一种制作工艺及低温多晶硅显示面板的制作方法

本发明涉及显示面板，特别涉及一种制作工艺及低温多晶硅显示面板。

背景技术：

1、低温多晶硅显示面板因为有较高的迁移率而得到广泛的应用，但存在热载流子效应，为了抑制热载流子效应，增加接触电阻，可以减小漏电流等的影响，而相对非晶硅显示面板增加了轻掺杂漏极ldd(lightly drain doping)，以较低的注入量在源漏极和沟道之间掺杂一定程度的浓度缓冲区域，从而降低了热载流子出现的几率。然而现有ldd工艺流程是在sd金属层之前进行，导致ldd对位仅靠gate层进行对位，相对难以控制其ldd宽度和精度，造成低温多晶硅晶体管的特性出现不均匀的现象。

2、目前，亟待需要一种能够准确控制ldd的宽度和精度的技术方案，来提升晶体管特性的均匀度，从而提升显示效果，显示屏的可靠性和稳定性也得到改善。

技术实现思路

1、现有技术中，在对ldd进行对位时，紧靠gate层进行对位，难以控制其ldd的宽度和精度，造成低温多晶硅晶体管的特性出现不均匀的现象。

2、针对上述问题，提出一种制作工艺及低温多晶硅显示面板，通过在制作显示面板时，首先在制作轻掺杂漏极层之前，先将硅岛层与栅极层上下间隔错开、设置在栅极层两侧的绝缘层上且其内侧边沿与所述第一多晶硅层的内侧边沿上下齐平，从而可以在制作所述轻掺杂漏极层时，可以分别以硅岛层、栅极层的对边作为对位基准进行精准对位，提升了晶体管特性的均匀度，改善了显示效果，显示屏的可靠性和稳定性也得到改善。

3、第一方面，一种制作工艺，用于制作低温多晶硅显示面板，包括：

4、步骤100、提供一种低温多晶硅显示面板，包括玻璃基板、遮光层、缓冲层、隔离层、第一多晶硅层、轻掺杂漏极层、第二多晶硅层、栅极层、绝缘层、硅岛层；

5、步骤200、在所述玻璃基板上依次制作遮光层、缓冲层、第一多晶硅层、第二多晶硅层、隔离层、栅极层、绝缘层、硅岛层，其中，所述硅岛层与所述栅极层上下间隔错开、设置在所述栅极层两侧的绝缘层上且其内侧边沿与所述第一多晶硅层的内侧边沿上下齐平；

6、步骤300、分别以所述硅岛层、栅极层的对边作为对位基准，在所述第二多晶硅层的两侧对应位置制作轻掺杂漏极层；

7、其中，所述第一多晶硅层为导体层，第二多晶硅层为半导体层，所述第一多晶硅层位于所述第二多晶硅层的两侧。

8、结合本发明第一方面所述的制作工艺，第一种可能的实施方式中，所述步骤200包括：

9、步骤210、将两侧的所述硅岛层通过过孔与所述第一多晶硅层连接。

10、结合本发明第一方面第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述步骤210包括：

11、步骤211、在两侧对应所述第一多晶硅层及硅岛层的位置制作过孔，使所述过孔依次穿过绝缘层、隔离层；

12、步骤212、在所述过孔中注入传导介质，通过所述传导介质将所述第一多晶硅层与所述硅岛层向连接；

13、其中，所述硅岛层对称制作在所述栅极层的两侧，所述第一多晶硅层对称位于所述第二多晶硅层的两侧。

14、结合本发明第一方面第二种可能的实施方式，第三种可能的实施方式中，所述步骤300包括：

15、步骤310、在所述第二多晶硅层的两侧对称位置制作轻掺杂漏极层。

16、结合本发明第一方面第三种可能的实施方式，第四种可能的实施方式中，所述步骤310包括：

17、步骤311、选择要注入的离子类型，并将离子加速到规定的能量；

18、步骤312、分别以所述硅岛层的两个内侧边沿为基准，将加速后的离子通过硅岛层与栅极层之间的间隙注入到所述第二多晶硅层的两侧对称位置。

19、结合本发明第一方面第三种可能的实施方式，第四种可能的实施方式中，所述步骤310还包括：

20、步骤313、对注入离子后的所述第二多晶硅层进行退火处理，以消除注入过程产生的缺陷及应力。

21、第二方面，一种低温多晶硅显示面板，采用第一方面所述的制作工艺，包括：玻璃基板、遮光层、缓冲层、隔离层、第一多晶硅层、轻掺杂漏极层、第二多晶硅层、栅极层、绝缘层、硅岛层；

