一种用于刻蚀的基片烘烤腔室的制作方法

本发明属于半导体制造，具体涉及一种用于刻蚀的基片烘烤腔室。

背景技术：

1、基片经过刻蚀等工艺以后，还需要进行烘烤，以使基片上不需要的介质挥发掉。烘烤工艺一般在烘烤装置的腔体内进行，现有技术中，一套烘烤装置一般只设有一个烘烤腔室，同时为了使得腔体内部反应条件更好的控制，且使得基片能够被充分的反应，大都采用一个腔室仅放置一个基片的设计；当然也不排除一个腔室内放置多个基片的设计，但是因为腔室内放置了多个基片，其多个基片之间的取放时间、以及反应时间难免存在差别，进而导致制备得到的基片之间也会存在差别，使得制备得到的基片的质量不一，反倒不利于基片的量产。另外，在刻蚀系统中，有两种腔体，一种是反应腔，一种是烘烤腔，反应腔为主要功能的腔室，所以会优先布置更多的反应腔，而烘烤腔一般的技术方案都是单腔，影响系统产能。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种能够提高产能的用于刻蚀的基片烘烤腔室。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于刻蚀的基片烘烤腔室，所述基片烘烤腔室连接传输腔室，所述传输腔室用于将基片送入所述基片烘烤腔室或者将所述基片烘烤腔室中的基片拿出，包括：

3、第一烘烤室、第二烘烤室、加热单元、控制单元、以及盖板；

4、所述第一烘烤室的顶壁为中间隔断板结构，所述第二烘烤室的底壁为中间隔断板结构；

5、所述盖板分别可拆卸固定连接所述第一烘烤室的顶壁、以及所述第二烘烤室的底壁，以封堵所述第一烘烤室的顶壁、以及所述第二烘烤室的底壁；

6、所述第一烘烤室内设置有至少两个基片承托结构，所述第一烘烤室的外壁上设置有第一抽气口、以及第一狭缝；

7、所述第二烘烤室内设置有至少两个基片承托结构，所述第二烘烤室的外壁上设置有第二抽气口、以及第二狭缝；

8、所述第一抽气口和所述第二抽气口均用于抽走对基片表面进行烘烤之后的气态生成物，所述第一狭缝和所述第二狭缝均用于通过基片；

9、所述加热单元用于对所述第一烘烤腔室和所述第二烘烤室的温度进行调节；

10、所述控制单元用于对所述加热单元进行控制，以使得所述第一烘烤腔室和所述第二烘烤室在进行基片烘烤时候的温度一致；

11、所述第一狭缝和所述第二狭缝用于和所述基片烘烤腔室所连接的传输腔室的同一侧对齐。

12、在本发明的一可选实施例中，所述盖板包括第一板和第二板，所述第一板和所述第二板为一体式结构，所述第一板的直径大于所述第二板的直径，以使所述第一板的边缘和所述第二板的边缘之间形成一台阶部；所述第二烘烤室的底壁包括一体成型的第一环和第二环，所述第二环的内侧边缘的直径大于所述第一环的内侧边缘的直径，所述第一环与所述第二环构成台阶状，且所述第一环和第二环的外侧边缘对齐；

13、所述第二环的内侧边缘的直径与所述第一环的内侧边缘的直径的差值，大于或等于所述第一板的直径与所述第二板的直径的差值。

14、在本发明的一可选实施例中，所述盖板以及所述第二烘烤室的底壁上设置有适配的螺孔，以通过螺丝实现可拆卸固定连接。

15、在本发明的一可选实施例中，第二距离大于第一距离，且所述第二距离与所述第一距离的差值为预设距离，所述预设距离用于容纳设置于所述第二烘烤室底部的第二抽气结构，所述第二抽气结构与所述第二抽气口连接；所述第一距离为所述第一狭缝与所述传输腔室之间的距离，所述第二距离为所述第二狭缝与所述传输腔室之间的距离。

16、在本发明的一可选实施例中，所述盖板位于所述第一烘烤室的顶壁和所述第二烘烤室的底壁的重叠区域的中部。

17、在本发明的一可选实施例中，所述第一烘烤室还包括第一门阀，所述第一门阀设置于所述第一烘烤室与所述传输腔室之间，且所述第一门阀用于开启或者封堵所述第一狭缝；所述第二烘烤室还包括第二门阀，所述第二门阀设置于所述第二烘烤室与所述传输腔室之间，且所述第二门阀用于开启或者封堵第二狭缝。

18、在本发明的一可选实施例中，所述第一烘烤室内还设置有第一高度弥补件，所述第一高度弥补件用于支撑所述第一烘烤室内的基片承托结构；所述第二烘烤室内还设置有第二高度弥补件，所述第二高度弥补件用于支撑所述第二烘烤室内的基片承托结构；所述第一高度弥补件的厚度大于所述第二高度弥补件的厚度。

