9.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第一半导体层包括沿该横向方向设置于该第二半导体层与该第三半导体层间的该多孔半导体材料的部分。

10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该第一半导体层的该多孔半导体材料设置于该第二半导体层与该半导体衬底间，且该第一半导体层的该多孔半导体材料设置于该第三半导体层与该半导体衬底间。

11.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该第一半导体层的该部分邻接该第二半导体层，且该第一半导体层的该部分邻接该第三半导体层。

12.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第一半导体层的该多孔半导体材料设置于该第二半导体层与该半导体衬底间，且该第一半导体层的该多孔半导体材料设置于该第三半导体层与该半导体衬底间。

13.如权利要求7所述的结构，其特征在于，还包括：

14.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第一半导体层具有第一电阻率，且还包括：

15.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该半导体衬底具有第一电阻率，且该第一半导体层具有大于该半导体衬底的该第一电阻率的第二电阻率。

16.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一半导体层厚于该第二半导体层。

17.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一装置结构包括位于该第二半导体层中的第二掺杂区。

18.如权利要求17所述的结构，其特征在于，该第一装置结构包括栅极电极，该栅极电极与设置于该第一掺杂区与该第二掺杂区间的该第二半导体层的部分重叠。

19.一种方法，其特征在于，包括：

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，在该第一半导体层中的该腔体中形成该第二半导体层包括：

技术总结
本发明涉及由多孔半导体材料隔离的半导体装置结构，提供具有装置隔离的半导体装置结构以及形成具有装置隔离的半导体装置结构的方法。该结构包括半导体衬底、位于该半导体衬底上的第一半导体层、位于该第一半导体层中的腔体中的第二半导体层，以及包括位于该第二半导体层中的掺杂区的装置结构。该第一半导体层包括多孔半导体材料，且该第二半导体层包括单晶半导体材料。

技术研发人员：M·阿布-卡里尔,S·M·尚克,S·麦克塔格特,A·瓦莱特,R·克里什纳萨米,M·莱登-努弗
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12