用于半导体装置封装的对开式通孔结构的制作方法

本公开大体上涉及半导体装置封装，且更具体地说，涉及被配置成用于封装半导体装置的对开式通孔结构。

背景技术：

1、例如存储器装置、微处理器和其它电子装置的微电子装置通常包含安装到衬底且围封在保护性覆盖物中的一或多个半导体裸片。半导体裸片包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路、互连电路系统等。为了减少半导体装置所占用的体积，同时增加所得半导体组合件的容量和/或速度，半导体裸片制造商承受着越来越大的压力。为了满足这些需求，半导体裸片制造商经常将多个半导体裸片竖直地上下堆叠在一起，并越来越紧密地包装结合部位和重新布线结构，以增加半导体装置在电路板上或半导体装置和/或组合件安装到的其它元件上的有限面积内的容量和/或性能。随着组件堆叠起来且处理需求增加，半导体装置通常包含具有通过通孔互连的不同迹线路径的一或多个金属化层。不同迹线路径可帮助均衡信号源与目的地之间的有效信号行进路径，进而帮助在半导体装置的组件之间的信号定时和处理中维持必要的奇偶性。

技术实现思路

1、在一个方面中，本公开涉及一种半导体装置组合件，其包括：衬底；第一对开式通孔，其包含第一通孔焊盘和第一通孔，所述第一通孔焊盘安置于所述衬底的表面上并且具有具第一曲率半径的半月形形状的第一覆盖区，所述第一通孔通过所述衬底并且具有第二曲率半径，其中所述第一通孔安置于所述第一覆盖区内；以及第二对开式通孔，其包含第二通孔焊盘和第二通孔，所述第二通孔焊盘安置于所述衬底的所述表面上并且具有具所述第一曲率半径的所述半月形形状的第二覆盖区，所述第二通孔通过所述衬底并且具有所述第二曲率半径，其中所述第二通孔安置于所述第二覆盖区内，其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘完全安置于具有所述第一曲率半径的圆形区内。

2、在另一方面中，本公开涉及一种半导体装置组合件，其包括：衬底；第一对开式通孔，其包含第一通孔焊盘和第一微通孔，所述第一通孔焊盘安置于所述衬底的表面上并且具有具第一曲率半径的半月形形状的第一覆盖区，所述第一微通孔通过所述衬底并且具有具第一直径的圆形横截面形状，其中所述第一微通孔安置于所述第一覆盖区内；以及第二对开式通孔，其包含第二通孔焊盘和第二微通孔，所述第二通孔焊盘安置于所述衬底的所述表面上并且具有具所述第一曲率半径的所述半月形形状的第二覆盖区，所述第二微通孔通过所述衬底并且具有具所述第一直径的所述圆形横截面形状，其中所述第二微通孔安置于所述第二覆盖区内，其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘完全安置于具有所述第一曲率半径的圆形区内。

3、在又一方面中，本公开涉及一种形成半导体组合件的方法，其包括：在衬底上提供第一硬掩模层，所述第一硬掩模层具有开口；穿过所述硬掩模层图案化所述衬底并在所述经图案化衬底中镀覆导电材料以在衬底表面上形成第一通孔焊盘和第二通孔焊盘，其中所述第一通孔焊盘具有具第一曲率半径的半月形形状的第一覆盖区且所述第二通孔焊盘具有具所述第一曲率半径的半月形形状的第二覆盖区，且其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘完全安置于具有所述第一曲率半径的圆形区内；在所述衬底的所述表面上钻第一孔和第二孔，所述第一孔和所述第二孔各自通过所述衬底；以及在所述第一孔和所述第二孔中镀覆导电材料以分别形成具有第二曲率半径的第一通孔和具有所述第二曲率半径的第二通孔，其中所述第一通孔和所述第二通孔分别安置于所述第一覆盖区和所述第二覆盖区内。

技术特征：

1.一种半导体装置组合件，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘各自具有第一弧形边缘和第一弦边缘。

3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其另外包括一对迹线，所述一对迹线包含电耦合到所述第一通孔焊盘的具一迹线宽度的第一迹线和电耦合到所述第二通孔焊盘的具所述迹线宽度的第二迹线。

