一种双断口真空断路器的阻容均压系统的制作方法

本申请涉及高压开关设备，特别是涉及一种双断口真空断路器的阻容均压系统。

背景技术：

1、断路器是电力系统控制和保护的重要设备，真空断路器在中低压领域得到广泛应用。目前在电力系统挂网运行的高压断路器主要有sf6断路器和真空断路器两种。而由于sf6作为温室气体，大量使用会对环境造成严重的破坏，而真空断路器凭借其良好的抗低温能力，使用寿命长、无污染、免维护等优势，在中低压领域占据了主要地位。真空灭弧室作为真空断路器最重要的部件，其绝缘能力、开断能力以及通流能力直接决定着真空断路器的性能优劣。目前真空灭弧室的发展方向主要分为两个部分，分别是小型化和高电压等级。在高压领域，由于单断口真空灭弧室的击穿电压与真空间隙大小之间存在饱和效应，单断口真空断路器电压等级一般低于126kv，真空断路器向超特高压领域发展需采用多断口串联技术，另外在容性投切领域也采用双断口断路器解决弧后重燃的问题。

2、然而，串联构成的双断口真空灭弧室由于各个断口对地杂散电容的影响，各个断口的电压分布极不均匀，高压侧承受的电压甚至比低压侧多一倍。这对断路器的开断极为不利，必须采取合适的均压措施提高各个断口的电压分布均匀性。

3、为了提高双断口真空断路器高低压侧电压分布不均的问题，目前行业内主要采用在各个断口并联电容或阻容元件均压。

4、如图1所示，在多个串联高压机械开每个断口旁单纯的并联一个均压电容c。这种方法是最常用的均压方式。优点是随着电容值的增大，其均压效果越明显。缺点如下：

5、1、过大的并联电容会引起额外的能量损耗。并联电容本身具有等效电阻，当电流通过并联电容时会产生额外的热损耗，导致系统效率下降。

6、2、实际应用中，过大的并联电容还可能导致断路器的尺寸和重量增加，给设备的安装和维护带来不便。

7、3、并联电容过大可能会引起电压波动。当电流突然切断时，过大的并联电容充电电流较大，可能导致系统的电压波动，不利于开断。

8、公开号为cn207938525u的中国专利公开了一种用于自均压式多断口真空断路器的真空灭弧室，通过筒状的bst陶瓷电容作为真空灭弧室的均压电容，实现均压电容与真空灭弧室的一体化集成，但由于陶瓷介质很难加工较长的筒状陶瓷电容器，一般长度小于100mm，长度过长则将降低其机械强度和电容量大小，不利于其均压。

技术实现思路

1、本申请提供一种双断口真空断路器的阻容均压系统，以此能够有效的阻断双断口真空断路器在开合过程中产生的放电电流，从而使得两个断口间的电压分布更加均匀；同时也避免了在每个灭弧室两端串联一个电阻而造成的装置成本体积增大以及散热问题。

