本公开涉及晶片检测,尤其涉及一种小面检测方法、设备及装置。
背景技术:
1、晶片是通过对晶锭的切片而形成的,但在传统的线切割方式下,损失的晶锭量较多,存在资源严重浪费的问题。市场上的切割方式趋向于采用激光切割的方式,然而单晶在生长过程中因为杂质掺杂浓度的不一致,会形成电阻率、折射率不同的小面区域和非小面区域,导致高透过率的激光束在小面和非小面区域的会聚在不同的深度位置,因此切割时会出现粗糙度过大产生浪费的问题。因此,小面位置的准确检测在晶片的激光剥离中显得尤为重要。
技术实现思路
1、本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
2、本公开第一方面提出了一种小面检测方法,包括:
3、通过激光束照射晶锭的第一表面,以使所述晶锭产生剥离层;
4、基于超声波振动组件对形成所述晶锭施加超声波,以获取与所述剥离层对应的晶片;
5、基于特定波长的光源,向所述晶片发射检测光束,并记录所述晶片接收点的光源出射强度;
6、比较所述晶片的透射强度和所述光源出射强度,以得到所述晶片的透射率;
7、基于预设的透过率阈值和所述晶片的透过率,定位所述晶片中的小面区域,并确定所述小面区域对应的位置信息;
8、以所述小面区域对应的位置信息为指导信息,更新所述晶片相邻的下一片晶片的激光处理条件,并基于所述激光处理条件对所述下一片晶片进行剥离,其中,所述激光处理条件至少包含有激光聚焦位置和激光功率。
9、本公开第二方面提出了一种小面检测设备,包括转移调节机构、晶锭载台、小面检测工作台和控制装置,其中,所述控制装置用于对所述转移调节机构进行运动控制和数据存储;
10、所述转移调节机构用于对剥离减薄后晶片进行夹持和小面检测和二维调节扫描;
11、所述小面检测工作台用于对所述晶锭进行激光束照射,并进行超声波的振动分离。
12、本公开第三方面提出了一种小面检测装置,包括:
13、照射模块,用于通过激光束照射晶锭的第一表面,以使所述晶锭产生剥离层;
14、获取模块,用于基于超声波振动组件对形成所述晶锭施加超声波,以获取与所述剥离层对应的晶片;
15、检测模块,用于基于特定波长的光源,向所述晶片发射检测光束,并记录所述晶片接收点的光源出射强度;
16、比较模块,用于比较所述晶片的透射强度和所述光源出射强度,以得到所述晶片的透射率;
17、确定模块,用于基于预设的透过率阈值和所述晶片的透过率,定位所述晶片中的小面区域,并确定所述小面区域对应的位置信息;
18、更新模块,用于以所述小面区域对应的位置信息为指导信息,更新所述晶片相邻的下一片晶片的激光处理条件,并基于所述激光处理条件对所述下一片晶片进行剥离,其中,所述激光处理条件至少包含有激光聚焦位置和激光功率。
19、本公开提供的小面检测方法、设备及装置,存在如下有益效果:
20、采用对激光剥离后的晶片进行小面检测,不需要将晶锭在检测工位和加工工位之间进行切换,相比荧光检测装置,晶片的生产效率更高。检测工位光机结构简单,且对入射光源要求低,降低了整台设备的成本。使用晶片光强透过率作为区别小面和非小面区域的量化指标,不仅可以通过阈值设定的方式将小面和非小面区域区分,而且可以通过采样的量化值,得到整个晶片的光学特性,实现不同掺杂浓度下小面区域的区分,更好的指导后续的激光剥离工序。通过将晶锭中剥离的晶片进行小面检测,在晶片生成结束后,将不同纵轴坐标位置对应的小面数据进行三维重构,得到晶锭中掺杂浓度不同的三维小面数据,能够对晶锭的结晶生长工艺进行反馈,通过比较不同晶锭间的三维小面数据,也能对激光剥离机中的激光加工配方提供指导。
21、本公开附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本公开的实践了解到。
1.一种小面检测方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基于所述激光处理条件对所述下一片晶片进行剥离之后,包括:
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基于超声波振动组件对形成所述晶锭施加超声波,以获取与所述剥离层对应的晶片之后,还包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于预设的透过率阈值和所述晶片的透过率,确定所述晶片中的小面区域和非小面区域,包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述基于预设的透过率阈值和所述晶片的透过率,确定所述晶片中的小面区域和非小面区域之后,还包括:
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于特定波长的光源,向所述晶片发射激光束之后,包括:
7.一种小面检测设备,其特征在于,包括转移调节机构、晶锭载台、小面检测工作台和控制装置,其中,所述控制装置用于对所述转移调节机构进行运动控制和数据存储;
8.一种小面检测装置,其特征在于,包括:
9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述获取模块,还用于:
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述检测模块与转移调节机构配合对所述晶片进行二维扫描,以获取整个所述晶片的透射强度和所述晶片接收点的光源出射强度,其中,所述二维调节扫描包括使用平面直角坐标系下的光栅式扫描和使用极坐标系下的螺旋式扫描。