转光复合膜及其制备方法和光伏组件与流程

文档序号:37478892发布日期:2024-04-01 13:48阅读:8来源:国知局
转光复合膜及其制备方法和光伏组件与流程

本发明涉及光伏组件,特别是涉及一种转光复合膜及其制备方法和光伏组件。


背景技术:

1、太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置,其中异质结(hjt)电池具有较高的理论极限效率。但是hjt电池对紫外光(uv)敏感,在紫外作用下易发生功率衰减问题。传统技术中,使用转光胶膜解决hjt组件紫外衰减,例如利用转光胶膜中的uv转光剂,将紫外波段光线转换为可见光,抑制紫外光到达hjt电池片表面,从而降低对电池功率的影响。目前的转光剂在使用时,存在与胶膜的相容性较差,易迁移至表面析出的问题,严重影响胶膜的转光效果和寿命。


技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种转光复合膜及其制备方法和光伏组件,通过设置有机抗转移层,抑制转光剂由转光层迁移析出,从而提高转光层的转光寿命。

2、第一方面,本申请提供一种转光复合膜,所述转光复合膜包括转光层以及位于所述转光层至少一侧的有机抗转移层。

3、在一些实施方式中,所述有机抗转移层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯。

4、在一些实施方式中,所述有机抗转移层的厚度为20μm~100μm。

5、在一些实施方式中,所述有机抗转移层中分散有偶联剂。

6、在一些实施方式中,所述转光层包括基材层以及分散于所述基材层内的转光剂,所述转光剂包括有机转光剂、无机转光剂和杂化类转光剂中的至少一种。

7、在一些实施方式中,所述转光剂在所述基材层中的质量占比为0.01%~2%。

8、在一些实施方式中,所述基材层的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛、聚烯烃弹性材料和聚乙烯泡沫材料中的至少一种。

9、在一些实施方式中,所述转光剂包括有机荧光材料、稀土金属氧化物、稀土金属有机络合物和量子点中的至少一种。

10、在一些实施方式中,所述转光层的厚度为260μm~600μm。

11、在一些实施方式中,所述转光层中还分散有抗氧化剂和光稳定剂中的至少一种。

12、在一些实施方式中,在所述有机抗转移层远离所述转光层的表面还设置有粘结层或交联层。

13、第二方面,本申请提供一种如第一方面所述转光复合膜的制备方法,所述制备方法包括:

14、制备形成转光层;

15、在转光层的相对两侧表面分别形成有机抗转移层。

16、在一些实施方式中,所述有机抗转移层的制备方式包括涂覆法和沉积法中的至少一种。

17、在一些实施方式中,所述有机抗转移层采用聚甲基丙烯酸甲酯颗粒沉积得到。

18、在一些实施方式中,所述聚甲基丙烯酸甲酯颗粒的直径为0.1μm~5μm。

19、第三方面,本申请提供一种光伏组件,所述光伏组件包括如第一方面所述的转光复合膜。

20、在一些实施方式中,所述光伏组件包括电池片。

21、沿远离所述电池片表面的方向,所述电池片的吸光侧依次层叠设置有所述转光复合膜和第一玻璃层。

22、沿远离所述电池片表面的方向,所述电池片的背光侧依次层叠设置有胶膜层和第二玻璃层。

23、与传统技术相比,本申请至少具有以下有益效果:

24、本申请在转光层的表面设置有机抗转移层,有机抗转移层不仅与转光层结合紧密,而且能够抑制转光层中的转光剂迁移析出,从而延长转光层的使用寿命,提高光伏组件的长期uv耐候性。



技术特征:

1.一种转光复合膜,其特征在于,所述转光复合膜包括转光层以及位于所述转光层至少一侧的有机抗转移层。

2.如权利要求1所述的转光复合膜,其特征在于,所述有机抗转移层满足如下条件中的至少一个:

3.如权利要求1所述的转光复合膜,其特征在于,所述转光层包括基材层以及分散于所述基材层内的转光剂,所述转光剂包括有机转光剂、无机转光剂和杂化类转光剂中的至少一种。

4.如权利要求3所述的转光复合膜,其特征在于,所述转光层满足如下条件中的至少一个:

5.如权利要求1-4任一项所述的转光复合膜,其特征在于,在所述有机抗转移层远离所述转光层的表面还设置有粘结层或交联层。

6.一种权利要求1-5任一项所述转光复合膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述有机抗转移层的制备方式包括涂覆法和沉积法中的至少一种。

8.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述有机抗转移层采用聚甲基丙烯酸甲酯颗粒沉积得到;

9.一种光伏组件,其特征在于,所述光伏组件包括权利要求1-5任一项所述的转光复合膜。

10.如权利要求9所述的光伏组件,其特征在于,所述光伏组件包括电池片;


技术总结
本申请提供一种转光复合膜及其制备方法和光伏组件,转光复合膜包括转光层以及位于转光层至少一侧的有机抗转移层。本申请通过设置有机抗转移层,抑制转光剂由转光层迁移析出,从而提高转光层的转光寿命,提高光伏组件的UV耐候性。

技术研发人员:高纪凡,谈家彬,范喜燕,张舒
受保护的技术使用者:天合光能股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/31
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