一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法与流程

本发明涉及铜箔软连接，具体为一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法。

背景技术：

1、铜箔软连接主要用于铜排与导电组件间的柔性导电连接，电器设备的小型化对软连接的设计生产也提出了轻量化的要求。尤其是在航空电器中，受限于电器内部的结构空间和绝缘要求，对软连接的整体外形尺寸有着较为精确的要求。

2、目前的铜箔软在高分子扩散连接的过程中需要使用到石墨电极，石墨电极因为其良好的导电性，耐热、耐蚀性极佳的特点，被作为电炉生产的导电材料而使用。

3、例如专利号为cn112600050b，公开了一种高抗撕裂性能铜箔软连接金属辅助加工工艺，属于金属辅助加工技术领域。具体步骤包括：计算下料参数，下料、表面处理、石墨电极抗氧化处理、工装夹具安装、两端热压、热压区域机加工、折弯成型。在该方案中石墨电极抗氧化处理是采用抗氧化剂溶液，利用浸渍法，对两个石墨电极进行抗氧化处理。但是单纯靠常温下的浸渍法，无法在石墨电极的表面形成超抗氧化保护膜，所谓的超抗氧化保护膜，是指抗氧化保护膜在受潮后极不易脱落，抗氧化保护膜一旦脱落最终导致对石墨电极表面的保护有限，从而缩短了石墨电极的使用寿命。为此，提出一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足，本发明提供了一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，先采用高温处理石墨电极的方式，使得石墨电极的表面先形成超抗氧化保护膜，再通过常温下形成抗氧化保护膜，最后通过涂抹防氧化涂料，使得石墨电极的表面得到较好的抗氧化保护，即使抗氧化保护层出现局部的脱落，也能够对石墨电极起到较好的抗氧化保护，从而延长了石墨电极的使用寿命，解决了目前的方案中单纯靠常温下的浸渍法，使得石墨电极的表面形成抗氧化保护膜容易脱落，从而导致对石墨电极表面的保护有限的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现上述的目的，本发明提供如下技术方案：一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，具体步骤如下：

5、步骤一：取下石墨电极，人员手动将两个石墨电极从热压设备上拆卸下来，再对石墨电极进行预清洗；

6、步骤二：初步保护处理，将清洁干净之后的石墨电极进行加热处理，使得石墨电极放入在高温加热炉中，直到石墨电极被加热至1500℃，然后将加热后的石墨电极放入在熔融液体的al2o3和nio中，浸入的时间为10-200分钟，利用加入熔体内的还原剂使熔池内的金属氧化物还原成活性金属原子，然后与石墨电极表面的碳原子进行液固反应，生成该金属碳化物合金保护履层，所谓超抗氧化保护膜；

7、步骤三：第二次保护处理，将步骤而中形成金属碳化物合金保护履层的石墨电极浸入在sio2、h3po4和alpo4的溶液中，使得石墨电极的金属碳化物合金保护履层的表面再次形成抗氧化保护膜；

8、步骤四：第三次保护处理，将步骤三中的石墨电极摆放好，然后将石墨电极的表面涂抹防氧化涂料，且防氧化涂料的内部掺入耐高温的纳米陶瓷微粒粉料；

9、步骤五：将保护后的石墨电极装回热压设备中。

10、进一步优选的，所述步骤一中对石墨电极预清洗溶液为清水，待石墨电极预清洗之后进行预烘干。

11、进一步优选的，所述步骤二中形成保护履层的石墨电极，取出石墨电极，经熔融清洗和空冷水洗的方法，清除石墨电极表面粘渣。

12、进一步优选的，所述步骤三中石墨电极的浸泡温度为常温，且浸泡时间为2小时，浸泡结束之后将石墨电极取出进行二次烘干。

13、进一步优选的，所述步骤四中石墨电极经过zs-1021石墨耐高温防氧化涂料浸渍处理后，其在石墨电极表面形成一层0.2mm左右的的防氧化封闭致密保护层，有效的屏蔽石墨电极与空气直接接触，能在400℃-2600℃温度范围中发挥防氧化的作用。

14、进一步优选的，所述步骤五中在将石墨电极装回热压设备之间，需要将石墨电极通过水枪进行清洗，除去石墨电极表面的杂质，待清洗干净之后进行最后一次烘干处理。

15、进一步优选的，所述步骤三中的氧化溶液为常温状态，使得石墨电极在自然状态下发生氧化反应。

16、(三)有益效果

17、与现有技术相比，本发明提供了一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，具备以下有益效果：

18、该铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，通过初步保护处理的高温氧化反应、第二次保护处理的常温氧化反应，第三次保护处理的涂抹防氧化涂料，三次保护的方式，能够在石墨电极的表面形成超抗氧化保护膜、抗氧化保护膜和抗氧化保护图层，能够对石墨电极起到较好的抗氧化保护，即使抗氧化保护层出现局部脱落，也能够对石墨电极起到保护，从而延长了石墨电极的使用寿命。

技术特征：

1.一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，其特征在于，具体步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，其特征在于：所述步骤一中对石墨电极预清洗溶液为清水，待石墨电极预清洗之后进行预烘干。

3.根据权利要求1所述的一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，其特征在于：所述步骤二中形成保护履层的石墨电极，取出石墨电极，经熔融清洗和空冷水洗的方法，清除石墨电极表面粘渣。

4.根据权利要求1所述的一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，其特征在于：所述步骤三中石墨电极的浸泡温度为常温，且浸泡时间为2小时，浸泡结束之后将石墨电极取出进行二次烘干。

5.根据权利要求1所述的一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，其特征在于：所述步骤四中石墨电极经过zs-1021石墨耐高温防氧化涂料浸渍处理后，其在石墨电极表面形成一层0.2mm左右的的防氧化封闭致密保护层，有效的屏蔽石墨电极与空气直接接触，能在400℃-2600℃温度范围中发挥防氧化的作用。

6.根据权利要求1所述的一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，其特征在于：所述步骤五中在将石墨电极装回热压设备之间，需要将石墨电极通过水枪进行清洗，除去石墨电极表面的杂质，待清洗干净之后进行最后一次烘干处理。

7.根据权利要求1所述的一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，其特征在于：所述步骤三中的氧化溶液为常温状态，使得石墨电极在自然状态下发生氧化反应。

技术总结
本发明涉及铜箔软连接技术领域，且公开了一种铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，步骤一：取下石墨电极；步骤二：初步保护处理，将清洁干净之后的石墨电极进行加热处理，使得石墨电极放入在高温加热炉中，直到石墨电极被加热至1500℃；步骤三：第二次保护处理；步骤四：第三次保护处理。该铜箔软连接高分子扩散工艺石墨保护方法，先采用高温处理石墨电极的方式，使得石墨电极的表面先形成超抗氧化保护膜，再通过常温下形成抗氧化保护膜，最后通过涂抹防氧化涂料，使得石墨电极的表面得到较好的抗氧化保护，即使抗氧化保护层出现局部的脱落，也能够对石墨电极起到较好的抗氧化保护，从而延长了石墨电极的使用寿命。

技术研发人员：甘学招,刘升奇
受保护的技术使用者：深圳市泰瑞琦五金电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11