22、在所述玻璃基板上依次制作遮光层、缓冲层、第一多晶硅层、第二多晶硅层、隔离层、栅极层、绝缘层、硅岛层；

23、所述硅岛层与所述栅极层上下间隔错开、设置在所述栅极层两侧的绝缘层上且其内侧边沿与所述第一多晶硅层的内侧边沿上下齐平；

24、分别以所述硅岛层、栅极层的对边作为对位基准，在所述第二多晶硅层的两侧制作所述轻掺杂漏极层；

25、其中，所述第一多晶硅层为导体层，第二多晶硅层为半导体层，所述第一多晶硅层位于所述第二多晶硅层的两侧。

26、结合本发明第二方面所述的低温多晶硅显示面板，第一种可能的实施方式中，所述硅岛层通过过孔与所述第一多晶硅层连接。

27、结合本发明第二方面第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述硅岛层对称制作在所述栅极层的两侧，所述第一多晶硅层对称位于所述第二多晶硅层的两侧。

28、结合本发明第二方面第二种可能的实施方式，第三种可能的实施方式中，所述制作所述轻掺杂漏极层采用：

29、将规定离子加速后通过硅岛层与栅极层之间的间隙注入到所述第二多晶硅层的两侧对称位置。

30、实施本发明所述的一种制作工艺及低温多晶硅显示面板，通过在制作显示面板时，首先在制作轻掺杂漏极层之前，先将硅岛层与栅极层上下间隔错开、设置在栅极层两侧的绝缘层上且其内侧边沿与所述第一多晶硅层的内侧边沿上下齐平，从而可以在制作所述轻掺杂漏极层时，可以分别以所述硅岛层、栅极层的对边作为对位基准进行精准对位，提升了晶体管特性的均匀度，改善了显示效果，显示屏的可靠性和稳定性也得到改善。

技术特征：

1.一种制作工艺，用于制作低温多晶硅显示面板，特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤200包括：

3.根据权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤210包括：

4.根据权利要求3所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤300包括：

5.根据权利要求4所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤310包括：

6.根据权利要求5所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤310还包括：

7.一种低温多晶硅显示面板，采用权利要求1-6任一项所述的制作工艺，其特征在于，包括：玻璃基板、遮光层、缓冲层、隔离层、第一多晶硅层、轻掺杂漏极层、第二多晶硅层、栅极层、绝缘层、硅岛层；

8.根据权利要求7所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述硅岛层通过过孔与所述第一多晶硅层连接。

9.根据权利要求8所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述硅岛层对称制作在所述栅极层的两侧，所述第一多晶硅层对称位于所述第二多晶硅层的两侧。

10.根据权利要求9所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述制作所述轻掺杂漏极层采用：

技术总结
本发明公开了一种制作工艺及低温多晶硅显示面板，工艺包括：提供一种低温多晶硅显示面板，包括玻璃基板、遮光层、缓冲层、隔离层、第一多晶硅层、轻掺杂漏极层、第二多晶硅层、栅极层、绝缘层、硅岛层；硅岛层与栅极层上下间隔错开、设置在栅极层两侧的绝缘层上且其内侧边沿与第一多晶硅层的内侧边沿上下齐平；分别以硅岛层、栅极层的对边作为对位基准，在第二多晶硅层的两侧对应位置制作轻掺杂漏极层。实施本发明，可以在制作轻掺杂漏极层时，分别以硅岛层、栅极层的对边作为对位基准进行精准对位，提升了晶体管特性的均匀度，改善了显示效果，显示屏的可靠性和稳定性也得到改善。

技术研发人员：张东琪,付浩,张松岩,杜超,王新志
受保护的技术使用者：信利（仁寿）高端显示科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27