电极引入装置及半导体工艺设备的制作方法

本申请涉及镀膜设备，尤其涉及一种电极引入装置及半导体工艺设备。

背景技术：

1、pecvd(plasma-enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积)是半导体制造工艺中常用的薄膜材料制备方法，用于沉积二氧化硅、氮化硅等半导体材料。在相关技术中，依靠电极引入装置将射频电源引入反应室内，位于反应室内的电极与承载舟导电接触，以完成镀膜。而电极与承载舟存在接合不佳的问题，造成电极与承载舟之间存在较大的间隙，在经过长时间的高温环境以及镀膜环境后，暴露在间隙处的电极的表面会附着膜层，导致电极与承载舟之间出现接触不良、甚至短路的问题，从而影响了镀膜工艺的效率和良品率。

技术实现思路

1、本申请公开一种电极引入装置及半导体工艺设备，以解决相关技术中电极与承载舟之间存在较大的间隙，导致电极与承载舟之间出现接触不良、甚至短路的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例公开了一种电极引入装置，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括承载舟，所公开的电极引入装置包括电极本体和电连接组件；

4、所述电极本体包括第一导电部、第二导电部和弹性电连接部，所述第一导电部和所述第二导电部分别用于与所述承载舟的舟脚导电接触；

5、所述第一导电部和所述第二导电部通过所述弹性电连接部电连接，所述弹性电连接部用于牵拉所述第一导电部和所述第二导电部，以使所述第一导电部和所述第二导电部的表面与所述承载舟的舟脚的表面贴合；

6、所述电连接组件与所述第一导电部或所述第二导电部电连接，用于将所述电极本体电连接于电源。

7、第二方面，本申请实施例公开了一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括反应室、承载舟、支架和上文所述的电极引入装置，所述支架设于所述反应室内，所述承载舟放置于所述支架上，所述电极本体设置于所述支架上，且所述承载舟的舟脚与所述电极本体导电接触。

8、本申请采用的技术方案能够达到以下技术效果：

9、本申请实施例公开的电极引入装置对相关技术进行改进，电极本体通过电连接组件与电源接通，电极本体包括第一导电部、第二导电部和弹性电连接部，第一导电部和第二导电部通过弹性电连接部电连接，在弹性电连接部的牵拉作用下，能够使第一导电部和第二导电部的表面与承载舟的舟脚的表面贴合，第一导电部和第二导电部的表面不易附着膜层，从而避免了电极本体与承载舟的舟脚之间出现接触不良、甚至短路的问题，进而提升了镀膜工艺的效率和良品率。

技术特征：

1.一种电极引入装置，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括承载舟(100)，其特征在于，所述电极引入装置(200)包括电极本体(220)和电连接组件(230)；

2.根据权利要求1所述的电极引入装置，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括支架(210)，所述支架(210)用于支撑所述承载舟(100)；

3.根据权利要求1所述的电极引入装置，其特征在于，所述第一导电部(221)和所述第二导电部(222)中的至少一者包括多个弯折部(2211)，多个所述弯折部(2211)依次连接，所述弹性电连接部(223)与多个所述弯折部(2211)中位于端部位置的所述弯折部(2211)连接，以牵拉多个所述弯折部(2211)沿对接位置折弯。

4.根据权利要求2所述的电极引入装置，其特征在于，所述电极引入装置(200)包括沿所述支架(210)的长度方向间隔设置的两个所述电极本体(220)，两个所述电极本体(220)用于与同一所述承载舟(100)的两个舟脚分别导电接触；

5.根据权利要求4所述的电极引入装置，其特征在于，所述电连接组件(230)包括两个导电支撑件(231)，两个所述导电支撑件(231)中的一者用于将其中一个所述电极本体(220)电连接于所述电源的正极，两个所述导电支撑件(231)中的另一者用于将另一个所述电极本体(220)电连接于所述电源的负极，其中，沿所述支架(210)的长度方向，两个所述导电支撑件(231)的长度不同。