4.根据权利要求3所述的半导体装置组合件，其中所述第一迹线在所述圆形区的第一边缘位置处耦合到所述第一通孔焊盘，其中所述第二迹线在所述圆形区的第二边缘位置处耦合到所述第二通孔焊盘。

5.根据权利要求4所述的半导体装置组合件，其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘在所述圆形区中是对称的并且隔离开第一间隙，且其中所述一对迹线是差分对，其中所述第一迹线和所述第二迹线平行并且间隔开第二间隙。

6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中所述第一间隙和所述第二间隙具有相同宽度，且其中所述一对迹线各自具有分别与所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘的所述第一弦边缘基本上对准的内边缘。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述一对迹线中的每一个的所述迹线宽度等于沿着垂直于所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘中的每一个的所述弦边缘的轴线的横向宽度。

8.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中所述第一间隙小于所述第二间隙，且所述一对迹线的所述迹线宽度小于沿着垂直于所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘中的每一个的所述弦边缘的轴线的横向宽度。

9.根据权利要求4所述的半导体装置组合件，其中在所述圆形区中，所述第二边缘位置与所述第一边缘位置相对。

10.根据权利要求4所述的半导体装置组合件，其中所述第一迹线和所述第二迹线的迹线边缘分别垂直于所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘的所述第一弦边缘。

11.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述第一通孔和所述第二通孔各自具有小于所述第一弧形边缘的第二弧形边缘和短于所述第一弦边缘的第二弦边缘。

12.根据权利要求11所述的半导体装置组合件，其中所述第一通孔和所述第二通孔的所述第二弦边缘分别与所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘的所述第一弦边缘重叠。

13.一种半导体装置组合件，其包括：

14.根据权利要求13所述的半导体装置组合件，其另外包括一对迹线，所述一对迹线包含在所述圆形区的第一边缘位置处电耦合到所述第一通孔焊盘的具一迹线宽度的第一迹线和在所述圆形区的第二边缘位置处电耦合到所述第二通孔焊盘的具所述迹线宽度的第二迹线，其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘各自具有第一弧形弧边缘和弦边缘。

15.根据权利要求14所述的半导体装置组合件，其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘在所述圆形区中是对称的并且隔离开第一间隙，且其中所述一对迹线是差分对，其中所述第一迹线和所述第二迹线平行并且间隔开第二间隙。

16.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其中所述第一间隙和所述第二间隙具有相同宽度，其中所述一对迹线各自具有分别与所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘的所述第一弦边缘基本上对准的内边缘，且其中所述一对迹线中的每一个的所述迹线宽度等于沿着垂直于所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘中的每一个的所述弦边缘的轴线的横向宽度。

17.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其中所述第一间隙小于所述第二间隙，且所述一对迹线的所述迹线宽度小于沿着垂直于所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘中的每一个的所述弦边缘的轴线的横向宽度。

18.根据权利要求14所述的半导体装置组合件，其中在所述圆形区中，所述第二边缘位置与所述第一边缘位置相对，且其中所述第一迹线和所述第二迹线的迹线边缘分别垂直于所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘的所述第一弦边缘。

19.一种形成半导体组合件的方法，其包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其另外包括：

技术总结
本公开涉及用于半导体装置封装的对开式通孔结构。一种半导体装置组合件包含衬底；第一对开式通孔，其包含第一通孔焊盘和第一通孔，所述第一通孔焊盘安置于所述衬底的表面上并且具有具第一曲率半径的半月形形状的第一覆盖区，所述第一通孔通过所述衬底并且具有第二曲率半径，其中所述第一通孔安置于所述第一覆盖区内；以及第二对开式通孔，其包含第二通孔焊盘和第二通孔，所述第二通孔焊盘安置于所述衬底的所述表面上并且具有具所述第一曲率半径的所述半月形形状的第二覆盖区，所述第二通孔通过所述衬底并且具有所述第二曲率半径，其中所述第二通孔安置于所述第二覆盖区内，其中所述第一通孔焊盘和所述第二通孔焊盘完全安置于具有所述第一曲率半径的圆形区内。

技术研发人员：黄宏远,倪胜锦,陈奕武,潘玲,廖世雄
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4