本公开总体上涉及电子装置,并且更具体地涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。
背景技术:
1、现有半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法存在不足之处,造成例如成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装体尺寸太大。对于本领域的技术人员来说,通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参考附图,这种方法的另外的局限性和缺点将变得明显。
技术实现思路
1、除了其它特征之外,本说明书包含涉及具有嵌入式模块和热传递或冷却结构的电子装置的结构和相关方法。在一些实例中,电子装置包含嵌入式模块,所述嵌入式模块具有附接到模块衬底的模块组件。在一些实例中,模块衬底耦接到装置端子,并且传导衬底耦接到嵌入式模块的相对侧。在一些实例中,装置端子可以包括引线框架。在一些实例中,传导衬底可以是导热的。在一些实例中,传导衬底可以是导热和导电的。
2、在一些实例中,嵌入式模块可以包含位于模块组件(如功率半导体组件)的相对侧上的一对模块衬底。在一些实例中,所述一对模块衬底可以电耦接在一起。在一些实例中,信号传输结构可以附接到嵌入式模块。在其它实例中,信号传输结构可以附接到一个或两个传导衬底。在一些实例中,电子装置被包封在封装体内,其中一个或多个特征从封装体的部分暴露。除其它外,本说明书的结构和方法避免了使用隔离物结构,这在过去已经引起了堆叠公差问题。此类堆叠公差问题已经导致封装非平面性和组件破裂问题。
3、在一实例中,一种电子装置包含第一嵌入式模块,所述第一嵌入式模块包含第一模块衬底和耦接到所述第一模块衬底的第一模块组件。第一装置衬底耦接到所述第一模块衬底。装置端子耦接到所述第一模块组件,并且装置包封剂结构包封所述第一嵌入式模块、所述第一装置衬底和所述装置端子。所述第一装置衬底的一部分从所述装置包封剂结构暴露,并且所述装置端子的部分从所述装置包封剂结构暴露。
4、在一实例中,一种电子装置包含第一嵌入式模块,所述第一嵌入式模块包含包括第一传导结构的第一模块衬底、包括第二传导结构的第二模块衬底以及插置在所述第一模块衬底与所述第二模块衬底之间的第一模块组件。所述第一模块组件包含耦接到所述第一传导结构的第一组件端子和耦接到所述第二传导结构的第二组件端子。第一装置衬底耦接到所述第一模块衬底并且包含第一向外传导层。第二装置衬底耦接到所述第二模块衬底并且包含第二向外传导层。装置端子耦接到所述第一模块组件,并且装置包封剂结构包封所述第一嵌入式模块、所述第一装置衬底、所述第二装置衬底和所述装置端子。所述装置端子、所述第一向外传导层和所述第二向外传导层从所述装置包封剂结构暴露。
5、在一实例中,一种制造电子装置的方法包含提供第一嵌入式模块,所述第一嵌入式模块包含包括第一传导结构的第一模块衬底、包括第二传导结构的第二模块衬底以及插置在所述第一模块衬底与所述第二模块衬底之间的第一模块组件。所述第一模块组件包含耦接到所述第一传导结构的第一组件端子和耦接到所述第二传导结构的第二组件端子。所述方法包含提供第一装置衬底,所述第一装置衬底耦接到所述第一模块衬底,所述第一装置衬底包括第一向外传导层。所述方法包含提供第二装置衬底,所述第二装置衬底耦接到所述第二模块衬底,所述第二装置衬底包括第二向外传导层。所述方法将装置端子耦接到所述模块组件。所述方法包含提供装置包封剂结构,所述装置包封剂结构包封所述第一嵌入式模块、所述第一装置衬底、所述第二装置衬底和所述装置端子。所述装置端子、所述第一向外传导层和所述第二向外传导层从所述装置包封剂结构暴露。
1.一种电子装置,其包括:
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中:
3.根据权利要求2所述的电子装置,其中:
4.根据权利要求3所述的电子装置,其中:
5.根据权利要求2所述的电子装置,其中:
6.根据权利要求5所述的电子装置,其进一步包括:
7.根据权利要求6所述的电子装置,其中:
8.根据权利要求7所述的电子装置,其中:
9.根据权利要求6所述的电子装置,其中:
10.根据权利要求2所述的电子装置,其中:
11.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括:
12.根据权利要求11所述的电子装置,其中:
13.根据权利要求12所述的电子装置,其进一步包括:
14.根据权利要求1所述的电子装置,其中:
15.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括:
16.一种电子装置,其包括:
17.根据权利要求16所述的电子装置,其中:
18.根据权利要求16所述的电子装置,其进一步包括:
19.一种制造电子装置的方法,所述方法包括:
20.根据权利要求19所述的方法,其中:
21.根据权利要求19所述的方法,其进一步包括: