一种膜电极片料喷涂封装工艺的制作方法

本发明涉及膜电极片加工的，具体为一种膜电极片料喷涂封装工艺。

背景技术：

1、现有技术加工制作膜电极片时，其工艺为先将质子交换膜裁切成一定大小的片料，再用喷涂设备将催化剂分别喷在质子交换膜两表面成膜，再将热熔胶边框裁切后用裁切好的热熔胶边框进行热熔封装，其工艺封装过程复杂，效率低。

技术实现思路

1、针对上述问题，本发明提供了一种膜电极片料喷涂封装工艺，其先进行质子交换膜封装，再喷涂催化剂层，其封装过程简单、效率高。

2、一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：其在裁切下的特定尺寸的质子交换膜的上下表面分别通过边框进行封装，同时在边框的外露表面上预留保护膜，之后将封装好的质子交换膜喷涂催化剂成膜，之后揭除边框外露表面的预留保护膜，最后封装气体扩散层。

3、其进一步特征在于：

4、将裁切质子交换膜、上边框和下边框封装集成在一条产线上进行操作，其提高了封装效率；

5、质子交换膜上下表面的催化层通过喷涂设备喷涂获得；

6、所述上边框和下边框的材质具体为pen压敏胶边框；

7、将第一组边框卷料布置于产线前端、并通过a刀冲切形成下边框所对应的边框形状，将质子交换膜卷料设置于产线中段、并通过b刀冲切成设定形状后输送，将第二组边框卷料布置于产线中后段、并通过c刀冲切形成上边框所对应的边框形状，在产线中段将质子交换膜的底部复合下边框，在产线中后段将上边框复合于质子交换膜的上表面，最后在产线的后段切片；

8、所述上边框和下边框为形同形状边框；

9、进行下边框冲切后，将下边框的上膜和下模以及废料排废、仅保留对应上边框形状的下膜；

10、进行上边框冲切后，将上边框的上膜和下模以及废料排废、仅保留对应上边框形状的上膜。

11、采用本发明后，相比于传统工艺，此工艺先封质子交换膜，再喷涂催化层，打破了膜电极的封装顺序，更加简单，封装效率更高；此工艺使用压敏胶边框，节省了传统热熔胶边框热熔固化时间，和热压设备成本。

技术特征：

1.一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：其在裁切下的特定尺寸的质子交换膜的上下表面分别通过边框进行封装，同时在边框的外露表面上预留保护膜，之后将封装好的质子交换膜喷涂催化剂成膜，之后揭除边框外露表面的预留保护膜，最后封装气体扩散层。

2.如权利要求1所述的一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：将裁切质子交换膜、上边框和下边框封装集成在一条产线上进行操作。

3.如权利要求2所述的一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：质子交换膜上下表面的催化层通过喷涂设备喷涂获得。

4.如权利要求3所述的一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：所述上边框和下边框的材质具体为pen压敏胶边框。

5.如权利要求4所述的一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：将第一组边框卷料布置于产线前端、并通过a刀冲切形成下边框所对应的边框形状，将质子交换膜卷料设置于产线中段、并通过b刀冲切成设定形状后输送，将第二组边框卷料布置于产线中后段、并通过c刀冲切形成上边框所对应的边框形状，在产线中段将质子交换膜的底部复合下边框，在产线中后段将上边框复合于质子交换膜的上表面，最后在产线的后段切片。

6.如权利要求5所述的一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：所述上边框和下边框为形同形状边框。

7.如权利要求6所述的一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：进行下边框冲切后，将下边框的上膜和下模以及废料排废、仅保留对应上边框形状的下膜。

8.如权利要求7所述的一种膜电极片料喷涂封装工艺，其特征在于：进行上边框冲切后，将上边框的上膜和下模以及废料排废、仅保留对应上边框形状的上膜。

技术总结
本发明提供了一种膜电极片料喷涂封装工艺，其先进行质子交换膜封装，再喷涂催化剂层，其封装过程简单、效率高。其在裁切下的特定尺寸的质子交换膜的上下表面分别通过边框进行封装，同时在边框的外露表面上预留保护膜，之后将封装好的质子交换膜喷涂催化剂成膜，之后揭除边框外露表面的预留保护膜，最后封装气体扩散层。

技术研发人员：庞从武,梁宽,王春生
受保护的技术使用者：苏州安洁科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16