面板蚀刻制程设备的制作方法

本发明涉及半导体封装结构蚀刻制程，具体为面板蚀刻制程设备。

背景技术：

1、有鉴于台积电、三星、及英特尔提出之半导体先进封装结构，其不同功能之ic晶片以3d方式堆叠来增加整体功能，而ic间之连接以导线及tsv 连接，其制程流程为种子pvd—上光祖—瀑光—显影—电镀—去光组—蚀刻 流程来实现， 而蚀刻制程乃是将经过微影制程在表面定义出ic电路图案的晶圆， 以化学腐蚀反应的方式，或物理撞击的方式，或上述两种方式的合成效果，去除部份材质，留下ic电路结构。 蚀刻技术主要分成两大类：湿式蚀刻法与干式蚀刻法。干式蚀刻一般是利用承载产品的载台施与-vbias (偏差电压) 来吸引带电离子撞击产品表面或施与相对应的气体腐蚀蚀刻，如今面板产业ledmini-led甚至进展到micro-led，所需半导体制程愈发重要。

2、现有的面板蚀刻制程设备主要存在如下技术缺陷：现有的蚀刻制程，仅以腔体下方产品载台施与偏差电压来吸引蚀刻离子。于腔体上方通过装置来施以推力，无法将蚀刻腔体内之电浆能量场中的离子稳定朝向产品进行蚀刻制程，使得蚀刻离子会四周发散，无法集中，面板边缘蚀刻较多，面板蚀刻呈拱形，进而造成蚀刻不均匀，蚀刻效果不佳的问题，因此有必要对现有面板蚀刻制程设备的不足和缺陷进行改进。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供面板蚀刻制程设备，以解决背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：面板蚀刻制程设备，包括电机，所述电机的上侧传动连接有旋转磁场机构，所述旋转磁场机构的内侧固定安装有连接组件，所述连接组件的上侧固定连接有干蚀刻腔体，所述干蚀刻腔体上设置有射频线圈，所述连接组件的内部设置有控制组件；

3、所述旋转磁场机构包括转动轴、带轮、皮带、磁力支架和磁石，所述电机的上侧传动连接有转动轴，所述转动轴的上侧固定连接有带轮，所述带轮的外侧传动连接有皮带，所述皮带的另一端内侧传动连接有磁力支架，所述磁力支架的内侧固定连接有磁石，所述磁石关于磁力支架对称设置。

4、磁力支架与磁石提供磁性以顺时针或逆时针旋转搭配腔体内为带正电或带负电而有不同的转向，将腔体内反应离子向中间集中或往边缘发散，已达成优化制成之目的。

5、进一步的，所述连接组件包括滚珠轴承和金属座，所述磁力支架的下部内侧固定连接有滚珠轴承，所述滚珠轴承的轴向内侧固定连接有金属座。

6、进一步的，所述干蚀刻腔体包括密封圆环盖、钟罩、橡胶密封圈和喷头组件，所述金属座的上侧设置有钟罩，所述钟罩的轴向外侧设置有密封圆环盖，所述密封圆环盖与金属座为固定连接，所述钟罩上开设有环形槽，所述环形槽开设有两个，所述环形槽内部设置有橡胶密封圈，所述钟罩的上部设置有喷头组件。

7、橡胶密封圈与密封圆环盖构成密封结构，防止气流通入钟罩泄露；

8、驱动电机,电机带动转动轴进行转动，转动轴在转动的同时带动与其固定连接的带轮进行同步转动，然后带轮通过外侧皮带的传动作用带动磁力支架进行转动，使得磁力支架带动与其固定连接的磁石进行同步转动，然后磁石在转动的同时，长条式的电浆体跟随其进行圆周转动，进而形成圆柱状的电浆体，使电浆之电场因磁场影响后朝向被蚀刻产品表面，实现了蚀刻离子集中朝向蚀刻产品表面，达到了蚀刻均匀的效果；使得对产品进行均匀蚀刻。

9、钟罩为一个中空腔体，因中子或氟离子撞击并不一定完全朝向产品故以陶瓷或石英代替金属腔体。

10、进一步的，所述喷头组件的结构包括气体喷洒头、封块、金属盖、气管和上盖，所述钟罩的内侧设置有气体喷洒头，所述气体喷洒头的上侧设置有封块，所述封块的外侧设置有金属盖，所述金属盖与钟罩为固定连接，所述金属盖中心处贯穿有气管，所述气管贯穿封块与气体喷洒头相连通，所述钟罩上部外侧固定连接有上盖。