19、在本发明的一可选实施例中，所述第一烘烤室内的侧壁上设置有第一进气口，所述第二烘烤室的顶壁上设置有第二进气口。

20、在本发明的一可选实施例中，所述第一烘烤室内所设置的基片承托结构沿所述第一方向间隔设置，所述第一方向与所述第一狭缝通过所述基片的方向相同或垂直；所述第二烘烤室内所设置的基片承托结构沿所述第二方向间隔设置，所述第二方向与所述第二狭缝通过所述基片的方向相同或垂直。

21、在本发明的一可选实施例中，所述预设距离的范围为50-120毫米。

22、本发明的技术效果在于：本发明提供了一种具有多个独立腔室的烘干装置，各腔室的反应条件互不干扰，并且避免了烘干过程中腔室需要频繁开启的问题，提高了基片的一致性，进而提高了产能；发明将腔室呈阶梯状设置，为每一层腔室预留出一块用于设置抽气口的空间，提升了基片的烘干效果；另一方面，可以使每层腔室的抽气口安装位置及形状近乎一致，进而保证不同腔室内基片的一致性。

技术特征：

1.一种用于刻蚀的基片烘烤腔室，所述基片烘烤腔室连接传输腔室，所述传输腔室用于将基片送入所述基片烘烤腔室或者将所述基片烘烤腔室中的基片拿出，其特征在于，包括第一烘烤室、第二烘烤室、加热单元、控制单元、以及盖板；

2.根据权利要求1所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述盖板包括第一板和第二板，所述第一板和所述第二板为一体式结构，所述第一板的直径大于所述第二板的直径，以使所述第一板的边缘和所述第二板的边缘之间形成一台阶部；所述第二烘烤室的底壁包括一体成型的第一环和第二环，所述第二环的内侧边缘的直径大于所述第一环的内侧边缘的直径，所述第一环与所述第二环构成台阶状，且所述第一环和第二环的外侧边缘对齐；

3.根据权利要求1所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述盖板以及所述第二烘烤室的底壁上设置有适配的螺孔，以通过螺丝实现可拆卸固定连接。

4.根据权利要求1所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，第二距离大于第一距离，且所述第二距离与所述第一距离的差值为预设距离，所述预设距离用于容纳设置于所述第二烘烤室底部的第二抽气结构，所述第二抽气结构与所述第二抽气口连接；所述第一距离为所述第一狭缝与所述传输腔室之间的距离，所述第二距离为所述第二狭缝与所述传输腔室之间的距离。

5.根据权利要求4所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述盖板位于所述第一烘烤室的顶壁和所述第二烘烤室的底壁的重叠区域的中部。

6.根据权利要求1所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述第一烘烤室还包括第一门阀，所述第一门阀设置于所述第一烘烤室与所述传输腔室之间，且所述第一门阀用于开启或者封堵所述第一狭缝；所述第二烘烤室还包括第二门阀，所述第二门阀设置于所述第二烘烤室与所述传输腔室之间，且所述第二门阀用于开启或者封堵第二狭缝。

7.根据权利要求2所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述第一烘烤室内还设置有第一高度弥补件，所述第一高度弥补件用于支撑所述第一烘烤室内的基片承托结构；所述第二烘烤室内还设置有第二高度弥补件，所述第二高度弥补件用于支撑所述第二烘烤室内的基片承托结构；所述第一高度弥补件的厚度大于所述第二高度弥补件的厚度。

8.根据权利要求2所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述第一烘烤室内的侧壁上设置有第一进气口，所述第二烘烤室的顶壁上设置有第二进气口。

9.根据权利要求2所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述第一烘烤室内所设置的基片承托结构沿所述第一方向间隔设置，所述第一方向与所述第一狭缝通过所述基片的方向相同或垂直；所述第二烘烤室内所设置的基片承托结构沿所述第二方向间隔设置，所述第二方向与所述第二狭缝通过所述基片的方向相同或垂直。

10.根据权利要求5所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室，其特征在于，所述预设距离的范围为50-120毫米。

技术总结
本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种用于刻蚀的基片烘烤腔室，包括第一烘烤室、第二烘烤室、加热单元、控制单元、以及盖板；第一烘烤室的顶壁为中间隔断板结构，所述第二烘烤室的底壁为中间隔断板结构；盖板分别可拆卸固定连接第一烘烤室的顶壁、以及第二烘烤室的底壁；第一烘烤室内设置有至少两个基片承托结构，第一烘烤室的外壁上设置有第一抽气口、以及第一狭缝；第二烘烤室内设置有至少两个基片承托结构，第二烘烤室的外壁上设置有第二抽气口、以及第二狭缝；本发明提供了一种具有多个独立腔室的烘干装置，各腔室的反应条件互不干扰，并且避免了烘干过程中腔室需要频繁开启的问题，保证基片一致性的前提下，提高了产能。

技术研发人员：廉晓芳,黄勇,张满,姚成汉
受保护的技术使用者：宸微设备科技（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15