半导体装置的制作方法

实施例涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、作为用于增加集成电路装置的密度的缩放技术之一，已提出了用于在基板上形成具有鳍或纳米线形状的硅体并在硅体的表面上形成栅极的多栅极晶体管。

技术实现思路

1、实施例可通过提供一种半导体装置来实现，该半导体装置包括：

2、第一多个下纳米片，其在竖直方向上层叠以彼此间隔开；在第一多个下纳米片上的上隔离层；在上隔离层上的第一多个上纳米片，第一多个上纳米片在竖直方向上层叠以彼此间隔开；第一上源极/漏极区域，其在第一多个上纳米片的在第一水平方向上的第一侧上；第二上源极/漏极区域，其在第一多个上纳米片的与第一多个上纳米片的在第一水平方向上的第一侧相对的第二侧上；第一栅电极，其在不同于第一水平方向的第二水平方向上延伸，第一栅电极围绕第一多个下纳米片、上隔离层和第一多个上纳米片中的每一个；第一栅极切口，其在第一栅电极的在第二水平方向上的第一侧上在第一水平方向上延伸，第一栅极切口在竖直方向上从第一栅电极的下表面延伸到第一栅电极的上表面；第一通孔件，其在第一栅极切口内在第一水平方向上延伸，第一通孔件与第一栅电极绝缘；第一上源极/漏极接触件，其在第一上源极/漏极区域上在第二水平方向上延伸，第一上源极/漏极接触件电连接到第一上源极/漏极区域；以及第二上源极/漏极接触件，其在第二上源极/漏极区域上在第二水平方向上延伸，第二上源极/漏极接触件将第二上源极/漏极区域与第一通孔件电连接。

3、实施例可通过提供一种半导体装置来实现，该半导体装置包括：多个下纳米片，其在竖直方向上层叠以彼此间隔开；在多个下纳米片上的上隔离层；在上隔离层上的多个上纳米片，多个上纳米片在竖直方向上层叠以彼此间隔开；第一栅极切口，其在第一水平方向上延伸；第二栅极切口，其在第一水平方向上延伸，第二栅极切口在不同于第一水平方向的第二水平方向上与第一栅极切口间隔开；第一栅电极，其在第一栅极切口和第二栅极切口之间在第二水平方向上延伸，第一栅电极围绕多个下纳米片、上隔离层和多个上纳米片中的每一个；第二栅电极，其在第二水平方向上延伸，第二栅电极通过第一栅极切口与第一栅电极分离；第三栅电极，其在第二水平方向上延伸，第三栅电极通过第二栅极切口与第一栅电极分离；第一下源极/漏极区域，其在多个下纳米片的在第一水平方向上的第一侧上；第一上源极/漏极区域，其在多个上纳米片的在第一水平方向上的第一侧上且在第一下源极/漏极区域上；第一通孔件，其在第一栅极切口内在第一水平方向上延伸，第一通孔件与第一栅电极和第二栅电极中的每一个绝缘；第二通孔件，其在第二栅极切口内在第一水平方向上延伸，第二通孔件与第一栅电极和第三栅电极中的每一个绝缘；第一上源极/漏极接触件，其在第一上源极/漏极区域上在第二水平方向上延伸，第一上源极/漏极接触件将第一上源极/漏极区域与第二通孔件电连接；以及在第一下源极/漏极区域下方的第一下源极/漏极接触件，第一下源极/漏极接触件与第一下源极/漏极区域电连接。

