一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统与流程

本发明涉及电子元器件加工，尤其涉及一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统。

背景技术：

1、近年来，薄膜集成电路在多功能、高功率、低损耗和小型化芯片封装领域需求越来越高，导致封装空间狭小，装配结构复杂，这使得电子元器件不得不也向着小型化、低功耗、智能化和高可靠性发展。通常电子元器件多为单面金属化或双面金属化结构，其生产历史悠久，工艺制备简单，技术成熟。

2、然而，为满足小型化需求，电子元器件从单面金属化和双面金属化转向三面金属化和四面金属化，三面金属化和四面金属化分别是指基板正反面金属化后通过单侧或双侧面金属化形成互连，其工艺制备难度大幅度增加。目前实现三面或四面金属化互连常用工艺制备手段为：将陶瓷基板双面成膜金属化，通过光刻手段将产品图形化，然后利用划片机将产品单元化，最后通过设计夹具装载进行侧面成膜而达到侧面金属化互连的目的，但缺点是效率低、对于小尺寸产品夹具设计制备困难。

3、因此，亟需提供一种技术方案解决上述问题。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提供了一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统。

2、第一方面，本发明提供一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法，该方法的技术方案如下：

3、对清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到单面金属化陶瓷基板；

4、依次在所述单面金属化陶瓷基板上刻蚀目标电极图形和目标电阻图形，得到图形化的单面金属化陶瓷基板；

5、沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割，并对所述图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理，得到三面金属化互连的陶瓷薄膜基板；

6、对所述三面金属化互连的陶瓷薄膜基板进行热处理并加工，得到侧面金属化互连的电子元器件。

7、本发明的一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法的有益效果如下：

8、本发明的方法能够提高侧面金属化互连的电子元器件制备的效率，且适用于任何尺寸的电子元器件的制备。

9、在上述方案的基础上，本发明的一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法还可以做如下改进。

10、在一种可选的方式中，对清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到单面金属化陶瓷基板的步骤，包括：

11、利用目标复合金属层，对所述清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到所述单面金属化陶瓷基板。

12、在一种可选的方式中，依次在所述单面金属化陶瓷基板上刻蚀目标电极图形和目标电阻图形，得到图形化的单面金属化陶瓷基板的步骤，包括：

13、利用光刻机并使用掩膜版，依次在所述单面金属化陶瓷基板上刻蚀所述目标电极图形和所述目标电阻图形，得到所述图形化的单面金属化陶瓷基板。

14、在一种可选的方式中，沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割的步骤，包括：

15、利用划片机，沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的所述目标侧面，并按照目标切割方式，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割；其中，所述目标切割方式为：切割所述图形化的单面金属化陶瓷基板的90％长度，以预留所述图形化的单面金属化陶瓷基板的边缘区域。

16、在一种可选的方式中，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割的步骤，包括：

17、按照预设宽度和所述原始陶瓷基板的预设长度比例，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割。

18、在一种可选的方式中，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理的步骤，包括：

19、利用溅射设备，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理。

20、在上述可选的方式中，同时对图形化的单面金属化陶瓷基板的背面及侧面进行成膜处理，能够达到背面与目标侧面同时成膜目的。

21、在一种可选的方式中，对所述三面金属化互连的陶瓷薄膜基板进行热处理并加工，得到侧面金属化互连的电子元器件的步骤，包括：

22、对所述侧面金属化互连的陶瓷薄膜基板进行热处理，得到热处理后的三面金属化的陶瓷薄膜基板；

23、利用划片机对所述热处理后的三面金属化的陶瓷薄膜基板进行单元化切割处理，并依次通过分选、专检与包装入库操作，得到所述侧面金属化互连的电子元器件。

24、第二方面，本发明提供一种侧面金属化互连的电子元器件制备系统，该系统的技术方案如下：

25、包括：第一处理模块、第二处理模块、第三处理模块和制备模块；

26、所述第一处理模块用于：对清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到单面金属化陶瓷基板；

27、所述第二处理模块用于：依次在所述单面金属化陶瓷基板上刻蚀目标电极图形和目标电阻图形，得到图形化的单面金属化陶瓷基板；

28、所述第三处理模块用于：所述第三处理模块用于：沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割，并对所述图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理，得到三面金属化互连的陶瓷薄膜基板；

29、所述制备模块用于：对所述三面金属化的陶瓷薄膜基板进行热处理并加工，得到侧面金属化互连的电子元器件。

30、本发明的一种侧面金属化互连的电子元器件制备系统的有益效果如下：

31、本发明的系统能够提高侧面金属化互连的电子元器件制备的效率，且适用于任何尺寸的电子元器件的制备。

32、在上述方案的基础上，本发明的一种侧面金属化互连的电子元器件制备系统还可以做如下改进。

33、在一种可选的方式中，所述第一处理模块具体用于：

34、利用目标复合金属层，对所述清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到所述单面金属化陶瓷基板。

35、在一种可选的方式中，所述第二处理模块具体用于：

36、利用光刻机并使用掩膜版，依次在所述单面金属化陶瓷基板上刻蚀所述目标电极图形和所述目标电阻图形，得到所述图形化的单面金属化陶瓷基板。

37、上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

技术特征：

1.一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，对清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到单面金属化陶瓷基板的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，依次在所述单面金属化陶瓷基板上刻蚀目标电极图形和目标电阻图形，得到图形化的单面金属化陶瓷基板的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，沿所述图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割的步骤，包括：

6.根据权利要求1所述的侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，对所述图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理的步骤，包括：

7.根据权利要求1所述的侧面金属化互连的电子元器件制备方法，其特征在于，对所述三面金属化互连的陶瓷薄膜基板进行热处理并加工，得到侧面金属化互连的电子元器件的步骤，包括：

8.一种侧面金属化互连的电子元器件制备系统，其特征在于，包括：第一处理模块、第二处理模块、第三处理模块和制备模块；

9.根据权利要求8所述的侧面金属化互连的电子元器件制备系统，其特征在于，所述第一处理模块具体用于：

10.根据权利要求8所述的侧面金属化互连的电子元器件制备系统，其特征在于，所述第二处理模块具体用于：

技术总结
本发明涉及电子元器件加工技术领域，具体公开一种侧面金属化互连的电子元器件制备方法及系统，该方法包括：对清洗后的原始陶瓷基板进行单面金属化加工，得到单面金属化陶瓷基板；依次在单面金属化陶瓷基板上刻蚀目标电极图形和目标电阻图形，得到图形化的单面金属化陶瓷基板；沿图形化的单面金属化陶瓷基板的目标侧面，对图形化的单面金属化陶瓷基板进行切割，并对图形化的单面金属化陶瓷基板的背面和目标侧面进行成膜处理，得到三面金属化互连的陶瓷薄膜基板；对三面金属化互连的陶瓷薄膜基板进行热处理并加工，得到侧面金属化互连的电子元器件。本发明能够提高侧面金属化互连的电子元器件制备的效率，且适用于任何尺寸的电子元器件的制备。

技术研发人员：苏琴,张晶,宋泽润,邓亚童
受保护的技术使用者：深圳市振华微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12