2、所述均压系统包括：

3、第一真空断路器和第二真空断路器，所述第一真空断路器和所述第二真空断路器串联连接并与外接母线连接；

4、第一均压电容和第二均匀电容，所述第一均压电容和第二均匀电容串联连接，所述第一均压电容和第二均匀电容分别与所述第一真空断路器和第二真空断路器并联；

5、桥接电阻，所述桥接电阻一端连接在所述第一真空断路器和所述第二真空断路器之间，所述桥接电阻的另一端连接在所述第一均压电容和所述第二均匀电容之间。

6、优选的，所述均匀电阻为可调电阻。

7、优选的，所述第一均压电容并联在所述第一真空断路器的两端；

8、所述第二均匀电容并联在所述第二真空断路器的两端。

9、优选的，所述第一真空断路器和所述第二真空断路器封装于极柱的内部。

10、优选的，所述第一均压电容、所述第二均匀电容和所述桥接电阻封装在所述极柱的外壳中，所述极柱的外壳中填充绝缘材料。

11、优选的，所述填充绝缘材料为固化有机绝缘材料或绝缘气体。

12、优选的，所述第一均压电容和所述第二均匀电容的电容量均为500pf±5％；

13、所述桥接电阻的阻值为100kω-200kω±5％。

14、优选的，所述桥接电阻的要求等级为环境温度-25～55℃，允许偏差为0～5％。

15、优选的，所述第一均压电容和第二均匀电容均为高压电容，所述桥接电阻为高压电阻。

16、本申请提供一种双断口真空断路器的阻容均压系统，所述均压系统包括第一真空断路器和第二真空断路器，所述第一真空断路器和所述第二真空断路器串联连接并与外接母线连接；第一均压电容和第二均匀电容，所述第一均压电容和第二均匀电容串联连接，所述第一均压电容和第二均匀电容分别与所述第一真空断路器和第二真空断路器并联；桥接电阻，所述桥接电阻一端连接在所述第一真空断路器和所述第二真空断路器之间，所述桥接电阻的另一端连接在所述第一均压电容和所述第二均匀电容之间。本申请提供的均压系统能够有效的阻断双断口真空断路器在开合过程中产生的放电电流，从而使得两个断口间的电压分布更加均匀；同时也避免了在每个灭弧室两端串联一个电阻而造成的装置成本体积增大以及散热问题。

技术特征：

1.一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述均压系统包括：

2.根据权利要求1所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述均匀电阻(500)为可调电阻。

3.根据权利要求1所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述第一均压电容(300)并联在所述第一真空断路器(100)的两端；

4.根据权利要求1所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述第一真空断路器(100)和所述第二真空断路器(200)封装于极柱(600)的内部。

5.根据权利要求4所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述第一均压电容(300)、所述第二均匀电容(400)和所述桥接电阻(500)封装在所述极柱(600)的外壳中，所述极柱(600)的外壳中填充绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述填充绝缘材料为固化有机绝缘材料或绝缘气体。

7.根据权利要求2所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述第一均压电容(300)和所述第二均匀电容(400)的电容量均为500pf±5％；

8.根据权利要求1所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述桥接电阻(500)的要求等级为环境温度-25～55℃，允许偏差为0～5％。

9.根据权利要求1所述的一种双断口真空断路器的阻容均压系统，其特征在于，所述第一均压电容(300)和第二均匀电容(400)均为高压电容，所述桥接电阻(500)为高压电阻。

技术总结
本申请提供一种双断口真空断路器的阻容均压系统，均压系统包括第一真空断路器和第二真空断路器，第一真空断路器和第二真空断路器串联连接并与外接母线连接；第一均压电容和第二均匀电容，第一均压电容和第二均匀电容串联连接，第一均压电容和第二均匀电容分别与第一真空断路器和第二真空断路器并联；桥接电阻，桥接电阻一端连接在第一真空断路器和第二真空断路器之间，桥接电阻的另一端连接在第一均压电容和第二均匀电容之间。本申请提供的均压系统能够有效的阻断双断口真空断路器在开合过程中产生的放电电流，从而使得两个断口间的电压分布更加均匀；同时也避免了在每个灭弧室两端串联一个电阻而造成的装置成本体积增大以及散热问题。

技术研发人员：李洪伟,王科,彭晶,邹德旭,李文亮,王成龙,徐学帅,黄建涛,马留二,黄博,史俊,陈云浩,罗巍,李学妨,周海成,朱文友,汪宇,王欢,熊晓川,王其冬,胡勇,刘乐,史翠红,曾江,张悦,徐姣,杨佳鑫,虢文兵,刘兴涛,罗超,马思哲,苏伟基,尹丕祥,朱振华,吴国天,陈仕骄,苏煜,杨昌隆,徐良涛,刘荣胜,付斌,许敏,顾延胜,王剑东,赵熙靖
受保护的技术使用者：云南电网有限责任公司普洱供电局
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21