4、实施例可通过提供一种半导体装置来实现，该半导体装置包括：多个下纳米片，其在竖直方向上层叠以彼此间隔开；在多个下纳米片上的上隔离层；在上隔离层上的多个上纳米片，多个上纳米片在竖直方向上层叠以彼此间隔开；第一下源极/漏极区域，其在多个下纳米片的在第一水平方向上的第一侧上；第二下源极/漏极区域，其在多个下纳米片的与多个下纳米片的在第一水平方向上的第一侧相对的第二侧上；第一上源极/漏极区域，其在多个上纳米片的在第一水平方向上的第一侧上；第二上源极/漏极区域，其在多个上纳米片的与多个上纳米片的在第一水平方向上的第一侧相对的第二侧上；栅电极，其在不同于第一水平方向的第二水平方向上延伸，栅电极围绕多个下纳米片、上隔离层和多个上纳米片中的每一个；第一栅极切口，其从栅电极的在第二水平方向上的第一侧在第一水平方向上延伸，第一栅极切口在竖直方向上从栅电极的下表面延伸到栅电极的上表面；第二栅极切口，其从栅电极的与栅电极的在第二水平方向上的第一侧相对的第二侧在第一水平方向上延伸，第二栅极切口在竖直方向上从栅电极的下表面延伸到栅电极的上表面；第一通孔件，其在第一栅极切口内在第一水平方向上延伸，第一通孔件与栅电极绝缘；第二通孔件，其在第二栅极切口内在第一水平方向上延伸，第二通孔件与栅电极绝缘；在第一下源极/漏极区域下方的第一下源极/漏极接触件，第一下源极/漏极接触件电连接到第一下源极/漏极区域；第二下源极/漏极接触件，其在第二下源极/漏极区域下方在第二水平方向上延伸，第二下源极/漏极接触件将第二下源极/漏极区域与第一通孔件电连接；第一上源极/漏极接触件，其在第一上源极/漏极区域上在第二水平方向上延伸，第一上源极/漏极接触件将第一上源极/漏极区域与第二通孔件电连接；以及第二上源极/漏极接触件，其在第二上源极/漏极区域上在第二水平方向上延伸，第二上源极/漏极接触件将第二上源极/漏极区域与第一通孔件电连接。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：

4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括在所述第二栅极切口内在所述第一水平方向上延伸的第三通孔件，所述第三通孔件在所述第一水平方向上与所述第二通孔件间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一通孔件的上表面低于所述第一栅电极的上表面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括:

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括在所述第一栅极切口内在所述第一水平方向上延伸的第三通孔件，所述第三通孔件在所述第一水平方向上与所述第一通孔件间隔开并且与所述第二栅电极绝缘。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括在所述第三上源极/漏极区域上在所述第二水平方向上延伸的第三上源极/漏极接触件，所述第三上源极/漏极接触件将所述第三上源极/漏极区域与所述第三通孔件电连接。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第三通孔件的最上表面高于所述第二上源极/漏极接触件的下表面。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极在所述第二水平方向上不与所述第一通孔件交叠。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括在所述第三上源极/漏极区域上在所述第二水平方向上延伸的第三上源极/漏极接触件，所述第三上源极/漏极接触件将所述第三上源极/漏极区域与所述第一通孔件电连接。

13.一种半导体装置，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第一通孔件的上表面低于所述第一栅电极的上表面。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第一栅极切口的至少一部分在所述第一通孔件的上表面上。

16.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括：

17.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括在所述多个下纳米片下方的下隔离层，所述下隔离层的侧壁和上表面被所述第一栅电极围绕，并且所述下隔离层的下表面与所述第一通孔件和所述第二通孔件中的每一个的最下表面在同一平面上。

18.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极与所述第一栅极切口和所述第二栅极切口中的每一个接触。

19.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括分别在所述第一栅电极和所述第一栅极切口之间以及所述第一栅电极和所述第二栅极切口之间的栅极绝缘层。

20.一种半导体装置，包括：

技术总结
一种半导体装置包括：第一下纳米片；在第一下纳米片上的上隔离层；在上隔离层上的第一上纳米片；在第一上纳米片上的第一上源极/漏极区域；在第一上纳米片上的第二上源极/漏极区域；第一栅电极，其围绕第一下纳米片、上隔离层和第一上纳米片；第一栅极切口，其在第一栅电极的一侧并且从第一栅电极的下表面延伸到第一栅电极的上表面；第一通孔件，其在第一栅极切口内并且与第一栅电极绝缘；第一上源极/漏极接触件，其在第一上源极/漏极区域上并电连接到第一上源极/漏极区域；以及第二上源极/漏极接触件，其在第二上源极/漏极区域上并且将第二上源极/漏极区域与第一通孔件电连接。

技术研发人员：黄东勋,黄寅灿,金孝珍
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17