一种LED玻璃面板封装方法与流程

本发明涉及光电子器件，具体为一种led玻璃面板封装方法。

背景技术：

1、micro led技术作为新一代显示技术，相较于传统显示技术，在亮度、功耗、色彩鲜艳程度等方面拥有很大优势，有望在未来成为主流，但由于目前技术方案的限制，microled距离大规模投产应用还有很长一段距离要走。

2、现有技术中，当前led显示器因pcb板尺寸、芯片转移速度及锡膏在板时间等的限制，导致显示模块尺寸很难再进一步增大，大屏显示器需要多块小尺寸显示单元进行拼接组装，这就导致大屏显示器不同显示单元间出现拼缝、墨色不一致等现象，同时为保护芯片及增加灯板对比度，需在灯面贴附墨色胶膜，由于胶膜特性，在增加对比度的同时，透光率会随之下降，为达到同等亮度，需增加灯板功耗，所以市场上亟需一种解决传统led大屏显示器不同显示单元间有拼缝、墨色不一致的现象，保证灯板对比度及亮度，降低功耗的封装工艺。

3、因此，我们提出了一种led玻璃面板封装方法来解决上述问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本发明提供了一种led玻璃面板封装方法，以解决传统led显示面板尺寸小导致组装成显示器后不同显示单元间有拼缝、墨色不一致的现象，对比度与亮度无法共存的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种led玻璃面板封装方法，包括以下步骤：

3、s1、设置承载基板，并在该基板上进行预处理；

4、s2、在承载基板的表面上使用喷涂技术均匀喷涂透明胶层，并将若干发光单元固晶至承载基板的上表面；

5、s3、使用模版掩盖发光单元表面，在透明胶层上表面均匀喷涂油墨层，放入烘箱，将透明胶层及油墨层烘干；

6、s4、在承载基板上表面及发光单元表面上使用沉积技术沉积绝缘层，在绝缘层表面涂敷一层光刻胶，对光刻胶进行曝光显影；

7、s5、使用刻蚀技术去除显影后的绝缘层并剥离表面多余的光刻胶，再涂敷一层光刻胶，使用掩膜版曝光显影形成电路图，再用刻蚀技术除去开口处的绝缘层；

8、s6、根据预先设计好的电路图，在刻蚀后的绝缘层表面上溅镀导电层，对多余的导电层进行抛光打磨处理，得到第一层导电线路；

9、s7、重复步骤s4和步骤s5，完成后续的导电线路处理，对最后的绝缘层进行表面处理，为后续驱动ic预留焊盘位置；

10、s8、将驱动ic焊接固定至预留的ic焊盘位置，形成电路结构。

11、进一步优化本技术方案，所述步骤s1中，所述承载基板采用透明玻璃材质，对承载基板的预处理包括：

12、在该基板上表面蚀刻出若干凹槽，将蚀刻后的承载基板放入加热炉中进行高温处理，处理后取出承载基板使用高压喷嘴将高压冷空气吹向承载基板两面，迅速且均匀的将承载基板冷却至室温。

13、进一步优化本技术方案，所述承载基板上表面的凹槽高度为50μm-55μm；所述加热炉中的温度设置为600℃，用于对承载基板进行软化处理。

14、进一步优化本技术方案，所述步骤s2中，喷涂透明胶层时，使用真空抽气装置去除透明胶层内残留的气泡；所述发光单元固晶至承载基板上表面的凹槽处，所述发光单元发光面朝向承载基板。

15、进一步优化本技术方案，所述透明胶层为无机耐高温透明胶，所述透明胶层的高度为20μm-25μm；所述真空抽气装置内部的真空度为500pa。

16、进一步优化本技术方案，所述步骤s3中，所述油墨层的高度为10μm-20μm。

17、进一步优化本技术方案，所述步骤s4中，沉积的绝缘层为浸以环氧树脂的玻纤布，所述绝缘层的高度为150μm-180μm；所述沉积技术采用等离子增强型化学气相淀积，即pecvd，沉积绝缘层的温度为260℃。

18、进一步优化本技术方案，所述步骤s4中，沉积技术采用等离子增强型化学气相淀积，即pecvd，沉积绝缘层的温度为260℃。

19、进一步优化本技术方案，所述步骤s5中，采用的刻蚀技术为反应式离子蚀刻技术，即rie技术。

20、进一步优化本技术方案，所述步骤s6中，抛光打磨处理采用化学机械抛光法，即cmp技术。

21、与现有技术相比，本发明提供了一种led玻璃面板封装方法，具备以下有益效果：

22、1、该led玻璃面板封装方法，采用的承载基板无尺寸限制，可以制备无拼接大尺寸显示单元，进而可以解决传统led显示面板尺寸小导致组装成显示器后不同显示单元间有拼缝、墨色不一致的现象。

23、2、该led玻璃面板封装方法，通过提高灯板对比度，减少灯板在发光过程中的损耗，进而减少了产品在使用过程中的功耗。

技术特征：

1.一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述承载基板采用透明玻璃材质，对承载基板的预处理包括：

3.根据权利要求2所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述承载基板上表面的凹槽高度为50μm-55μm；所述加热炉中的温度设置为600℃，用于对承载基板进行软化处理。

4.根据权利要求1所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述步骤s2中，喷涂透明胶层时，使用真空抽气装置去除透明胶层内残留的气泡；所述发光单元固晶至承载基板上表面的凹槽处，所述发光单元发光面朝向承载基板。

5.根据权利要求4所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述透明胶层为无机耐高温透明胶，所述透明胶层的高度为20μm-25μm；所述真空抽气装置内部的真空度为500pa。

6.根据权利要求1所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述步骤s3中，所述油墨层的高度为10μm-20μm。

7.根据权利要求1所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述步骤s4中，沉积的绝缘层为浸以环氧树脂的玻纤布，所述绝缘层的高度为150μm-180μm；所述沉积技术采用等离子增强型化学气相淀积，即pecvd，沉积绝缘层的温度为260℃。

8.根据权利要求1所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述步骤s4中，沉积技术采用等离子增强型化学气相淀积，即pecvd，沉积绝缘层的温度为260℃。

9.根据权利要求1所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述步骤s5中，采用的刻蚀技术为反应式离子蚀刻技术，即rie技术。

10.根据权利要求1所述的一种led玻璃面板封装方法，其特征在于，所述步骤s6中，抛光打磨处理采用化学机械抛光法，即cmp技术。

技术总结
本发明公开了一种LED玻璃面板封装方法，涉及光电子器件技术领域，包括以下步骤：S1、设置承载基板；S2、喷涂透明胶层，将发光单元固晶至承载基板上；S3、喷涂油墨层；S4、沉积绝缘层；S5、对绝缘层进行光刻；S6、在刻蚀后的绝缘层表面上溅镀导电层，对多余的导电层进行抛光打磨处理，得到第一层导电线路；S7、重复步骤S4和步骤S5，完成后续的导电线路处理，对最后的绝缘层进行表面处理，为后续驱动IC预留焊盘位置；S8、形成电路结构；该LED玻璃面板封装方法，采用的承载基板无尺寸限制，可以制备无拼接大尺寸显示单元，可以解决传统LED显示面板尺寸小导致组装成显示器后不同显示单元间有拼缝、墨色不一致的现象。

技术研发人员：付桂花,马洪毅,侯旭日,吕祥
受保护的技术使用者：山西高科视像科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17