集成芯片及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及集成芯片及其形成方法。

背景技术：

1、现代集成电路(ic)包括形成在半导体衬底(例如，硅)上的数百万或数十亿个半导体器件。ic可以使用许多不同类型的晶体管器件，这取决于应用。近年来，用于蜂窝和射频(rf)器件的市场的增长导致对rf切换器件的需求显著增加。例如，智能电话可以包含十个或多个rf切换器件，以将接收的信号切换至适当的频带。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种集成芯片，包括：加热器结构，位于半导体衬底上面；相变元件(pce)，设置在所述加热器结构上方；以及热阻挡结构，设置在所述加热器结构和所述相变元件之间，其中，所述相变元件的外侧壁在所述热阻挡结构的外侧壁之间横向间隔开。

2、本申请的另一些实施例提供了一种集成芯片，包括：下部介电层，位于半导体衬底上面；加热器结构，设置在所述下部介电层内，其中，所述加热器结构包括中间加热器段；相变元件(pce)，位于所述加热器结构上面；以及热阻挡结构，垂直位于所述加热器结构和所述相变元件之间，其中，所述热阻挡结构从所述相变元件的外边缘连续横向延伸至所述中间加热器段的外部区域正上方。

3、本申请的又一些实施例提供了一种用于形成集成芯片的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成加热器结构；在所述加热器结构上方沉积热阻挡层；对所述热阻挡层实施第一图案化工艺，以在所述加热器结构上方形成热阻挡结构；在所述热阻挡结构上方沉积相变元件(pce)层；以及对所述相变元件层实施第二图案化工艺以在所述热阻挡结构上方形成相变元件，其中，所述热阻挡结构的长度大于所述相变元件的长度。

技术特征：

1.一种集成芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述热阻挡结构包括第一外部加热器段、第二外部加热器段和从所述第一外部加热器段连续横向延伸至所述第二外部加热器段的中间加热器段，其中，所述第一外部加热器段和所述第二外部加热器段的宽度大于所述中间加热器段的宽度。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述相变元件位于所述中间加热器段正上面，并且其中，所述中间加热器段的长度大于所述相变元件的长度。

4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述相变元件的宽度大于所述中间加热器段的宽度。

5.根据权利要求2所述的集成芯片，还包括：

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，当从上方观察时，所述加热器结构和所述热阻挡结构具有第一形状，并且所述相变元件具有与所述第一形状不同的第二形状，其中，所述加热器结构的面积大于所述热阻挡结构的面积。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

8.根据权利要求7所述的集成芯片，其中，所述侧壁间隔件结构和所述热阻挡结构分别包括非氧基介电材料。

9.一种集成芯片，包括：

10.一种用于形成集成芯片的方法，所述方法包括：

技术总结
本公开实施例针对包括位于半导体衬底上面的加热器结构的集成芯片。相变元件(PCE)设置在加热器结构上方。热阻挡结构设置在加热器结构和PCE之间。PCE的外侧壁在热阻挡结构的外侧壁之间横向间隔开。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。

技术研发人员：杨宗学
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19