晶圆、晶圆的制作方法与流程

本申请涉及半导体，例如涉及一种晶圆、晶圆的制作方法。

背景技术：

1、在半导体芯片封装时，需要沿着晶圆本体上的切割道对芯片进行切割，以获得多个芯片。而在沿着切割道对晶圆本体上的芯片进行切割时，切割的机械应力可能会造成切割道两侧的芯片边缘及边角位置产生微小裂纹，造成芯片出现损坏。因此，如何降低晶圆切割时，芯片发生损坏的风险，成为亟需解决的问题。

2、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

2、本公开实施例提供了一种晶圆、晶圆的制作方法，可以降低对晶圆上的芯片进行切割时，造成芯片损坏的风险。

3、在一些实施例中，晶圆，包括：晶圆本体；切割槽，沿晶圆本体的切割道开设于晶圆本体。

4、可选地，切割槽从晶圆本体表面开设至晶圆本体的硅衬底。

5、可选地，切割槽的开设宽度小于切割道的宽度，且切割槽两侧距离芯片的宽度大于或者等于2μm。

6、可选地，切割槽在相邻两芯片直线边处开设的第一宽度和切割槽在相邻两芯片直角处开设的第二宽度；其中，第一宽度小于第二宽度。

7、可选地，第二宽度与第一宽度的差值大于0且小于或者等于4μm。

8、可选地，切割槽在芯片直角处为倒角结构。

9、在一些实施例中，晶圆的制作方法，用于制作如上述的晶圆，该制作方法包括：在晶圆本体表面的切割道上定义待开槽区域，并将晶圆本体表面除待开槽区域之外的区域覆盖光阻；按照待开槽区域的形状，在切割道上刻蚀出切割槽；去除晶圆本体表面的光阻和切割槽内刻蚀掉的聚合物。

10、可选地，在晶圆表面的切割道上定义待开槽区域，包括：通过光刻工艺在切割道上定义出需要刻蚀的切割槽形状，确定切割道上的待开槽区域。

11、可选地，按照待开槽区域的形状，在切割道上刻蚀出切割槽，包括：通过cf4和c2f6的混合气体，按照待开槽区域的形状对待开槽区域进行干法刻蚀，从切割道表面刻蚀至晶圆的硅衬底，以获得切割槽。

12、可选地，待开槽区域沿切割道的中线对称分布。

13、本公开实施例提供的晶圆、晶圆的制作方法，可以实现以下技术效果：

14、本公开实施例中，在晶圆本体的切割道上开设了切割槽。由于切割槽可以使切割过程中的应力得到释放，减少切割过程中应力的累积。所以在对本公实施例提供的晶圆上的芯片进行切割时，芯片边缘及边角位置产生裂纹的风险较低，芯片损坏的风险较低。

15、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

技术特征：

1.一种晶圆，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的晶圆，其特征在于，切割槽的开设宽度包括：切割槽在相邻两芯片直线边处开设的第一宽度和切割槽在相邻两芯片直角处开设的第二宽度；其中，第一宽度小于第二宽度。

5.根据权利要求4所述的晶圆，其特征在于，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，切割槽在芯片直角处为倒角结构。

7.一种晶圆的制作方法，用于制作如权利要求1至6中任一项所述的晶圆，其特征在于，制作方法包括：

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在晶圆表面的切割道上定义待开槽区域，包括：

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，按照待开槽区域的形状，在切割道上刻蚀出切割槽，包括：

10.根据权利要求7至9中任一项所述的制作方法，其特征在于，待开槽区域沿切割道的中线对称分布。

技术总结
本申请涉及半导体技术领域，公开一种晶圆，包括：晶圆本体；切割槽，沿晶圆本体的切割道开设于晶圆本体。本申请中在晶圆本体的切割道上开设了切割槽。由于切割槽可以使切割过程中的应力得到释放，减少切割过程中应力的累积。所以在对本申请提供的晶圆上的芯片进行切割时，芯片边缘及边角位置产生裂纹的风险较低，芯片损坏的风险较低。本申请还公开一种晶圆的制作方法。

技术研发人员：张娟荣,郑普光,李凯亮
受保护的技术使用者：紫光同芯微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8