一种C波段表面贴装环行器的制作方法

本发明涉及环行器，具体涉及一种c波段表面贴装环行器。

背景技术：

1、5.5g、6g通信需求cband的环行器，体积要求小，损耗低。常规带线结构方案体积较大。单纯微带方案需要用微组装键合工序，不适合通信厂家批生产要求。常用的隔离器或环行器，主要通过装配旋磁片、中心导体、永磁体、测试/调试等多个步骤。生产效率低，工序繁琐，对生产要求较高，使得整体生产成本大大增加，不利于大批量的市场化。

技术实现思路

1、第一方面，本发明提供一种c波段表面贴装环行器，所述的环行器包括树脂壳体，所述树脂壳体限定出下侧敞口的安装腔，所述的安装腔内装设有磁钢、铁氧体片、载体板、树脂基板、输出电极与基板过孔电极，

2、所述铁氧体片设置在磁钢下方，所述的铁氧体片上形成微带电路，所述的铁氧体片紧贴在载体板上方，所述的载体板上设置多个孔槽，所述树脂基板设置在载体板下方，所述的树脂基板上设置有多个基板过孔，所述输出电极设置在树脂基板下方，所述的基板过孔电极穿过基板过孔与孔槽以将实现输出电极与铁氧体片的电极互连。

3、在一些实施方式中，所述的铁氧体片的上表面通过镀膜工艺形成微带电路。

4、在一些实施方式中，所述的输出电极盖合在树脂壳体的下侧敞口。

5、在一些实施方式中，所述的基板上设有多个接地孔。

6、在一些实施方式中，所述的多个接地孔矩阵排列。

7、在一些实施方式中，所述的树脂基板限定出嵌槽，载体板嵌入该嵌槽。

8、在一些实施方式中，所述的树脂基板具有一底板以及自底板周侧向上延伸的的侧壁，所述的底板与侧壁围合出嵌槽，所述的侧壁的部分区域朝向该嵌槽延伸形成多个凸块，所述的多个凸块上分别设有基板过孔，所述的底板上设有多个接地孔；所述的载体板轴向对应该多个凸块的区域形成孔槽，所述孔槽与凸块定位配合且供基板过孔电极穿过。

9、在一些实施方式中，所述的载体板为镀银的铁镍合金板。

10、在一些实施方式中，所述的载体板、树脂基板、输出电极与基板过孔电极一体成型。

11、第二方面，本发明进一步提供一种隔离器，该隔离器包括前述所述的环行器以及负载电阻，所述负载电阻设置在所述环行器上。

12、本发明对微带结构器件进行了改进，通过外接带过孔的基板，实现了器件表贴化。同时器件封装于树脂壳中，电路得到很好的保护。器件既具有微带器件小巧、损耗小、可靠性高的特点，又方便大批量产焊接。

13、本发明提供的环行器工作频带宽、体积小、工艺简单、调试难度小、性能优异，器件结构小巧，可靠性高，适宜于表面贴装，与现有的大规模pcb贴装生产兼容。

技术特征：

1.一种c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的环行器包括树脂壳体，所述树脂壳体限定出下侧敞口的安装腔，所述的安装腔内装设有磁钢、铁氧体片、载体板、树脂基板、输出电极与基板过孔电极，

2.根据权利要求1所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的铁氧体片的上表面通过镀膜工艺形成微带电路。

3.根据权利要求1所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的输出电极盖合在树脂壳体的下侧敞口。

4.根据权利要求1所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的基板上设有多个接地孔。

5.根据权利要求1所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的多个接地孔矩阵排列。

6.根据权利要求2所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的树脂基板限定出嵌槽，载体板嵌入该嵌槽。

7.根据权利要求6所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的树脂基板具有一底板以及自底板周侧向上延伸的的侧壁，所述的底板与侧壁围合出嵌槽，所述的侧壁的部分区域朝向该嵌槽延伸形成多个凸块，所述的多个凸块上分别设有基板过孔，所述的底板上设有多个接地孔；所述的载体板轴向对应该多个凸块的区域形成孔槽，所述孔槽与凸块定位配合且供基板过孔电极穿过。

8.根据权利要求1所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的载体板为镀银的铁镍合金板。

9.根据权利要求1所述的c波段表面贴装环行器，其特征在于，所述的载体板、树脂基板、输出电极与基板过孔电极一体成型。

10.一种隔离器，其特征在于，该隔离器包括如权利要求1-9任意一项所述的环行器以及负载电阻，所述负载电阻设置在所述环行器上。

技术总结
本发明提供一种C波段表面贴装环行器，所述的环行器包括树脂壳体，所述树脂壳体限定出下侧敞口的安装腔，所述的安装腔内装设有磁钢、铁氧体片、载体板、树脂基板、输出电极与基板过孔电极，所述铁氧体片设置在磁钢下方，所述的铁氧体片上形成微带电路，所述的铁氧体片紧贴在载体板上方，所述的载体板上设置多个孔槽，所述树脂基板设置在载体板下方，所述的树脂基板上设置有多个基板过孔，所述输出电极设置在树脂基板下方，所述的基板过孔电极穿过基板过孔与孔槽以将实现输出电极与铁氧体片的电极互连。

技术研发人员：徐海林,李勇,朱卫俊,施旭霞,卢明达,沈得田
受保护的技术使用者：中电科技德清华莹电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19