一种太阳能电池及其制备方法与流程

本发明涉及光伏，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术：

1、太阳能电池能中的钝化接触结构包括：层叠设置的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，其中，隧穿氧化层可以提供良好的化学钝化，极大降低了界面陷阱复合，同时让多数载流子有效的遂穿通过到掺杂多晶硅层。

2、然而，目前的太阳能电池制备方法中，在形成掺杂多晶硅层过程中，进入硅基底内部的杂质较多，且清洗不够彻底，使得电池表面复合能力变差、内部暗电流增大，转化效率变差。

技术实现思路

1、本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，旨在解决现有太阳能电池的制备方法，导致在形成掺杂多晶硅层过程中，进入硅基底内部的杂质较多，且清洗不够彻底的问题。

2、本发明的第一方面，提供一种太阳能电池的制备方法，，包括：

3、在硅基底上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层；所述硅基底包括：p区和n区；沉积过程中，沉积温度为600℃至620℃；

4、在所述多晶硅层上沉积氧化硅层；沉积过程中：氧化温度为830℃至850℃，氧化时长为250s至270s，氧流量为2900sccm至3100sccm；

5、在所述氧化硅层上沉积磷源；沉积过程中，沉积温度为73℃至79℃；

6、将所述磷源推结至所述多晶硅层中，形成磷掺杂多晶硅层；

7、清洗掉p区上的氧化硅层和磷掺杂多晶硅层；清洗过程中：碱液的温度为61℃至65℃，清洗时长为330s至350s；

8、清洗掉内扩到p区中的杂质；清洗过程中，碱液的温度为82℃至85℃。

9、本发明实施例中，通过沉积隧穿氧化层和多晶硅层中沉积温度的调整，可以增大沉积得到的多晶硅层的厚度，在掺杂浓度更大的情况下，由于厚度大，可以阻止磷源扩散至硅基底内部，进而减少硅基底中的杂质，另一方面还可以从一定程度上避免过清洗。通过调整沉积氧化硅层的氧化温度、氧化时长和氧流量，可以提升磷掺杂多晶硅层中的掺杂浓度和最大掺杂浓度的深度。通过调整磷源沉积过程中的温度，可以提升磷掺杂多晶硅层中掺杂浓度、提升最大浓度深度，降低内扩深度等。在清洗过程中，通过调整上述清洗参数，可以将p区上的磷掺杂多晶硅层、内扩至p区的杂质均清洗干净，且不至于过清洗，不至于出绒。

10、可选的，沉积隧穿氧化层和多晶硅层过程中，氧化时长为830s至850s。

11、可选的，推结过程中：推结温度为850℃至860℃。

12、可选的，沉积磷源过程中，在氧化硅层上形成磷硅玻璃；推结之后，清洗掉p区上的氧化硅层和磷掺杂多晶硅层之前，所述方法还包括：

13、采用35kw至38kw的激光，照射p区上的磷硅玻璃，将p区上的磷硅玻璃打散；

14、清洗掉p区上打散的磷硅玻璃，仅保留n区的磷硅玻璃；

15、所述清洗掉p区上的氧化硅层和磷掺杂多晶硅层，包括：

16、在n区的磷硅玻璃对n区的磷掺杂多晶硅层的保护作用下，清洗掉p区上的氧化硅层和磷掺杂多晶硅层。

17、可选的，推结之后，激光照射之前，所述方法还包括：

18、后氧化步骤；后氧化过程中：氧化时长为790s至810s，氧流量为4900sccm至5100sccm。

19、可选的，采用lpcvd方式，沉积隧穿氧化层和多晶硅层。

20、可选的，所述清洗掉p区上打散的磷硅玻璃的过程中，碱液的温度为62℃至64℃。

21、本发明的第二方面，提供一种太阳能电池，由任一前述的太阳能电池的制备方法制备得到。

22、可选的，n区上掺杂多晶硅层的厚度为200nm至215nm。

23、可选的，n区上隧穿氧化层的厚度为1.2nm至2.2nm。

24、上述太阳能电池的制备方法、太阳能电池具有相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。

技术特征：

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积隧穿氧化层和多晶硅层过程中，氧化时长为830s至850s。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，推结过程中：推结温度为850℃至860℃。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积磷源过程中，在氧化硅层上形成磷硅玻璃；推结之后，清洗掉p区上的氧化硅层和磷掺杂多晶硅层之前，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，推结之后，激光照射之前，所述方法还包括：

6.根据权利要求1至5中任一所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用lpcvd方式，沉积隧穿氧化层和多晶硅层。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述清洗掉p区上打散的磷硅玻璃的过程中，碱液的温度为62℃至64℃。

8.一种太阳能电池，其特征在于，由权利要求1至7中任一所述的太阳能电池的制备方法制备得到。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，n区上掺杂多晶硅层的厚度为200nm至215nm。

10.根据权利要求8或9所述的太阳能电池，其特征在于，n区上隧穿氧化层的厚度为1.2nm至2.2nm。

技术总结
本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，涉及光伏技术领域。太阳能电池的制备方法包括：在硅基底上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层；沉积过程中，沉积温度为600℃至620℃；在多晶硅层上沉积氧化硅层；沉积过程中：氧化温度为830℃至850℃，氧化时长为250s至270s，氧流量为2900sccm至3100sccm；在所述氧化硅层上沉积磷源；沉积过程中，沉积温度为73℃至79℃；将磷源推结至多晶硅层中，形成磷掺杂多晶硅层；清洗掉P区上的氧化硅层和磷掺杂多晶硅层；清洗过程中：碱液的温度为61℃至65℃，清洗时长为330s至350s。本发明既能够彻底清洗掉杂质，又不至于过清洗，进而提升太阳能电池的效率。

技术研发人员：罗茂盛,邵爱军,郭雕,王雪,范小丹,韩宁,王金虎
受保护的技术使用者：隆基乐叶光伏科技（西咸新区）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25