11、气体喷洒头为一陶瓷或石英之中空半椭圆杯状物；

12、由于磁石转动，进而产生旋转式磁场，使得钟罩内部的电浆受安培右手定律影响，使电浆之电场因磁场影响后朝向被蚀刻产品表面，实现了蚀刻离子集中朝向蚀刻产品表面，达到了蚀刻均匀的效果。

13、进一步的，所述射频线圈套接在钟罩的轴向外侧，所述射频线圈贯穿上盖的顶侧壁，且伸出到上盖的外侧。

14、进一步的，所述控制组件包括静电吸盘、导电棒和连通管，所述金属座的内部设置有静电吸盘，所述静电吸盘的下侧固定连接有导电棒，所述静电吸盘与钟罩相对应，所述导电棒贯穿金属座的底侧壁且伸出到金属座的外侧，所述金属座的底侧壁连通有连通管。

15、将待蚀刻的面板产品置于静电吸盘之上，将静电吸盘与待蚀刻的面板产品一同送入到金属座内部，随后对导电棒施与偏差电压，使得电场集中在导电棒与产品的接触面，进而形成强劲吸附力，将产品吸附固定在导电棒之上；然后外置设备对气管通入气流，气流由气体喷洒头的通孔，均匀通入到钟罩的内部。

16、所述气体喷洒头对钟罩内均匀喷入气体的同时，通过外置的电枪，使钟罩内部的气流变成电子束，进而产生电浆，电浆为带电离子；

17、对导电棒施与偏差电压的同时，吸引带电离子撞击产品表面，进行蚀刻，此为物理蚀刻，同时可以根据所蚀刻的产品，来选择通入的气体，需要蚀刻氧化硅，则采用带氟的气体，蚀刻铜或钛，则采用氩气，通过气体与所蚀刻的铲平发生化学反应，此为化学蚀刻。

18、射频线圈通入电流，所述磁石所产生的磁场，对钟罩内部的电浆向内推动，进而形成长条状的电浆体；

19、进一步的，所述气体喷洒头的内部为中空，所述气体喷洒头的底部开设有分布均匀的通孔，所述钟罩为一个中空的半椭圆形罩，所述钟罩内部真空，为蚀刻制程反应的腔体。

20、进一步的，所述连通管的另一端与外部抽真空设备固定相连。

21、由于连通管的另一端连接有外置抽真空设备，进而使得钟罩、金属座内部为真空环境。

22、进一步的，施用的产品类型不局限于圆形(晶圆)与方形(面板)，可根据客户需求变化；

23、本专利中的所需要支撑部件，为现有技术，因此本专利没有过多叙述。

24、与现有技术相比，本发明提供了面板蚀刻制程设备，具备以下有益效果：

25、1、该蚀刻制程设备，通过旋转磁场机构和干蚀刻腔体之间的配合作用，使腔体的的电浆受安培右手定律影响，使电浆之电场因磁场影响后朝向被蚀刻产品表面，实现了蚀刻离子集中朝向蚀刻产品表面的目的，达到了蚀刻均匀的效果，解决了现有设备无法将蚀刻腔体内之电浆能量场中的离子稳定朝向产品进行蚀刻制程，使得蚀刻离子会四周发散，无法集中，面板边缘蚀刻较多，面板蚀刻呈拱形，进而造成蚀刻不均匀，蚀刻效果不佳的问题。

26、2、该蚀刻制程设备，通过简单的、旋转磁场机构的设置，实现了在制程腔体可以磁力旋转方式产生电场影响的目的，实为蚀刻制程之跳跃性设计，具有提高蚀刻质量，设备制造成本低下的优点。

27、3、该蚀刻制程设备，通过静电吸盘和导电棒之间的配合作用，在对导电棒施与偏差电压，使得电场集中在导电棒与产品的接触面，进而形成强劲吸附力，将产品吸附固定在导电棒之上，进而实现了快速固定产品的目的，同时静电吸盘吸引带电离子，撞击产品，达到蚀刻目的