图像传感器的制作方法

文档序号:38195414发布日期:2024-06-03 13:41阅读:31来源:国知局

本公开涉及图像传感器。


背景技术:

1、图像传感器是将光学信息转换为电信号的半导体器件。图像传感器可以包括电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器。

2、图像传感器可以以封装形式布置。封装可以保护图像传感器并允许光进入图像传感器的光接收表面或感测区域。


技术实现思路

1、本发明的方面提供了具有提高的产品可靠性的图像传感器。

2、然而,本公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述,本公开的上述和其他的方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

3、根据本公开的一实施方式,一种图像传感器包括第一基板,第一基板包括在第一方向上彼此相反的第一侧和第二侧。光电转换元件在第一基板中。第一栅电极在第一基板的第一侧,并与光电转换元件相邻定位。浮置扩散区在第一栅电极的一侧在第一基板中。第一布线结构在第一基板的第一侧。第一布线结构包括第一布线层和在第一布线层上的第一接合焊盘。第二基板包括与第一侧相对的第三侧和与第三侧相反的第四侧。第二和第三栅电极在第二基板的第三侧彼此间隔开。杂质区在第二栅电极的一侧在第二基板中。第二布线结构在第二基板的第三侧。第二布线结构包括第二布线层和在第二布线层上的第二接合焊盘。第四栅电极在第二基板的第四侧。第三布线结构在第二基板的第四侧。第三布线结构包括第三布线层。第二接合焊盘直接接触第一接合焊盘。浮置扩散区通过第一布线结构和第二布线结构连接到杂质区。

4、根据本公开的一实施方式,一种图像传感器包括具有位于其中的多个像素组的第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一和第二半导体芯片在第一方向上堆叠。第一半导体芯片包括第一基板,第一基板包括在第一方向上彼此相反的第一侧和第二侧。第一像素在第一基板的第一侧。第一像素包括第一-1晶体管和在第一基板中的第一光电转换元件。第二像素在第一基板的第一侧。第二像素包括第一-2晶体管和在第一基板中的第二光电转换元件。第三像素在第一基板的第一侧。第三像素包括第一-3晶体管和在第一基板中的第三光电转换元件。第四像素在第一基板的第一侧。第四像素包括第一-4晶体管和在第一基板中的第四光电转换元件。浮置扩散区在第一基板中连接到第一-1至第一-4晶体管。浮置扩散区设置在第一至第四像素之间。第一布线结构在第一基板的第一侧。第一布线结构包括第一布线层。第二半导体芯片包括第二基板,第二基板包括与第一侧相对的第三侧和与第三侧相反的第四侧。第二布线结构在第二基板的第三侧。第二布线结构包括第二布线层。第二和第三晶体管在第二基板的第三侧。第二和第三晶体管彼此间隔开。第四晶体管在第二基板的第四侧。第三布线结构在第二基板的第四侧。第三布线结构包括第三布线层。多个像素组中的每个包括第一至第四像素、浮置扩散区和第二至第四晶体管。

5、根据本公开的一实施方式,一种图像传感器包括第一基板,第一基板包括在第一方向上彼此相反的第一侧和第二侧。滤色器在第一基板的第二侧。微透镜在滤色器上。光电转换元件在第一基板内部。第一栅电极在第一基板的第一侧。第一栅电极与光电转换元件相邻定位。浮置扩散区在第一栅电极的一侧在第一基板中。第一布线结构在第一基板的第一侧。第一布线结构包括第一布线层和在第一布线层上的第一接合焊盘。第二基板包括与第一侧相对的第三侧和与第三侧相反的第四侧。第二和第三栅电极在第二基板的第三侧。第二和第三栅电极彼此间隔开。杂质区在第二栅电极的一侧在第二基板内部。第二布线结构在第二基板的第三侧。第二布线结构包括第二布线层和在第二布线层上的第二接合焊盘。第二接合焊盘直接接触第一接合焊盘。第四栅电极在第二基板的第四侧。第三布线结构在第二基板的第四侧。第三布线结构包括第三布线层、穿透第二基板并且连接到第二布线层和第三布线层的接触、以及在第三布线层上的第三接合焊盘。第三基板包括与第四侧相对的第五侧。第五栅电极在第三基板的第五侧。第四布线结构在第三基板的第五侧。第四布线结构包括第四布线层和在第四布线层上的第四接合焊盘。第一接合焊盘直接接触第二接合焊盘。第三接合焊盘直接接触第四接合焊盘。浮置扩散区通过第一布线结构和第二布线结构连接到杂质区和第三栅电极。



技术特征:

1.一种图像传感器,包括:

2.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括:

3.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括:

4.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括:

5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二布线结构进一步包括:

6.根据权利要求1所述的图像传感器,

7.根据权利要求1所述的图像传感器,

8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中:

9.根据权利要求1所述的图像传感器,

10.根据权利要求1所述的图像传感器,

11.一种图像传感器,包括:

12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中:

13.根据权利要求11所述的图像传感器,其中:

14.根据权利要求11所述的图像传感器,其中:

15.根据权利要求11所述的图像传感器,进一步包括:

16.根据权利要求11所述的图像传感器,其中:

17.根据权利要求11所述的图像传感器,进一步包括:

18.根据权利要求11所述的图像传感器,其中:

19.一种图像传感器,包括:

20.根据权利要求19所述的图像传感器,进一步包括:


技术总结
一种图像传感器包括具有光电转换元件的第一基板。第一栅电极在第一基板的第一侧。浮置扩散区在第一基板中。第一布线结构在第一侧,并包括第一布线层和第一接合焊盘。第二基板具有包括第二和第三栅电极的第三侧。杂质区在第二基板中。第二布线结构在第三侧,并包括第二布线层和直接接触第一接合焊盘的第二接合焊盘。第四栅电极在第二基板的第四侧。第三布线结构在第四侧并包括第三布线层。浮置扩散区通过第一布线结构和第二布线结构连接到杂质区。

技术研发人员:金大训,金容准
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/6/2
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