发光二极管及其制备方法与流程

本申请涉及半导体相关，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术：

1、发光二极管由于可靠性高、寿命长、功耗低的特点，广泛应用于各个领域。为了提高发光二极管的发光效率，常常在半导体堆叠层上形成反射层，反射层与半导体堆叠层之间的粘附性较差，因此，需要在反射层与半导体堆叠层之间增设一层粘附层，以增强反射层在半导体堆叠层上的粘附性。

2、现有发光二极管中的粘附层一般由氧化铟锡制备而成，其具有良好的粘附性，但对半导体堆叠层所发出光的透光率较差，反射率较低，进而会影响整个发光二极管的反射效果，以及发光效率。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种发光二极管，其使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过粘附层连接，能够在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，有效提高粘附层对半导体堆叠层所发出光的透光率和反射率，进而提高发光二极管的发光效率。

2、另一目的还在于提供一种上述发光二极管的制备方法。

3、第一方面，本申请实施例提供了一种发光二极管，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，所述第一绝缘层上设有延伸至所述半导体堆叠层的第一开口；所述反射结构包括：粘附层，其设置于所述第一绝缘层上并填充所述第一开口；非第一开口处的所述粘附层的反射率大于第一开口处的所述粘附层的反射率。

4、在一种可能的实施方案中，非第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积大于第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积。

5、在一种可能的实施方案中，所述粘附层包括第一粘附层和第二粘附层；所述第一粘附层设置在所述第一绝缘层上并填充所述第一开口；所述第二粘附层覆盖所述第一粘附层以及所述第一绝缘层除第一粘附层之外的区域。

6、在一种可能的实施方案中，所述反射结构还包括第一反射层，其设置于所述第二粘附层远离第一粘附层的一侧。

7、在一种可能的实施方案中，所述第一反射层与所述第二粘附层复配后的反射率介于80％～98％。

8、在一种可能的实施方案中，所述反射结构还包括第二反射层，所述第二反射层设置于所述第一粘附层和第二粘附层之间。

9、在一种可能的实施方案中，所述第二反射层与所述第一粘附层复配后的反射率介于60％～95％。

10、在一种可能的实施方案中，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层呈“t”型，并填充所述凹陷区。

11、在一种可能的实施方案中，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层覆盖所述凹陷区的侧壁和底面。

12、在一种可能的实施方案中，所述第二粘附层在垂向上的投影面积与所述第一粘附层在垂向上的投影面积之比为20:1～10:3。

13、在一种可能的实施方案中，所述第一粘附层的材料包括透明导电材料，所述第一粘附层的厚度为

14、在一种可能的实施方案中，所述第二粘附层的材料包括铝，所述第二粘附层的厚度为

15、在一种可能的实施方案中，所述第一反射层和第二反射层的材料均包括银，所述第一反射层和第二反射层的厚度为

16、在一种可能的实施方案中，所述半导体堆叠层与所述第一绝缘层之间包括有电流扩展层，在垂向投影中，所述第一开口位于所述电流扩展层内。

17、在一种可能的实施方案中，第二绝缘层，位于所述反射结构远离第一绝缘层的一侧，并包覆在所述反射结构的外围；属层，位于所述第二绝缘层远离反射结构的一侧，并具有与所述半导体堆叠层电连接的导电柱；基板，位于所述金属层远离第二绝缘层的一侧。

18、在第二方面，本申请实施例提供了一种发光二极管的制备方法，包括：形成半导体堆叠层，并在所述半导体堆叠层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层设有延伸至所述半导体堆叠层的第一开口；在所述第一绝缘层上形成反射结构；所述反射结构的形成方法包括：在所述第一绝缘层上形成粘附层，所述粘附层设置于所述第一绝缘层上并填充所述第一开口；非第一开口处的所述粘附层的反射率大于第一开口处的所述粘附层的反射率。

19、在一种可能的实施方案中，非第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积大于第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积。

20、在一种可能的实施方案中，所述粘附层包括第一粘附层和第二粘附层；在所述第一绝缘层上形成第一粘附层并填充所述第一开口；在所述第一粘附层上形成第二粘附层，使所述第二粘附层覆盖所述第一粘附层以及所述第一绝缘层除第一粘附层之外的区域。

21、与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：

22、本申请通过在半导体堆叠层与第一反射层之间设置第一粘附层和第二粘附层来提高第一反射层在半导体堆叠层上的粘附性，且使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，能够在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，有效提高粘附层对半导体堆叠层所发出光的透光率和反射率，进而提高发光二极管的发光效率。例如，第一粘附层由透明导电材料制成，第二粘附层由铝制成。

23、此外，利用第一粘附层预先填充于第一绝缘层的第一开口内，使得后续形成第二粘附层时，第二粘附层只与非第一开口处的第一绝缘层接触，不会填充于第一开口内并通过第一开口与半导体堆叠层上的电流扩展层接触，可避免第二粘附层因与电流扩展层接触而出现的氧化现象，并提高发光二极管的发光效率。

技术特征：

1.一种发光二极管，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，所述第一绝缘层设有延伸至所述半导体堆叠层的第一开口；其特征在于，所述反射结构包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，非第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积大于第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述粘附层包括第一粘附层和第二粘附层；

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构还包括第一反射层，其设置于所述第二粘附层远离第一粘附层的一侧。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层与所述第二粘附层复配后的反射率介于80％～98％。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构还包括第二反射层，所述第二反射层设置于所述第一粘附层和第二粘附层之间。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第二反射层与所述第一粘附层复配后的反射率介于60％～95％。

8.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层呈“t”型，并填充所述凹陷区。

9.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层覆盖所述凹陷区的侧壁和底面。

10.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层在垂向上的投影面积与所述第一粘附层在垂向上的投影面积之比为20:1～10:3。

11.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层的材料包括透明导电材料，所述第一粘附层的厚度为

12.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层的材料包括铝，所述第二粘附层的厚度为

13.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层的材料均包括银，所述第一反射层和第二反射层的厚度为

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体堆叠层与所述第一绝缘层之间包括有电流扩展层，在垂向投影中，所述第一开口位于所述电流扩展层内。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

16.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

17.根据权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，非第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积大于第一开口处的所述粘附层在垂向上的投影面积。

18.根据权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，

技术总结
本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括顺序排列的第一粘附层、第二粘附层和第一反射层，第一粘附层为图案化结构，且间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；第二粘附层位于图案化的第一粘附层上。本申请中第一粘附层填充第一开口，第二粘附层位于第一粘附层上，可使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，提高了对半导体堆叠层发出光的反射率，以及发光二极管的发光效率。

技术研发人员：蔡琳榕,杨力勋
受保护的技术使用者：厦门市三安光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16