垂直固态装置的制作方法

本发明涉及垂直固态装置、垂直固态装置的侧向导电操纵及垂直固态装置的制造方法。本发明还涉及在装置衬底或系统衬底上制作由触点阵列界定的集成式微型装置阵列。

背景技术：

1、将微型光电子装置集成到系统衬底中可产生高性能且高功能性系统。然而，为降低成本且形成较高像素密度装置，应减小光电子装置的大小。光电子装置的实例为传感器及发光装置，例如发光二极管(led)。然而，随着光电子装置的大小减小，装置性能可开始变差。性能降低的一些原因包含由缺陷引起的较高泄漏电流、拥挤在界面处的电荷、不平衡电荷及非想要复合，例如奥杰复合及非辐射复合。

2、发光二极管(led)及led阵列可归类为垂直固态装置。微型装置可为传感器、发光二极管(led)或者生长、沉积或单片式地制作于衬底上的任何其它固体装置。所述衬底可为装置层的同质衬底或接收器衬底，装置层或固态装置转移到所述接收器衬底。

3、各种转移及接合方法可用于将装置层转移且接合到系统衬底。在一个实例中，热及压力可用于将装置层接合到系统衬底。在垂直固态装置中，在垂直方向上的电流流动主要地定义装置的功能性。

4、将led图案化成微型大小装置以形成用于显示器应用的led阵列伴随数个问题发生，所述数个问题包含材料利用率、有限ppi及缺陷形成。

5、本发明的目标为通过提供经改进垂直固态装置而克服现有技术的缺点。

6、出于让申请人相信已知信息可能与本发明有关的目的而提供此背景信息。不必承认，也不应解释：任何前面信息均构成针对本发明的现有技术。

技术实现思路

1、本发明涉及一种包含微型装置阵列的光电子装置，所述光电子装置包括：

2、背板，其包括控制流动到所述微型装置中的电流的驱动电路及连接到所述驱动电路的垫阵列；

3、底部触点阵列，其电连接到所述驱动电路；

4、装置层，其包含单片式有源层；

5、顶部触点阵列，其与所述底部触点阵列对应；

6、共同顶部电极，其连接到所有所述顶部触点。

7、本发明的另一实施例涉及一种制作包含微型装置阵列的光电子装置的方法，所述方法包括：

8、在衬底上形成装置层，所述装置层包含单片式有源层；

9、在所述装置层上形成界定所述微型装置阵列的第一触点阵列；

10、将所述第一触点阵列安装到背板，所述背板包括控制流动到所述微型装置阵列中的电流的驱动电路及连接到所述驱动电路的垫阵列；

11、移除所述衬底；及

12、形成与所述第一触点阵列对应的第二触点阵列。

技术特征：

1.一种包含微型装置阵列的光电子装置，所述光电子装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个顶部触点包括与所述底部触点对应的顶部触点阵列。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述顶部触点阵列包括从所述顶部导电层延伸的与所述顶部触点阵列对应的顶部导电层区段阵列。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述顶部触点阵列包含在每一顶部触点之间的势垒。

5.根据权利要求4所述的装置，其进一步包括在所述共同顶部电极的顶部上与所述顶部触点阵列对应的彩色转换元件阵列，其中在每一彩色转换元件之间具有堤岸结构。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述堤岸结构及所述势垒构成同一经组合堤岸结构；且其中所述共同顶部电极包含用于接纳所述经组合堤岸结构的凹部。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述顶部触点阵列包含在每一顶部触点之间的势垒；且其中每一势垒包括从所述顶部导电层延伸的顶部导电层区段阵列；且所述装置进一步包括在所述顶部导电层区段与所述共同顶部电极之间的电介质层。

8.根据权利要求7所述的装置，其进一步包括在所述顶部导电层区段阵列之间的与所述顶部触点阵列对应的彩色转换元件阵列。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述共同顶部电极包含与所述底部触点阵列对应且在所述顶部导电层区段之间延伸的凸起区段阵列。

10.根据权利要求9所述的装置，其进一步包括在所述凸起区段中的每一者与所述顶部导电层之间的彩色转换元件。

技术总结
本申请涉及垂直固态装置。随着光电子装置的像素密度变得更高，且所述光电子装置的大小变得更小，隔离个别微型装置的问题变得更困难。一种制作包含微型装置阵列的光电子装置的方法包括：在衬底上形成包含单片式有源层的装置层结构；在所述装置层结构上形成界定所述微型装置阵列的第一触点阵列；将所述第一触点阵列安装到背板，所述背板包括控制流动到所述微型装置阵列中的电流的驱动电路；移除所述衬底；及形成与所述第一触点阵列对应的第二触点阵列，其中在每一第二触点之间具有势垒。

技术研发人员：格拉姆雷扎·查济
受保护的技术使用者：维耶尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19