6.根据权利要求5所述的电极引入装置，其特征在于，所述导电支撑件(231)可沿所述支架(210)的长度方向伸长或者缩短，以带动所述电极本体(220)沿所述支架(210)的长度方向移动。

7.根据权利要求6所述的电极引入装置，其特征在于，所述导电支撑件(231)包括连接部(2311)、调节部(2312)和主体部(2313)，所述连接部(2311)用于连接所述电源的正极或者负极，所述连接部(2311)和所述主体部(2313)之间通过所述调节部(2312)连接，所述调节部(2312)可沿所述支架(210)的长度方向伸长或者缩短。

8.根据权利要求7所述的电极引入装置，其特征在于，所述主体部(2313)包括弹性主体(2314)和刚性主体(2315)，所述弹性主体(2314)的一端通过所述调节部(2312)与所述连接部(2311)连接，所述弹性主体(2314)的另一端通过所述调节部(2312)与所述刚性主体(2315)连接，所述刚性主体(2315)背离所述弹性主体(2314)的一端与所述第一导电部(221)或所述第二导电部(222)连接。

9.根据权利要求7所述的电极引入装置，其特征在于，所述连接部(2311)、所述调节部(2312)和所述主体部(2313)的外侧均包裹有绝缘层(232)。

10.根据权利要求9所述的电极引入装置，其特征在于，所述绝缘层(232)包括多个间隔设置的子绝缘层(2321)，相邻的所述子绝缘层(2321)的连接处套设有防护层(2322)。

11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括反应室(300)、承载舟(100)、支架(210)和权利要求1-10任一项所述的电极引入装置(200)，所述支架(210)设于所述反应室(300)内，所述承载舟(100)放置于所述支架(210)上，所述电极本体(220)设置于所述支架(210)上，且所述承载舟(100)的舟脚与所述电极本体(220)导电接触。

12.根据权利要求11所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述承载舟(100)包括靠近所述反应室(300)的开口(310)的第一舟(110)和远离所述反应室(300)的开口(310)的第二舟(120)；

13.根据权利要求11所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述承载舟(100)包括靠近所述反应室(300)的开口(310)的第一舟(110)和远离所述反应室(300)的开口(310)的第二舟(120)；

14.根据权利要求13所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二舟(120)靠近所述反应室(300)的开口(310)的一端设有第三舟脚(121)，所述第二舟(120)远离所述反应室(300)的开口(310)的一端设有第四舟脚(122)，所述支架(210)包括两根平行设置的支撑杆(211)，每根所述支撑杆(211)沿自身长度方向均间隔设置有四个绝缘套筒(212)，所述绝缘套筒(212)套设于所述支撑杆(211)的外侧面，四个所述绝缘套筒(212)分别用于支撑所述第一舟脚(111)、所述第二舟脚(112)、所述第三舟脚(121)和所述第四舟脚(122)，用于支撑所述第一舟脚(111)和所述第二舟脚(112)的所述绝缘套筒(212)的外侧面搭接有所述电极本体(220)，其中，用于支撑所述第一舟脚(111)和所述第二舟脚(112)的所述绝缘套筒(212)的壁厚小于用于支撑所述第三舟脚(121)和所述第四舟脚(122)的所述绝缘套筒(212)的壁厚。

技术总结
本申请公开一种电极引入装置及半导体工艺设备，半导体工艺设备包括承载舟，所公开的电极引入装置包括电极本体和电连接组件，电极本体包括第一导电部、第二导电部和弹性电连接部，电连接组件与第一导电部或第二导电部电连接，用于将电极本体电连接于电源，第一导电部和第二导电部分别用于与承载舟的舟脚导电接触，第一导电部和第二导电部通过弹性电连接部电连接，弹性电连接部用于牵拉第一导电部和第二导电部，以使第一导电部和第二导电部的表面与承载舟的舟脚的表面贴合，第一导电部和第二导电部的表面不易附着膜层，从而避免了电极本体与承载舟的舟脚之间出现接触不良、甚至短路的问题，进而提升了镀膜工艺的效率和良品率。

技术研发人员：周振溪,闫志顺,刘志伟,赵福平,韩天棋,李补忠,郑建宇
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29