改善保护膜溢胶的方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种改善保护膜溢胶的方法。

背景技术：

1、在对12寸晶圆的背面进行研磨的过程中，需要在晶圆正面贴保护膜来保护正面图形，使其避免被破坏，而保护膜通常是由胶层、填充层及基材组成(如图1所示)，在对晶圆背面研磨的过程中，晶圆受力被挤压，柔软的胶层和填充层被挤压溢出至晶圆边缘而在晶圆边缘形成残留，产生溢胶缺陷(如图2所示)，在这种情况下，对晶圆进行撕膜时将会无法去除残留在晶圆边缘的残留，晶圆边缘粘性增大，从而导致后续制程中进行传片时粘片异常频发，破片风险高。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善保护膜溢胶的方法，用于改善现有的保护膜溢胶的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善保护膜溢胶的方法，所述方法包括：

3、提供一背面待研磨的晶圆；

4、于晶圆的正面贴上保护膜，并在贴膜过程中，对所述保护膜进行切割以使得所述保护膜的边沿由下到上呈倾斜状态，倾斜的角度大于0°小于90°；

5、其中，所述保护膜至少包括uv胶层及位于其上方的基材，晶圆的正面为与晶圆的背面相对应的一面。

6、可选地，所述保护膜的边沿由下到上倾斜的角度大于45°小于90°。

7、可选地，对所述保护膜进行切割的方法包括：

8、将晶圆水平置于胶膜切割装置中，且所述胶膜切割装置包括割膜刀架及切割刀片，所述割膜刀架位于晶圆的上方，其末端设有所述切割刀片，其中，所述切割刀片用于切割所述保护膜；

9、调整所述切割刀片使其在上下方向上所在的直线与晶圆所在平面之间的第一夹角的角度小于90°，并使其以第二夹角沿着晶圆的边沿对所述保护膜进行切割，且所述第二夹角的角度小于90°，其中，所述第二夹角为所述切割刀片在晶圆边沿某一点处的切割线与晶圆中心与该点的连线之间所形成的角。

10、可选地，所述第一夹角大于80°小于90°。

11、可选地，所述第二夹角大于85°小于90°。

12、可选地，所述保护膜还包括填充层，且所述填充层位于所述uv胶层与所述基材之间。

13、可选地，所述基材包括pet基材。

14、如上所述，本发明的改善保护膜溢胶的方法，通过在待减薄晶圆的贴膜过程中，利用非垂直的切割刀架(也即是非垂直的切割刀片)定义第一夹角及第二夹角，使二者的角度均小于90°，从而使得保护膜边缘实现梯形结构的构造，进而使得保护膜在研磨过程中受到的挤压作用得到有效降低，改善晶圆边缘的溢胶，降低因溢胶导致的传输报警率和破片率。

技术特征：

1.一种改善保护膜溢胶的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善保护膜溢胶的方法，其特征在于，所述保护膜的边沿由下到上倾斜的角度大于45°小于90°。

3.根据权利要求1或2所述的改善保护膜溢胶的方法，其特征在于，对所述保护膜进行切割的方法包括：

4.根据权利要求3所述的改善保护膜溢胶的方法，其特征在于，所述第一夹角大于80°小于90°。

5.根据权利要求3所述的改善保护膜溢胶的方法，其特征在于，所述第二夹角大于85°小于90°。

6.根据权利要求1所述的改善保护膜溢胶的方法，其特征在于，所述保护膜还包括填充层，且所述填充层位于所述uv胶层与所述基材之间。

7.根据权利要求1～6任一项所述的改善保护膜溢胶的方法，其特征在于，所述基材包括pet基材。

技术总结
本发明提供一种改善保护膜溢胶的方法，所述方法包括：提供一背面待研磨的晶圆；于晶圆的正面贴上保护膜，并在贴膜过程中，对所述保护膜进行切割以使得所述保护膜的边沿由下到上呈倾斜状态，倾斜的角度大于0°小于90°；其中，所述保护膜至少包括UV胶层及位于其上方的基材，晶圆的正面为与晶圆的背面相对应的一面。通过本发明改善现有的保护膜溢胶的问题。

技术研发人员：李欢,沈家伟,张皓,许有超
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11