封装方法和芯片封装结构、电子设备与流程

本申请涉及芯片封装，具体地，涉及一种封装方法和芯片封装结构、电子设备。

背景技术：

1、随着向多芯片等方向的发展，先进封装技术正越来越多地被应用于人工智能、物联网和高性能计算(highperformance computing，hpc)机群等领域中。在先进封装技术中，平板级芯片封装(panel level package，plp)因其低成本的潜在优势前景看好，具有更高的经济效益。

2、但是，在封装工艺流程中，由于存在基板翘曲(warpage)问题，导致芯片封装面临一个巨大的挑战。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种封装方法和芯片封装结构、电子设备，以解决封装过程中基板翘曲导致芯片位移的问题。

2、本申请第一方面提供一种封装方法，该方法包括：提供一基板，基板上设置有粘接层；将多个芯片分别设置于粘接层上；在基板上形成多个封装单元，相邻两个封装单元之间形成分隔间隙，封装单元用于对芯片包覆封装。

3、在本申请第一方面的一个具体实施例中，在基板上形成多个封装单元，包括：提供塑封料；对塑封料进行压膜、热固化后形成封装层；按照预设的切割线将封装层切割为多个封装单元，切割线切割的区域形成分隔间隙；对多个封装单元进行降温处理；优选地，封装料的热膨胀系数与芯片的热膨胀系数的差值小于1×10-6/℃。

4、在本申请第一方面的一个具体实施例中，沿基板的厚度方向，切割线的深度小于封装层的厚度与基板的厚度之和；优选地，切割线的深度等于封装层的厚度。

5、在本申请第一方面的一个具体实施例中，按照预设的切割线将封装层切割为多个封装单元，包括：按照预设的切割线切割封装层，且切割线未贯穿封装层；或者，切割线贯穿封装层；或者按照预设的切割线切割封装层和基板，且切割线贯穿封装层和部分基板。

6、在本申请第一方面的一个具体实施例中，该方法还包括对封装单元进行切割，得到多个芯片封装结构，每个芯片封装结构至少覆盖一个芯片。

7、在本申请第一方面的一个具体实施例中，芯片的边缘与封装单元边缘的距离为第一距离；芯片的边缘与芯片封装结构边缘的距离为第二距离；第一距离不小于第二距离；优选地，第一距离等于第二距离。

8、在本申请第一方面的一个具体实施例中，任意两个相邻封装单元之间的切割线数量为自然数；优选地，任意两个相邻封装单元之间的切割线数量为1。

9、在本申请第一方面的一个具体实施例中，在按照预设的切割线将封装层切割为多个封装单元之前，还包括：预先在封装层上确定多条第一切割线和多条第二切割线，多条第二切割线沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，多条第一切割线沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布；其中，第一方向和第二方向相交；优选地，多条第一切割线和多条第二切割线分割出的多个封装单元呈阵列排布，且封装单元包括至少一个芯片。

10、本申请第二方面提供一种芯片封装结构，采用如第一方面提及的封装方法进行封装。

11、本申请第三方面提供一种电子设备，该电子设备包括如第二方面提及的芯片封装结构。

12、本申请实施例提供的封装方法，封装过程中在基板上形成多个封装单元，相邻两个封装单元之间存在分隔间隙，大大改善了因封装层材料与基板材料之间热膨胀系数差异而导致的翘曲问题，进而降低后续工艺难度，有利于实现提高封装良率的目的。

技术特征：

1.一种封装方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述基板上形成多个封装单元，包括：

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，沿所述基板的厚度方向，所述切割线的深度小于所述封装层的厚度与所述基板的厚度之和；

4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述按照预设的切割线将所述封装层切割为多个封装单元，包括：

5.根据权利要求1至4任一项所述的封装方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述芯片的边缘与所述封装单元边缘的距离为第一距离；所述芯片的边缘与所述芯片封装结构边缘的距离为第二距离；所述第一距离不小于所述第二距离；

7.根据权利要求1至4任一项所述的封装方法，其特征在于，任意两个相邻所述封装单元之间的切割线数量为自然数；

8.根据权利要求1至4任一项所述的封装方法，其特征在于，在所述按照预设的切割线将所述封装层切割为多个封装单元之前，还包括：

9.一种芯片封装结构，其特征在于，采用如权利要求1至8中任一项所述的封装方法进行封装。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的芯片封装结构。

技术总结
本申请提供一种封装方法和芯片封装结构、电子设备。该方法包括：提供一基板，基板上设置有粘接层；将多个芯片分别设置于粘接层上；在基板上形成多个封装单元，相邻两个封装单元之间形成分隔间隙，封装单元用于对芯片包覆封装；由于封装过程中在基板上形成多个封装单元，相邻两个封装单元之间存在分隔间隙，大大改善了因封装层材料与基板材料之间热膨胀系数差异而导致的翘曲问题，进而降低后续工艺难度，有利于实现提高封装良率的目的。

技术研发人员：吕奎,董圣之,邢汝博
受保护的技术使用者：昆山国显光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15