用于处理基板的方法与流程

本文描述的本发明的构思的实施例涉及一种基板处理方法，更具体地涉及一种用于加热基板的基板处理方法。

背景技术：

1、用于在晶片上形成图案的光刻过程包括曝光过程。曝光过程是用于将粘附到晶片的半导体集成材料切割成期望的图案的初步操作。曝光过程可以具有多种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。曝光过程使用作为一种“框架”的掩模以在晶片上用光绘制图案。如果晶片上的半导体集成材料(诸如晶片上的光致抗蚀剂)暴露于光，则光致抗蚀剂的化学性质根据光和掩模的图案而改变。如果向化学性质已经根据图案而改变的光致抗蚀剂供应显影剂，则在晶片上形成图案。

2、为了准确地执行曝光过程，必须精确地制造形成在掩模上的图案。应检查形成的图案是否满足所需的过程条件。在一个掩模中形成大量图案。因此，为了检查一个掩模，操作者需要花费大量时间来检查所有的大量图案。因此，在掩模上形成能够表示包括多个图案的一个图案组的监控图案。另外，在掩模上形成能够表示多个图案组的锚定图案。操作者可以通过检查监控图案来估计一个图案组中包括的图案的量。另外，操作者可以通过检查锚定图案来估计形成在掩模上的图案的量。

3、另外，为了提高掩模的检查精度，优选的是监控图案和锚定图案的关键尺寸相同。额外地执行用于精确地校正形成在掩模上的图案的关键尺寸的关键尺寸校正过程。

4、图1示出关于在掩模制造过程期间执行关键尺寸校正过程之前掩模的监控图案的第一关键尺寸cdp1和锚定图案的第二关键尺寸cdp2的正态分布。另外，第一关键尺寸cdp1和第二关键尺寸cdp2具有小于目标关键尺寸的大小。在执行关键尺寸校正过程之前，监控图案和锚定图案的关键尺寸cd故意地偏离。而且，通过在关键尺寸校正过程中额外地蚀刻锚定图案，使两个图案的关键尺寸相同。如果在额外地蚀刻锚定图案的过程中，锚定图案比监控图案被蚀刻更多，则由于监控图案与锚定图案之间的差异，形成在掩模上的图案的关键尺寸不能被准确校正。当额外蚀刻锚定图案时，必须伴随锚定图案的精确蚀刻。

5、当在执行关键尺寸校正过程之前执行某一过程时，使掩模疏水。更具体地，掩模可能因形成在掩模上的氧化物而具有疏水性。如果向掩模供应蚀刻剂以局部蚀刻形成在掩模上的锚定图案，则降低与疏水掩模的亲和力。因此，蚀刻剂不均匀地涂覆在掩模上，并且即使稍后局部加热锚定图案，也无法精确蚀刻锚定图案。另外，执行关键尺寸校正过程的每个掩模的亲水程度各有不同。也就是说，掩模之间的亲水程度各有不同。如果以相同方式应用用于将蚀刻剂供应到具有不同亲水程度的掩模的机制，则将蚀刻剂涂覆到每个掩模的程度可能不同。在这种情况下，由于锚定图案的蚀刻程度对于每个掩模都不同，因此该过程的均匀性降低。

技术实现思路

1、本发明构思的实施例提供一种用于精确地蚀刻基板的特定区域的基板处理方法。

2、本发明构思的实施例提供一种用于通过将蚀刻剂均匀地涂覆在基板上来精确地蚀刻基板的特定区域的基板处理方法。

3、本发明构思的实施例提供一种用于基于基板的亲水化程度来灵活地应用蚀刻剂的供应机制的基板处理方法。

4、本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。

5、本发明构思提供一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：将液体供应到基板；以及在供应所述液体之后对所述基板进行加热，并且其中供应所述液体包括：将第一液体供应到所述基板；以及将不同于所述第一液体的第二液体供应到被供以所述第一液体的基板，并且其中将所述第二液体作为测试供应到所述基板，并且测量所供应的所述第二液体与所述基板之间的接触角以确定所述基板的亲水化程度，并且在执行供应所述第二液体之前，基于所确定的所述基板的所述亲水化程度来确定供应到所述基板的所述第二液体的供应机制。

6、在实施例中，所述供应机制包括供应到所述基板的所述第二液体的供应时间、供应到所述基板的所述第二液体的供应位置和所述第二液体的排放角度中的至少一者。

7、在实施例中，所述第二液体的所述排放角度根据喷嘴相对于所述基板的顶表面的角度而改变，并且所述第二液体的所述排放角度根据所述第二液体的所述供应位置进行调整以改变所述供应机制。

