一种巴伦的制作方法

本申请涉及巴伦，尤其涉及一种巴伦。

背景技术：

1、电子技术正向着多功能、小型化和高可靠性方向发展，低温共烧陶瓷技术(low-temperature co-fired ceramics，ltcc)越来越受到广泛的关注。巴伦作为平衡与非平衡转换器，广泛运用于微波系统，如天线、混频器、倍频器等，是微波系统中一种重要元件。巴伦通常将多个耦合线圈和电极层印刷在多个陶瓷介质层上，经过ltcc制得。

2、随着电子系统向小型化、轻量化和高性能方向不断发展，对巴伦的尺寸也提出了更高的要求。为此，如何使巴伦在提高带宽等电学性能的基础上能够兼顾小体积，已成为业内一项重要的课题。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供一种巴伦，用于解决相关技术中的巴伦无法达到兼顾小体积和提高带宽的目的的问题。

2、本申请实施例提供了一种巴伦，包括基体和电路层，所述基体包括层叠设置的多个介质层，所述基体外侧设有输入端、两个输出端和接地端，所述输出端连接有设置于所述介质层上的输出电极；所述电路层设置于所述介质层上且位于所述基体内，所述电路层包括两个第一接地层、屏蔽接地层及两个耦合线圈组，沿所述基体的高度方向，所述屏蔽接地层间隔位于两个所述第一接地层之间，以形成第一屏蔽腔和第二屏蔽腔；所述第一屏蔽腔与所述第二屏蔽腔内设有所述耦合线圈组，所述耦合线圈组包括多个1/4波长耦合线圈；两个所述耦合线圈组中，沿所述基体的高度方向，位于靠近所述第一接地层的所述1/4波长耦合线圈与所述接地端连接，另一端与所述接地端或所述输入端连接；所述屏蔽接地层开设有贯穿所述屏蔽接地层的避让孔，所述避让孔内设有导电部；位于靠近所述屏蔽接地层两侧的两个所述1/4波长耦合线圈通过所述导电部连接，且连接后的两个所述1/4波长耦合线圈的端部通过所述输出电极与所述输出端连接；其中，沿所述基体的高度方向，所述输出电极与所述1/4波长耦合线圈位于不同的介质层。

3、在一些实施例中，所述导电部包括柱体及连接于所述柱体端部的第一电极，所述柱体一部分位于所述第一屏蔽腔中，另一部分位于所述第一屏蔽腔中，沿所述基体的高度方向，所述第一电极与所述1/4波长耦合线圈位于不同的介质层。

4、在一些实施例中，位于所述第一屏蔽腔的所述耦合线圈组包括第一电感线圈和第二电感线圈，位于所述第二屏蔽腔的所述耦合线圈组包括第三电感线圈和第四电感线圈，所述第二电感线圈与所述第三电感线圈位于靠近所述屏蔽接地层的两侧；所述第一电极位于所述第一屏蔽腔中，所述第一电极与所述第二电感线圈连接，所述柱体与所述第三电感线圈连接。

5、在一些实施例中，所述第一电感线圈、所述第二电感线圈、所述第三电感线圈、所述第四电感线圈包括一个所述1/4波长耦合线圈，所述1/4波长耦合线圈为平面螺旋线圈；所述第一电感线圈与所述第二电感线圈的图案相同。

6、在一些实施例中，所述第三电感线圈与所述第四电感线圈的图案相同。

7、在一些实施例中，所述输入端连接有设置于所述介质层上的输入电极，所述第一电感线圈的一端通过第一导电柱与所述输入电极连接，所述第一电感线圈的另一端通过第二导电柱与所述第一接地层连接，所述第一接地层与所述接地端连接，所述第二导电柱与所述第一导电柱在所述第一接地层上的投影不重叠。

8、在一些实施例中，所述第二导电柱在所述第一接地层的投影位于所述第一接地层的中心区域。

9、在一些实施例中，所述第一接地层包括中心部及由所述中心部向外延伸的多个延伸部，所述接地端的数量至少为2个，所述延伸部的数量大于所述接地端的数量；多个所述延伸部中，部分数量的所述延伸部与所述接地端连接，未与所述接地端连接的所述延伸部向靠近所述输出端的方向延伸，且与所述输出端不连接。

10、在一些实施例中，所述延伸部的数量为4个，以使所述第一接地层呈四爪结构；其中两个所述延伸部与两个接地端一一对应，另外两个所述延伸部与两个输出端一一对应。

11、在一些实施例中，所述基体为长方体；所述接地端的数量为2个或3个，在垂直于所述基体的高度方向的长方形截面内，两个所述输出端与其中两个所述接地端位于所述长方形截面的四个拐角处。

12、在一些实施例中，在垂直于所述基体的高度方向的长方形截面内，所述导电部与所述避让孔位于拐角处。

13、在一些实施例中，所述巴伦的通带为400mhz～3000mhz。

14、本申请实施例提供的巴伦，通过将与输出端连接的输出电极与1/4波长耦合线圈设置于不同介质层，相较于将输出电极和1/4波长耦合线圈同层设置，在相同长度的1/4波长耦合线圈的情况下，相对减小了基体在垂直于高度方向的占用面积，有利于减小巴伦的体积；同时将两个耦合线圈组设置在两个屏蔽腔中，且位于靠近屏蔽接地层两侧的两个1/4波长耦合线圈通过导电部连接，且连接后的两个1/4波长耦合线圈的端部通过输出电极与输出端连接，以使电路层实现能量分配和相移，提高了巴伦的带宽，从而有利于提高巴伦电学性能，进而使得巴伦达到兼顾提高带宽和小体积的目的。

技术特征：

1.一种巴伦，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的巴伦，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的巴伦，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的巴伦，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的巴伦，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的巴伦，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的巴伦，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的巴伦，其特征在于，

9.根据权利要求求1～6中任一项所述的巴伦，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的巴伦，其特征在于，

技术总结
本申请公开了一种巴伦，包括基体和电路层，基体包括多个介质层，基体外侧设有输入端、两个输出端和接地端，输出端连接有输出电极；电路层设置于介质层上且位于基体内，同时包括两个第一接地层、屏蔽接地层及两个耦合线圈组，屏蔽接地层与两个第一接地层形成第一屏蔽腔和第二屏蔽腔；第一屏蔽腔与第二屏蔽腔内设有耦合线圈组，耦合线圈组包括多个1/4波长耦合线圈；沿基体的高度方向，位于靠近第一接地层的1/4波长耦合线圈与接地端连接，另一端与接地端或输入端连接；位于靠近屏蔽接地层两侧的两个1/4波长耦合线圈通过贯穿屏蔽接地层的导电部连接，且连接后的两个1/4波长耦合线圈的端部与设置于不同介质层的输出电极连接。

技术研发人员：唐聃,宁焕,林亚梅,刘季超,王志华,朱思新,杜莹莹
受保护的技术使用者：深圳振华富电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17