一种基片处理腔室的制作方法

本发明涉及半导体生产设备，具体是一种基片处理腔室。

背景技术：

1、湿法刻蚀工艺中应用到的烘烤设备实际对基片烘干作业时，通过传输模块中的机械手将基片从传输模块腔室内转运至烘烤设备内的基座上，以实现对基片的加热，现有技术中，加热模块一般设置在基座内，以实现对基座上基片的加热，这种设计方式会使得基座内部留出设计加热模块的空间，使得基座变的厚重，并且占用空间较大，而且因为器件存在使用损耗，一旦加热模块出现故障时，对基座的拆装又十分不便，因此后续维护也存在诸多不便，同时，采用上述方案其他附属配套设备也需要改进，这样又会造成成本增加的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基片处理腔室，方便对腔室进行加热，方便加热模块的维护，减少承托基片的承托基座的占用空间，提高该处理腔室的空间利用率。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本发明提出一种基片处理腔室，所述基片处理腔室连接晶圆传输腔室，包括：腔室本体；加热件；至少一个基片承托结构；

3、所述加热件设置于腔室本体，用于调节所述腔室本体内部的温度，以使得基片表面的刻蚀副产物；

4、所述基片承托结构设置于所述腔室本体的内部，且基片承托结构的第一面用于放置所述基片；

5、所述腔室本体上与所述晶圆传输腔室的连接处设置有门阀，所述门阀用于通过所述基片。

6、在本发明的一可选实施例中，所述晶圆传输腔室包括机械手，所述腔室本体内部还设置有升降机构，所述升降机构固定连接于所述基片承托结构的第二面的中心区域，所述第二面与所述第一面相对；

7、所述升降机构用于调节所述基片承托结构的高度，以使得在所述机械手执行第一操作或第二操作时，所述基片承托结构的高度与所述门阀的高度差在预设范围内；

8、所述第一操作包括所述机械手将基片通过所述门阀放置在所述基片承托结构上，所述第二操作包括所述机械手将所述基片承托结构上的基片通过所述门阀取走。

9、在本发明的一可选实施例中，所述预设范围为-10～10毫米；

10、在本发明的一可选实施例中，当所述腔室本体内部设置有两个及以上所述基片承托结构时，全部所述基片承托结构的侧壁固定于第一支撑固定件上，且所述基片承托结构之间按照垂直于所述第一面的方向对齐设置，相邻所述基片承托结构之间存在预设间距；

11、所述升降机构固定连接于所述基片承托结构的第二面的中心区域，包括：

12、所述升降机构固定连接于目标基片承托结构的第二面的中心区域，所述目标基片承托结构为全部所述基片承托结构中最底部的一个。

13、在本发明的一可选实施例中，所述预设间距为5～70毫米。

14、在本发明的一可选实施例中，在所述第一支撑固定件上沿所述预设间距设置有卡槽或者螺孔，用于固定所述基片承托结构。

15、在本发明的一可选实施例中，所述基片承托结构包括：圆盘、第一支撑柱以及第二支撑柱；

16、所述第一支撑柱和所述第二支撑柱相对固定设置在所述圆盘的边缘位置处，用于支撑所述基片。

17、在本发明的一可选实施例中，所述升降机构包括：第二支撑固定件、滑动件和螺杆；

18、所述滑动件为中空厚壁状，且套设所述螺杆，所述滑动件的内侧设置有与所述螺杆表面相适配的螺纹；

19、所述第二支撑固定件的第一端固定设置于所述螺杆顶部，且所述第二支撑固定件的第二端固定连接于所述基片承托结构的第二面的中心区域；

20、通过旋转所述螺杆的底部调节所述基片承托结构的高度。

21、在本发明的一可选实施例中，还包括设置于所述腔室本体外侧的温度检测单元和温度控制单元，所述温度检测单元用于反馈所述加热件的温度，所述温度控制单元用于将所述加热件的温度控制在100-250摄氏度。

22、在本发明的一可选实施例中，所述加热件设置于腔室本体的外侧，包括：所述加热件等间距的设置于腔室本体的顶部。

23、通过采用上述技术方案，本实用的技术效果在于：将用于实施对基片加热的加热件安装在腔室本体上，通过外部的电源对加热件进行温度的控制，可以调节整个腔室本体的温度，以实现对基片承托结构上基片的加热，取代了现有的基座加热的方式，可显著降低现有技术中基座的厚度，尽可能的提高对腔室本体空间利用率，减少处理腔室内空间浪费的问题。

技术特征：

1.一种基片处理腔室，所述基片处理腔室连接晶圆传输腔室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基片处理腔室，所述晶圆传输腔室包括机械手，其特征在于，所述腔室本体内部还设置有升降机构，所述升降机构固定连接于所述基片承托结构的第二面的中心区域，所述第二面与所述第一面相对；

3.根据权利要求2所述的基片处理腔室，其特征在于，所述预设范围为-10～10毫米。

4.根据权利要求2所述的基片处理腔室，其特征在于，当所述腔室本体内部设置有两个及以上所述基片承托结构时，全部所述基片承托结构的侧壁固定于第一支撑固定件上，且所述基片承托结构之间按照垂直于所述第一面的方向对齐设置，相邻所述基片承托结构之间存在预设间距；

5.根据权利要求4所述的基片处理腔室，其特征在于，所述预设间距为5～70毫米。

6.根据权利要求4所述的基片处理腔室，其特征在于，在所述第一支撑固定件上沿所述预设间距设置有卡槽或者螺孔，用于固定所述基片承托结构。

7.根据权利要求1所述的基片处理腔室，其特征在于，所述基片承托结构包括：圆盘、第一支撑柱以及第二支撑柱；

8.根据权利要求2所述的基片处理腔室，其特征在于，所述升降机构包括：第二支撑固定件、滑动件和螺杆；

9.根据权利要求1所述的基片处理腔室，其特征在于，还包括设置于所述腔室本体外侧的温度检测单元和温度控制单元，所述温度检测单元用于反馈所述加热件的温度，所述温度控制单元用于将所述加热件的温度控制在100-250摄氏度。

10.根据权利要求1所述的基片处理腔室，其特征在于，所述加热件设置于腔室本体的外侧，包括：所述加热件等间距的设置于腔室本体的顶部。

技术总结
本发明涉及半导体生产处理设备技术领域，具体是一种基片处理腔室，基片处理腔室连接晶圆传输腔室，包括：腔室本体；加热件；至少一个基片承托结构；加热件设置于腔室本体，用于调节所述腔室本体内部的温度，以使得基片表面的刻蚀副产物；基片承托结构设置于所述腔室本体的内部，且基片承托结构的第一面用于放置所述基片；腔室本体上与晶圆传输腔室的连接处设置有门阀，门阀用于通过所述基片，通过外部的电源对加热件进行温度的控制，可以调节整个腔室本体的温度，以实现对基片承托结构上基片的加热，降低现有技术中基座的厚度，更加合理利用该腔体本体的空间，避免空间的浪费。

技术研发人员：廉晓芳,黄勇,张满,姚成汉
受保护的技术使用者：宸微设备科技（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15