半导体芯片和生产包括该半导体芯片的半导体封装的方法与流程

本发明构思涉及半导体芯片，并且更具体地，涉及包括可选的划切(dicing)线的半导体芯片，以及用于生产包括该半导体芯片的半导体封装的方法。

背景技术：

1、由于工艺小型化和/或晶圆价格增加，半导体芯片的生产成本不断增加。尽管提高半导体芯片性能的晶体管的集成度增加，但是工艺小型化的速率降低，并且半导体芯片的尺寸相对增加。随着半导体芯片面积的增加，半导体芯片的工艺成品率降低，这可能使得保持或提高半导体芯片的工艺成品率变得越来越困难。

技术实现思路

1、本发明构思提供了对半导体芯片的生产成本的降低以及对半导体芯片的成品率的提高。

2、附加方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中清晰，或者可以通过对所呈现的示例实施例的实践了解。

3、根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体芯片，包括包含有源层的前端制程(feol)，包括包含导线(wire)的多个金属层的后端制程(beol)，可选的划切线，沿着该划切线可选地执行划切，以及隔离块，被配置为当导线通过沿着可选的划切线被划切而不连续时，处理不连续导线的信号，其中，半导体芯片包括芯片裸晶(die)，在该芯片裸晶上，有源层不是在通过沿着可选的划切线切割而获得的横截面周围形成的。

4、根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体芯片，包括有源层，包括导线的半导体布线层，可选的划切线，沿着该划切线可选地执行划切；以及隔离块，被配置为当导线通过沿着可选的划切线被划切而不连续时，处理不连续导线的信号，其中，半导体芯片包括芯片裸晶，在该芯片裸晶上，有源层不是在可选的划切线的横截面周围形成的。

5、根据本发明构思的另一方面，提供了一种生产半导体封装的方法，该方法包括通过测试包括可选的划切线的裸晶来识别第一已知良好裸晶(kgd)，沿着该可选的划切线可选地执行划切，选择测试的裸晶中的至少一些进行划切，通过沿着可选的划切线划切选择的裸晶来生产分离的裸晶，通过测试分离的裸晶来识别第二kgd，以及封装第二kgd或第一kgd中的至少一些中的每一个。

技术特征：

1.一种半导体芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述芯片裸晶包括cpu核、gpu核、npu核和存储器块中的一个或多个。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，位于可选的划切线的横截面周围的多个金属层的数量等于或小于除了可选的划切线的横截面周围的区域之外的位置的多个金属层的数量。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中，作为可选的划切线的横截面周围的多个金属层当中的一层的信号层包括导线。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述导线的至少一部分暴露在可选的划切线的横截面上。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，还包括被配置为围绕芯片裸晶的模塑构件，

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，通过沿着可选的划切线划切获得的每个半导体芯片被配置为用作单个芯片组，并且没有沿着可选的划切线划切的每个半导体芯片被配置为用作单个芯片组。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，

9.一种半导体芯片，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述隔离块包括一次性可编程otp存储器，当沿着可选的划切线划切芯片裸晶时，一次性可编程存储器激活隔离块。

11.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，可选的划切线的横截面周围的半导体布线层的数量等于或小于位于除了可选的划切线的横截面周围的区域之外的位置的半导体布线层的数量。

12.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述隔离块通过外部引脚或外部存储器来激活。

13.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述隔离块被配置为执行防止不连续导线的电信号浮动、短路和泄漏的功能。

14.一种生产半导体封装的方法，该方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在分离的裸晶的生产中，处理通过沿着可选的划切线进行划切而获得的分离的裸晶的横截面上暴露的导线的信号的隔离块被激活。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，选择以用于划切包括仅选择不对应于第一kgd的第一已知坏裸晶kbd。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，选择以用于划切包括选择裸晶，而不管裸晶是否是第一kgd。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，通过划切生产分离的裸晶包括将选择的裸晶放置在载体晶圆上，并且沿着可选的划切线划切选择的裸晶。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，

20.根据权利要求14所述的方法，其中，

技术总结
提供了一种半导体芯片和制造包括该半导体芯片的半导体封装的方法。该半导体芯片包括包含有源层的前端制程(FEOL)，包括包含导线的多个金属层的后端制程(BEOL)，可选的划切线，沿着该可选的划切线可选地执行划切，以及隔离块，被配置为当导线通过沿着可选的划切线被划切而不连续时处理不连续导线的信号；以及芯片裸晶，在该芯片裸晶上不在通过可选的划切线切割的横截面周围形成有源层。因此，可以提高半导体芯片的生产成品率，并且可以降低其生产成本。

技术研发人员：李景洙,许峻豪
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21