一种选择性封装的方法、封装结构和射频模组与流程

本申请涉及电子封装，尤其涉及一种选择性封装的方法、封装结构，以及应用该封装结构的射频模组。

背景技术：

1、射频(radio frequency，rf)模组(module)是一种将滤波器(filter)、双工/多工器(diplexer/duplexer/multiplexer)、低噪声放大器(low noise amplifier，lna)、功率放大器(power amplifier，pa)以及射频开关(switch)中的两种或者两种以上分立器件，集成在同一个模组中的设计方案，可以提高射频芯片的集成度并使其进一步小型化。

2、rf module产品的封装是其工艺中重要的一环，其可以将rf module中的芯片封装在保护材料中，免受外界环境的影响，同时提供更好的电磁兼容性、热管理和机械保护。选择性的底部填充工艺是封装过程中一项重要的技术，选择性的底部填充是指对于rfmodule中的部分芯片(例如switch)需要在倒装后进行底部填充以提供更好的保护与稳定性，而部分芯片(例如声表面波(surface acoustic wave，saw)滤波器)需要对功能区保留空气腔而不能进行底部填充。

3、现有技术中的选择性底填方案需要在rf module中的器件(简称射频器件)的表面覆盖一层塑封薄膜，在需要进行底填的器件底部的对应位置进行激光破膜或真空破膜处理后，填充塑封材料得到选择性底填的封装结构。然而无论是激光破膜还是真空破膜，其破膜效果均难以控制，从而导致封装效果不佳、甚至射频器件的损伤。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种选择性封装的方法、封装结构，以及应用该封装结构的射频模组。

2、第一方面，本申请提供了一种选择性封装的方法，该方法包括：提供基板，在基板上形成金属连接结构和第一类器件，第一类器件包括需要底填的器件，填充塑封材料完成对需要底填的器件的选择性封装，形成第一封装结构；在金属连接结构的顶部形成第二类器件，并在第二类器件的底部形成空腔，第二类器件为不能底填的器件，在第二类器件第一方向的表面覆盖第一覆盖层，填充塑封材料覆盖第一覆盖层，完成封装。

3、根据本申请的技术方案，在对封装产品进行封装时使用金属线弧辅助进行不能底填器件的封装，能够有效避免封装结构中的器件在破膜时遭到破坏，且能够避免位于不能底填器件底部的空腔在封装时被填充的风险，提高了封装产品封装过程的可操作性和可靠性。

4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，金属连接结构包括金属线弧、金属柱和金属墩中的至少一种。

5、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在金属连接结构的顶部形成第二类器件之前，上述方法还包括：对第一封装结构进行磨平处理，将金属连接结构的顶部从第一封装结构第一方向的表面露出。

6、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，基板上具有第一焊盘和第二焊盘，金属连接结构通过第一焊盘形成在基板上，需要底填的器件通过第二焊盘形成在基板上。

7、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一类器件还包括其他器件，其他器件的高度值大于需要底填的器件的高度值。

8、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，金属连接结构的高度值大于或等于其他器件的高度值。或者，金属连接结构的高度值大于或等于需要底填的器件的高度值、且小于其他器件的高度值。或者，金属连接结构的高度值小于需要底填的器件的高度值。

9、结合第一方面，在第一方面的另一些实现方式中，基板上具有第一凹槽，第二焊盘位于第一凹槽内。

10、结合第一方面，在第一方面的另一些实现方式中，基板上还具有第二凹槽，第一类器件还包括其他器件，其他器件位于第二凹槽内。

11、第二方面，提供了一种封装结构，该封装结构包括基板、金属连接结构、第一类器件、第二类器件和第一覆盖层，其中，金属连接结构和第一类器件形成在基板上，第一类器件包括需要底填的器件，需要底填的器件底部填充有塑封材料；第二类器件形成在金属连接结构的顶部，第二类器件的底部具有空腔；第二类器件第一方向上的表面覆盖有第一覆盖层，第一覆盖层上填充有塑封材料。

12、本申请实施例提供了一种封装结构，在对封装结构进行封装时使用金属线弧辅助进行不能底填器件的封装，能够有效避免封装结构中的器件在破膜时遭到破坏，且能够避免位于不能底填器件底部的空腔在封装时被填充的风险，提高了封装产品封装过程的可操作性和可靠性。

