基片处理装置和基片处理方法与流程

本发明的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术：

1、以往，已知有在基片处理系统中，通过使用含有磷酸水溶液的蚀刻液，选择性地对在基片上形成的硅氮化膜和硅氧化膜中的硅氮化膜进行蚀刻处理的技术(参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特许第4966223号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一种在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量的技术。

3、用于解决技术问题的手段

4、本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部和控制部。基片处理部能够使用含有磷酸水溶液和硅酸化合物的处理液对在表面形成有硅氮化膜(氮化硅膜)和硅氧化膜(氧化硅膜)的1个或多个基片进行蚀刻处理。控制部用于对各部进行控制。另外，所述控制部具有浓度控制部。浓度控制部用于控制所述处理液的磷酸浓度，以使得在从所述蚀刻处理开始到结束的期间，硅氮化膜相对于硅氧化膜的蚀刻选择比在规定的范围内。

5、发明效果

6、采用本发明，在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

9.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

10.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部和控制部。基片处理部能够使用含有磷酸水溶液和硅酸化合物的处理液对在表面形成有硅氮化膜和硅氧化膜的1个或多个基片进行蚀刻处理。控制部用于对各部进行控制。另外，控制部具有浓度控制部。浓度控制部用于控制处理液的磷酸浓度，以使得在从蚀刻处理开始到结束的期间，硅氮化膜相对于硅氧化膜的蚀刻选择比在规定的范围内。

技术研发人员：本田拓巳
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4