芯片转移方法、可弹性形变结构以及阵列基板与流程

本申请涉及芯片转移，特别涉及一种芯片转移方法、可弹性形变结构以及阵列基板。

背景技术：

1、微型发光二极管（micro-light emitting diode，micro-led）显示技术自出现以来，因其响应速度快、功耗低、寿命长以及发光效率高等优点引起了广泛关注，被认为是继液晶显示器（liquid crystal display，lcd）之后的下一代显示技术。micro-led全彩显示器是由数百万个三色rgb芯片组成，因此需要将micro-led芯片从各自生长衬底上巨量转移至接收基板即驱动电路板上，实现rgb排布。

2、现有巨量转移技术方案中，分别将r/g/b三色micro-led芯片从各自生长衬底上剥离至中间衬底，然后通过转移技术，依次将三色micro-led芯片分别从各自中间衬底转移至接收基板上。然而，为了满足显示器屏幕每英寸所拥有的像素数目的要求，转移至接收基板上的micro-led芯片的间距一般较小，因此对三色micro-led芯片从各自中间衬底转移至接收基板上的精度（micro-led芯片之间的间距）有较高要求，采用上述所述的芯片巨量转移的技术方案难以实现较高的转移精度，从而大大提高转移难度。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种芯片转移方法、可弹性形变结构以及阵列基板，可实现更小间距的micro-led芯片，满足了micro-led芯片转移过程中对转移精度的高要求，有利于降低micro-led芯片的转移难度。

2、第一方面，本申请提供了一种芯片转移方法，包括：

3、将生长基板上形成的阵列排布的芯片与暂存结构粘附；

4、剥离所述生长基板，将所述芯片转移至所述暂存结构；

5、将所述暂存结构上的所述芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构，转移至所述可弹性形变结构上的所述芯片按照预设间距排布；

6、恢复所述可弹性形变结构的原始尺寸，将所述可弹性形变结构上的所述芯片转移至接收基板。

7、在一些实施例中，将生长基板上形成的阵列排布的芯片与暂存结构粘附，包括：

8、提供形成有阵列排布芯片的所述生长基板；

9、将所述暂存结构的粘附面与所述生长基板上的所述芯片压合。

10、在一些实施例中，剥离生长基板，包括：

11、采用机械剥离技术、化学剥离技术以及激光剥离技术中的任一种剥离所述生长基板。

12、在一些实施例中，将所述暂存结构上的所述芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构，包括：

13、将所述可弹性形变结构拉伸至预设尺寸；

14、将所述暂存结构上形成有芯片的一面朝向所述可弹性形变结构的粘附面；

15、选择性剥离所述暂存结构上的所述芯片，将所述芯片转移至所述可弹性形变结构。

16、在一些实施例中，将所述暂存结构上的所述芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构之后，芯片转移方法还包括：

17、对转移至所述可弹性形变结构上的所述芯片进行缺陷检测和修复。

18、在一些实施例中，将所述可弹性形变结构上的所述芯片转移至接收基板，包括：

19、将所述可弹性形变结构上的所述芯片与所述接收基板键合；

20、剥离所述可弹性形变结构，将所述芯片转移至所述接收基板。

21、在一些实施例中，所述暂存结构包括衬底和所述衬底上的粘胶层；

22、所述衬底包括硅、碳化硅和砷化镓中的任一种，所述粘胶层包括热塑胶。

23、第二方面，本申请还提供了一种可弹性形变结构，应用于如第一方面所述的芯片转移方法。

24、在一些实施例中，所述可弹性形变结构包括可弹性形变基底，所述可弹性形变基底包括聚二甲基硅氧烷。

25、第三方面，本申请还提供了一种阵列基板，采用如第一方面所述的芯片转移方法制备形成。

26、本申请实施例提供的芯片转移方法，包括：将生长基板上形成的阵列排布的芯片与暂存结构粘附；剥离生长基板，将芯片转移至暂存结构；将暂存结构上的芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构，转移至可弹性形变结构上的芯片按照预设间距排布；恢复可弹性形变结构的原始尺寸，将可弹性形变结构上的芯片转移至接收基板。由此，通过在转移过程中采用可弹性形变结构，先将micro-led芯片按照预设间距转移至拉伸的可弹性形变结构上，之后恢复可弹性形变结构至原始尺寸，将恢复原始尺寸的可弹性形变结构上的micro-led芯片转移至接收基板上，有利于实现更小间距的micro-led芯片，满足了micro-led芯片转移过程中对转移精度的高要求，进而有利于降低转移难度。

技术特征：

1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，将生长基板上形成的阵列排布的芯片与暂存结构粘附，包括：

3.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，剥离生长基板，包括：

4.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，将所述暂存结构上的所述芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构，包括：

5.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，将所述暂存结构上的所述芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构之后，还包括：

6.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，将所述可弹性形变结构上的所述芯片转移至接收基板，包括：

7.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述暂存结构包括衬底和所述衬底上的粘胶层；

8.一种可弹性形变结构，其特征在于，应用于如权利要求1-7任一项所述的芯片转移方法。

9.根据权利要求8所述的可弹性形变结构，其特征在于，所述可弹性形变结构包括可弹性形变基底，所述可弹性形变基底包括聚二甲基硅氧烷。

10.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的芯片转移方法制备形成。

技术总结
本申请涉及芯片转移技术领域，特别涉及一种芯片转移方法、可弹性形变结构以及阵列基板。其中，芯片转移方法包括：将生长基板上形成的阵列排布的芯片与暂存结构粘附；剥离生长基板，将芯片转移至暂存结构；将暂存结构上的芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构，转移至可弹性形变结构上的芯片按照预设间距排布；恢复可弹性形变结构的原始尺寸，将可弹性形变结构上的芯片转移至接收基板。本申请的技术方案，可实现更小间距的Micro‑LED芯片，满足了Micro‑LED芯片转移过程中对转移精度的高要求，有利于降低Micro‑LED芯片的转移难度。

技术研发人员：温海键,梁秋敏,岳大川,蔡世星,李小磊,伍德民
受保护的技术使用者：季华实验室
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16