13、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，金属连接结构包括金属线弧、金属柱和金属墩中的至少一种。

14、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，基板上具有第一焊盘和第二焊盘，金属连接结构通过第一焊盘形成在基板上，需要底填的器件通过第二焊盘形成在基板上。

15、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，第一类器件还包括其他器件，其他器件的高度值大于需要底填的器件的高度值。

16、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，金属连接结构的高度值大于或等于其他器件的高度值。或者，金属连接结构的高度值大于或等于需要底填的器件的高度值、且小于其他器件的高度值。或者，金属连接结构的高度值小于需要底填的器件的高度值。

17、结合第二方面，在第二方面的另一些实现方式中，基板上具有第一凹槽，第二焊盘位于第一凹槽内。

18、结合第二方面，在第二方面的另一些实现方式中，基板上还具有第二凹槽，第一类器件还包括其他器件，其他器件位于第二凹槽内。

19、第三方面，提供了一种射频模组，该射频模组包括第二方面中任一项所述的封装结构。

20、在本申请实施例中，上述各方面所述的具体实现方式和有益效果可相互引用和参照，在此不再赘述。

技术特征：

1.一种选择性封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属连接结构包括金属线弧、金属柱和金属墩中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述金属连接结构的顶部形成所述第二类器件之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基板上具有第一焊盘和第二焊盘，所述金属连接结构通过所述第一焊盘形成在所述基板上，所述需要底填的器件通过所述第二焊盘形成在所述基板上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一类器件还包括其他器件，所述其他器件的高度值大于所述需要底填的器件的高度值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属连接结构的高度值大于或等于所述其他器件的高度值。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属连接结构的高度值大于或等于所述需要底填的器件的高度值、且小于所述其他器件的高度值。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属连接结构的高度值小于所述需要底填的器件的高度值。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板上具有第一凹槽，所述第二焊盘位于所述第一凹槽内。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基板上还具有第二凹槽，所述第一类器件还包括其他器件，所述其他器件位于所述第二凹槽内。

11.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括基板、金属连接结构、第一类器件、第二类器件和第一覆盖层，其中，

12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接结构包括金属线弧、金属柱和金属墩中的至少一种。

13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述基板上具有第一焊盘和第二焊盘，所述金属连接结构通过所述第一焊盘形成在所述基板上，所述需要底填的器件通过所述第二焊盘形成在所述基板上。

14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述第一类器件还包括其他器件，所述其他器件的高度值大于所述需要底填的器件的高度值。

15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接结构的高度值大于或等于所述其他器件的高度值。

16.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接结构的高度值大于或等于所述需要底填的器件的高度值、且小于所述其他器件的高度值。

17.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接结构的高度值小于所述需要底填的器件的高度值。

18.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述基板上具有第一凹槽，所述第二焊盘位于所述第一凹槽内。

19.根据权利要求18所述的封装结构，其特征在于，所述基板上还具有第二凹槽，所述第一类器件还包括其他器件，所述其他器件位于所述第二凹槽内。

20.一种射频模组，其特征在于，所述射频模组包括如权利要求11至19中任一项所述的封装结构。

技术总结
本申请公开了一种选择性封装的方法、封装结构，以及应用该封装结构的射频模组，可应用于电子封装领域。该方法包括提供基板，在基板上形成金属连接结构和第一类器件，第一类器件包括需要底填的器件，填充塑封材料完成对需要底填的器件的选择性封装，形成第一封装结构；在金属连接结构的顶部形成不能底填的器件并在其底部形成空腔，在不能底填的器件第一方向的表面覆盖第一覆盖层，填充塑封材料覆盖第一覆盖层，完成封装。本申请所提供的选择性封装的方法，操作简单且能够有效避免封装结构中的器件在破膜时遭到损坏，且能够避免位于不能底填的器件底部的空腔在封装时被填充的风险，提高了产品封装过程的可操作性和可靠性。

技术研发人员：姜伟,高安明,郑磊
受保护的技术使用者：浙江星曜半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5