8、在实施例中，所述第二液体的所述供应时间根据所述第二液体的所述排放角度进行调整以改变所述供应机制。

9、在实施例中，在供应所述第一液体中将所述第一液体供应到所述基板以使疏水基板亲水。

10、在实施例中，所述基板是掩模，并且所述掩模具有在多个单元内形成的第一图案和在形成有所述单元的区域外形成的第二图案，并且对所述基板进行加热包括通过向所述第二图案照射激光来对所述第一图案和所述第二图案当中的所述第二图案进行加热。

11、在实施例中，在将所述第二液体供应到所述基板之前，所述第一图案的关键尺寸大于所述第二图案的关键尺寸。

12、在实施例中，在对所述基板进行加热之后，所述第一图案的关键尺寸和所述第二图案的关键尺寸在误差范围内相匹配。

13、在实施例中，供应所述第一液体的室和供应所述第二液体的室彼此不同。

14、在实施例中，在供应所述第二液体时，将所述第二液体供应到已经停止旋转的基板。

15、在实施例中，所述基板处理方法还包括将冲洗液体供应到旋转的基板以清洁所述基板。

16、在实施例中，所述第一液体包括硫酸，并且所述第二液体包括用于蚀刻形成在所述基板上的图案的蚀刻剂。

17、本发明构思提供一种掩模处理方法。所述掩模处理方法包括：通过供应第一液体来使掩模亲水；蚀刻所述掩模的特定区域；以及清洁所述掩模，并且其中蚀刻所述特定区域包括：将不同于所述第一液体的第二液体供应到所述掩模；以及通过向供应了所述第二液体的所述掩模的所述特定区域照射激光来对所述特定区域进行加热，并且其中在供应所述第二液体时，基于被供应到所述掩模的所述第二液体与所述掩模之间的接触角来确定供应到所述掩模的所述第二液体的供应机制。

18、在实施例中，所述供应机制包括供应到所述掩模的所述第二液体的供应时间、供应到所述掩模的所述第二液体的供应位置和/或所述第二液体的排放角度。

19、在实施例中，基于所述接触角来确定所述掩模的亲水化程度，并且当所确定的所述亲水化程度越小时，增加所述第二液体的所述供应时间以改变所述供应机制。

20、在实施例中，基于所述接触角来确定所述掩模的亲水化程度，并且当所确定的所述亲水化程度越小时，将所述第二液体的所述供应位置朝向所述掩模的中心移动以改变所述供应机制。

21、在实施例中，基于所述接触角来确定所述掩模的亲水化程度，并且当所确定的所述亲水化程度越小时，增大所述第二液体的所述排放角度以改变所述供应机制。

22、在实施例中，所述掩模具有在多个单元内形成的第一图案和在形成有所述单元的区域外形成的第二图案，并且对所述特定区域进行加热包括通过向所述第二图案照射激光来对所述第一图案和所述第二图案当中的所述第二图案进行加热。

23、在实施例中，在蚀刻所述特定区域之前，所述第一图案的关键尺寸大于所述第二图案的关键尺寸，并且在蚀刻所述特定区域之后，所述第一图案的关键尺寸对应于所述第二图案的关键尺寸。

24、本发明构思的实施例提供一种用于处理基板的基板处理方法，所述基板具有第一图案和不同于所述第一图案的第二图案。所述基板处理方法包括：将第一液体供应到所述基板以使所述基板亲水；将第二液体供应到所述基板；通过向所述第二图案照射激光来局部加热所述第二图案；以及将冲洗液体供应到所述基板，并且其中在第一室中执行所述第一液体的供应，在不同于所述第一室的第二室处执行所述第二液体的供应、所述第二图案的所述局部加热以及所述冲洗液体的供应，在供应所述第二液体之前，所述第一图案的关键尺寸大于所述第二图案的关键尺寸，并且在局部加热所述第二图案之后，蚀刻所述第二图案，使得所述第一图案的关键尺寸和所述第二图案的关键尺寸在误差范围内相匹配，将所述第二液体作为测试供应到所述基板，并且测量所供应的所述第二液体与所述基板之间的接触角以确定所述基板的亲水化程度，并且在执行所述第二液体的供应之前，基于所确定的所述基板的所述亲水化程度来确定供应到所述基板的所述第二液体的供应机制，并且所述供应机制包括供应到所述基板的所述第二液体的供应时间、供应到所述基板的所述第二液体的供应位置和所述第二液体的排放角度中的至少一者。

25、根据本发明构思的实施例，可以精确地蚀刻基板的特定区域。

26、根据本发明构思的实施例，可以通过将蚀刻剂均匀地涂覆在所述基板上来精确地蚀刻基板的特定区域。

27、根据本发明构思的实施例，可以基于基板的亲水化程度来灵活地应用蚀刻剂的供应机制。

28、本发明构思的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将变得显而易见。