倒装发光二极管及发光装置的制作方法

本发明涉及半导体，特别涉及一种倒装发光二极管及发光装置。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。

2、现有的发光二极管一般采用将一导电类型的接触电极延伸到另一导电类型的焊盘下方的方式来提高电极的扩展能力，进而提升发光二极管亮度。然而，该设计在制程中，会因接触电极的金属应力大容易导致制程产生的作用力传递到内部无法得到很好的缓冲与释放，而引起dbr层出现断裂或接触电极中活泼金属迁移等异常，进而使得该接触电极与另一导电类型的焊盘之间存在漏电的风险，影响发光二极管的可靠性。

技术实现思路

1、为解决上述现有技术中发光二极管存在的至少一个不足，本发明提供一种倒装发光二极管，包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极、第一焊盘、第二焊盘。

2、外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一接触电极位于所述外延结构上，且电连接所述第一半导体层；第二接触电极位于所述外延结构上，且电连接所述第二半导体层；第一焊盘位于所述第一接触电极上，且与所述第一接触电极电连接；第二焊盘位于所述第二接触电极上，且与所述第二接触电极电连接；

3、所述第一接触电极包括与第一焊盘连接的第一导通部和由第一导通部向外延伸的第一扩展部；至少部分所述第一扩展部的投影与所述第二焊盘重叠，所述第一接触电极含有镍层；所述第一接触电极在沿第一扩展部宽度方向的竖直剖切面上具有位于两侧的倾斜侧壁，两侧所述倾斜侧壁在同一水平面上的倾斜夹角相差不超过10°；和/或，所述第二接触电极包括与第二焊盘连接的第二导通部和由第二导通部向外延伸的第二扩展部；至少部分所述第二扩展部的投影与所述第一焊盘重叠，所述第二接触电极含有镍层；所述第二接触电极在沿第二扩展部宽度方向的竖直剖切面上具有位于两侧的倾斜侧壁，两侧所述倾斜侧壁在同一水平面上的倾斜夹角相差不超过10°。

4、本发明还提供一种发光装置，采用如上实施例所述的倒装发光二极管。

5、基于上述，与现有技术相比，本发明提供的倒装发光二极管通过对含有镍层的接触电极进行左右倾斜侧壁的夹角限定，使得延伸到未与该接触电极电连接的焊盘时，能够有效避免该接触电极存在位于镍层下的活泼金属迁移等异常，从而降低漏电的风险。

6、本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁为连续的直线型或曲线型或其组合。

3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁为直线型时，所述倾斜侧壁的倾斜夹角θ1不大于60°或介于40°至50°之间；当所述倾斜侧壁的至少部分为曲线型时，所述倾斜侧壁在外延结构表面上的切线夹角θ2不大于60°或介于40°至50°之间。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁具有由外延结构上方向外延结构方向依次延伸的竖直面和倾斜面，所述竖直面的延伸长度d1与所述倾斜面的延伸长度d2比值介于0至2/3之间；所述倾斜面为连续的连续的直线型或曲线型或其组合。

5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜面为直线型时，所述倾斜面的倾斜夹角θ3不大于60°或介于40°至50°之间；当所述倾斜侧壁的至少部分为曲线型时，所述倾斜面在外延结构表面上的切线夹角θ4不大于60°或介于40°至50°之间。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述镍层的厚度介于0.1微米至1微米之间。

7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或第二接触电极为无金叠层结构。

8.根据权利要求1-7任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或第二接触电极还含有第一铝层和第二铝层，所述第一铝层位于靠近外延结构的所述镍层一侧，所述第二铝层位于远离外延结构的所述镍层一侧；所述第一铝层的厚度小于第二铝层的厚度。

9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或第二接触电极还含有第一钛层和第二钛层，所述第一钛层位于第二铝层和镍层之间，所述第二钛层位于第二铝层远离镍层的一侧；所述第一钛层的厚度小于第二钛层的厚度。

10.根据权利要求1-7任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或第二接触电极包括依次层叠在所述外延结构上的电极接触层、电极反射层和电极包覆层；所述电极包覆层包覆所述电极接触层和电极反射层；所述镍层位于所述电极包覆层中。

11.根据权利要求10所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述电极包覆层具有包覆侧壁，所述包覆侧壁为所述倾斜侧壁；所述电极包覆层包含的材料还选自钛、铂、铝中的一种或多种。

12.根据权利要求10所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述镍层包覆所述电极接触层和电极反射层，且沿镍层宽度方向的竖直剖切面上形成有位于两侧的镍侧壁，所述镍侧壁在同一水平面上的倾斜夹角相差不超过10°。

13.根据权利要求10所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述电极反射层包覆所述电极接触层，且具有反射侧壁，所述反射侧壁的倾斜夹角θ5介于40°至60°之间；所述电极接触层具有接触侧壁，所述接触侧壁的倾斜夹角θ6介于40°至60°之间。

14.根据权利要求10所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述电极反射层的厚度介于3000埃至10000埃之间，所述电极反射层的材料包含铝。

15.根据权利要求10所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述电极接触层的厚度介于10埃至50埃之间，所述电极接触层的材料包含镉。

16.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倒装发光二极管还包括以下结构的一种或多种：

17.一种发光装置，其特征在于：采用如权利要求1-16任一项所述的倒装发光二极管。

技术总结
本发明涉及半导体技术领域，提供一种倒装发光二极管及发光装置，该倒装发光二极管包括第一接触电极、第二接触电极、第一焊盘、第二焊盘；所述第一接触电极包括第一导通部和第一扩展部；至少部分第一扩展部的投影与第二焊盘重叠，第一接触电极含有镍层；第一接触电极在沿第一扩展部宽度方向的竖直剖切面上具有位于两侧的倾斜侧壁，两侧倾斜侧壁在同一水平面上的倾斜夹角相差不超过10°；和/或，第二接触电极包括第二导通部和第二扩展部；至少部分第二扩展部的投影与第一焊盘重叠，第二接触电极含有镍层；第二接触电极在沿第二扩展部宽度方向的竖直剖切面上具有位于两侧的倾斜侧壁，两侧所述倾斜侧壁在同一水平面上的倾斜夹角相差不超过10°。

技术研发人员：石保军,徐瑾,王强
受保护的技术使用者：湖北三安光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12